-

Kyoto Semiconductor annonce deux capteurs UV pour les applications de détection des UV profonds

Les capteurs UV de type GaN KPDU086SU27-H11Q et KPDU086SU31-H11Q affichent une sensibilité élevée aux rayons ultraviolets profonds UV-B et UV-C

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (Président et chef de la direction : Yoshihisa Shinya, Siège social : Fushimi-ku, Kyoto), un important fabricant de solutions de dispositifs optiques disposant de technologies de calibre mondial et offrant la qualité japonaise, a annoncé deux capteurs UV de type GaN*1 : KPDU086SU27-H11Q et KPDU086SU31-H11Q.

Les capteurs UV KPDU086SU27-H11Q et KPDU086SU31-H11Q ont été développés dans le but d’obtenir une sensibilité plus élevée que les capteurs UV conventionnels de type Si*2 afin de répondre aux besoins du marché de la détection des UV profonds*3.

Comme les capteurs UV conventionnels de type Si détectent une large gamme de longueurs d'ondes, il est courant d’utiliser un filtre pour limiter la sensibilité à la gamme des longueurs d'ondes ultraviolettes. La quantité de lumière a été atténuée en passant à travers le filtre.

Les modèles KPDU086SU27-H11Q et KPDU086SU31-H11Q nouvellement développés utilisent du GaN pour permettre une réception directe de la lumière, au niveau de la pièce du capteur réceptrice de lumière, sans utiliser de filtre car le GaN est sensible à une gamme de longueurs d'ondes spécifique de la lumière ultraviolette. Il est dorénavant possible d’obtenir une sensibilité environ trois fois supérieure aux capteurs UV de type Si. *4

De plus, les produits sont sensibles dans la gamme de longueurs d'ondes limitée aux UV-B*5 et aux UV-C*6, qui font l’objet d’une forte demande dans les rayons ultraviolets.

Les nouveaux produits peuvent être utilisés pour surveiller l’intensité de la lumière ultraviolette des lampes germicides dans les usines alimentaires, les établissements médicaux et les organismes liés à la purification de l’eau, mais aussi pour surveiller l’intensité des sources lumineuses pour la détection d'ozone.

La production en série des capteurs UV au GaN KPDU086SU27-H11Q et KPDU086SU31-H11Q devrait commencer le 28 avril 2023.

Pour plus d’informations :
https://www.kyosemi.co.jp/en/products/kpdu086su27-h11q/
https://www.kyosemi.co.jp/en/products/kpdu086su31-h11q/

*1 GaN : Nitrure de gallium, un type de semi-conducteur
*2 Si : Silicium, un type de semi-conducteur
*3 Rayons ultraviolets profonds : Rayons ultraviolets dans la gamme de longueurs d'ondes d'émission λ = 200-300 nm. Les UV-B et UV-C sont considérés comme des rayons ultraviolets profonds.
*4 Comparaison entre le KPDU086SU27-H11Q et notre capteur UV Si KPDU400F-2
https://www.kyosemi.co.jp/products/kpdu400f-2/
*5 UV-B : Rayons ultraviolets dans la gamme de longueurs d'ondes d'émission λ = 280-315 nm. Plage de longueurs d'onde de sensibilité du KPDU086SU31-H11Q
*6 UV-C : Rayons ultraviolets dans la gamme de longueurs d'ondes d'émission λ = 100-280 nm. Plage de longueurs d'onde de sensibilité du KPDU086SU27-H11Q

À propos de Kyoto Semiconductor

Kyoto Semiconductor est né en 1980 à Kyoto en tant que fabricant spécialisé dans les semi-conducteurs optiques. Les semi-conducteurs produits par la société offrent des performances et une précision exceptionnelles, ils conviennent donc parfaitement à une utilisation en transmission optique. Ils sont fabriqués de bout en bout, pré- et post-traitement inclus, grâce à la technologie de packaging unique de Kyoto Semiconductor, dans nos locaux au Japon, pour être expédiés à nos clients dans le monde entier. Kyoto Semiconductor est à la tête de l’industrie grâce à ses technologies de niveau mondial permettant de fabriquer des solutions de dispositifs optiques de qualité japonaise, et avec une attention particulière au niveau de la production.

Site Internet de la société : https://www.kyosemi.co.jp/

*Les noms de produits, noms de sociétés et noms d’organisations mentionnés dans ce communiqué de presse sont des marques de commerce ou des marques déposées de leurs sociétés respectives.
*Tous les contenus figurant dans le présent communiqué de presse ne sont valables qu'à la date de publication et peuvent faire l'objet de modifications sans préavis.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Relations presse de Kyoto Semiconductor Co., Ltd.
E-mail : Media_relation@kyosemi.co.jp

Kyoto Semiconductor Co., Ltd.



Contacts

Relations presse de Kyoto Semiconductor Co., Ltd.
E-mail : Media_relation@kyosemi.co.jp

More News From Kyoto Semiconductor Co., Ltd.

Kyoto Semiconductor annonce 14 produits de capteurs réfléchissants utilisant la lumière proche infrarouge

SHIMOTSUKE-SHI, Japon--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (président et PDG : Yoshihisa Shinya, siège : Shimotsuke-shi, Tochigi, Japon), un leader des solutions de dispositifs optiques avec une fabrication de qualité japonaise basée sur une technologie de classe mondiale, a annoncé 14 produits de capteur réfléchissant de type SWIR*1 « série KPR ». Contexte de développement Le capteur réfléchissant de type SWIR « série KPR » a été développé pour être utilisé dans un large éventail d’...

Kyoto Semiconductor s’associe à Rochester Electronics

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (Kyoto, Japon), l’un des principaux fabricants de solutions pour dispositifs optiques, réputé pour ses technologies de premier ordre et sa qualité japonaise, s’associe à Rochester Electronics LLC (Massachusetts, États-Unis) pour collaborer en offrant des produits actifs et en fin de vie (FDV) aux clients. Le partenariat étend l’envergure de la clientèle de Kyoto Semiconductor à l’échelle mondiale, tout en optimisant la gamme des produits de...

Kyoto Semiconductor annonce une photodiode à avalanche haute sensibilité pour les appareils de mesure pour fibres optiques (optical time-domain reflectometer, OTDR)

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (Président-directeur général Tsuneo Takahashi, siège social : Fushimi-ku, ville de Kyoto), un important fabricant de solutions de dispositifs optiques utilisant des technologies de très haut niveau de qualité japonaise, a annoncé la photodiode à avalanche (avalanche photodiode, APD) KP-A*1, KPDEA003-T. Le nouveau produit a atteint une sensibilité et un rendement élevés accompagné d’un faible niveau sonore qui convient parfaitement aux réflec...
Back to Newsroom