-

東芝發布智慧閘極驅動光電耦合器,簡化功率元件週邊電路的設計

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)擴大了其智慧閘極驅動光電耦合器的產品陣容。該隔離閘極驅動器具有過電流保護功能,適用於MOSFET或IGBT等功率元件。新元件TLP5222是一款2.5A輸出的智慧閘極驅動光電耦合器,擁有內建的保護操作自動恢復功能。產品出貨從即日起開始。

TLP5222持續監測所驅動的功率元件的漏-源極電壓(VDS)[1]或集電極-發射極電壓(VCE)[2]。內建的過電流偵測和保護功能可偵測到任何因過電流導致的漏-源極電壓或集電極-發射極電壓升高,並執行軟關斷。

新的光電耦合器還有一個內建的自動恢復功能,可在保護操作被觸發後25.5μs(典型值)將產品重設為正常操作。這簡化了控制器的時序設定。它還整合了一個隔離故障狀態回饋功能,在偵測到過電流時向控制器傳輸一個故障信號,並透過主動式米勒鉗位(Miller Clamp)功能預防上下橋臂功率元件發生短路[3],有助於簡化設計和減少外部電路。

TLP5222採用SO16L封裝,可確保8毫米(最小值)的爬電距離和電氣間隙,也可用於需要高絕緣性能的設備。此外,它的額定工作溫度範圍較寬,介於-40°C至110°C之間,適用於惡劣熱環境下的各種應用,如太陽能發電系統和不斷電系統(UPS)。

該產品陣容還包括TLP5212、TLP5214A和TLP5214。它們沒有內建的自動恢復功能,但透過輸入LED的信號也可將其重設為正常工作狀態。使用者可根據使用條件選擇合適的產品。

注釋:
[1] 針對功率MOSFET
[2] 針對IGBT
[3] 一種故障現象,即開關過程中米勒電流產生噪音或功率元件故障導致接通上級或下級功率元件。

應用

  • MOSFET/IGBT閘極驅動
  • 工業變頻器和交流伺服器
  • 可再生能源逆變器(太陽光電逆變器等)
  • 開關電源(UPS等)

特色

  • 內建的保護操作自動恢復功能
  • 額定峰值輸出電流:IOPH/IOPL=±2.5A
  • 內建保護功能,如過電流偵測、隔離故障狀態回饋和主動式米勒鉗位功能
  • SO16L封裝確保8毫米(最低)的爬電距離和電氣間隙

主要規格

(除非另有說明,否則 @Ta=-40°C 至 110°C)

組件型號

TLP5222

封裝

名稱

SO16L

尺寸(mm)

10.3 x 10( 典型值) 

t : 2.3(最大值)

絕對最大額定值

工作溫度Topr (°C)

-40至110

峰值輸出電流 IOPH/IOPL (A)

±2.5

推薦工作條件

輸出側總電源電壓(VCC2−VEE) (V)

15至30

故障回饋IC供電電壓VCC1 (V)

2.7至5.5

電氣特性

供電電流ICC2H, ICC2L最大值(mA)

5

閾值輸入電流 (L/H) IFLH最大值(mA)

6.0

DESAT閾值電壓VDESAT典型值(V)

6.6

開關特性

傳輸延遲時間tpHL, tpLH最大值(ns)

250

DESAT輸入靜音時間tDESAT(MUTE)典型值(μs)

25.5

共模瞬態抑制 

CMH, CML最小值(kV/μs)

@Ta=25°C,CF=Open

±25

@Ta=25°C,CF=1nF

±50

隔離特性

隔離電壓BVS最小值 (Vrms)

@Ta=25°C

5000

樣品查詢和庫存

線上購買

請點選以下連結,瞭解更多關於新產品的資訊。
TLP5222

請點選下面的連結,瞭解東芝智慧閘極驅動光電耦合器的應用。
智慧閘極驅動光電耦合器TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222應用說明 -介紹-
智慧閘極驅動光電耦合器TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222應用說明 -進階版 -

請點選下面的連結,瞭解更多關於東芝隔離器/固態繼電器的資訊。
隔離器/固態繼電器

要在網路經銷商處查詢新產品的供應情況,請造訪:
TLP5222
線上購買

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本新聞稿中的產品價格和規格、服務內容和聯絡方式等資訊,在發布之日為最新資訊。之後如有變更,恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社

東芝電子元件及儲存裝置株式會社是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球各地的2.3萬名員工同心同德,竭力實現公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的密切合作,促進價值和新市場的共同創造。東芝電子元件及儲存裝置株式會社期待在目前超過8,500億日圓(75億美元)的年度銷售額基礎上再接再厲,為全人類創造更加美好的未來。
如需瞭解更多資訊,請造訪:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客戶詢問:
光電元件銷售與市場部.
電話:+81-44-548-2218
聯絡我們

媒體詢問:
Chiaki Nagasawa
數位市場部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電子郵件:semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客戶詢問:
光電元件銷售與市場部.
電話:+81-44-548-2218
聯絡我們

媒體詢問:
Chiaki Nagasawa
數位市場部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電子郵件:semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作溫度達125°C的工業設備用四通道高速標準數位隔離器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工業設備用四通道高速標準數位隔離器,進一步擴充其數位隔離器產品陣容。該系列包含10款新產品,均採用SOIC16-W封裝,最高工作溫度可達125°C。批量出貨自即日起開始。 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率元件的廣泛應用,使得設計可在高溫條件下運行的工業設備成為可能。然而,在隔離訊號傳輸中,輸入和輸出之間的電磁雜訊可能會導致故障,這使得市場對能實現穩定控制訊號傳輸、同時兼具高抗噪性與高可靠性的隔離元件的需求與日俱增。 Toshiba新型數位隔離器支援高達125°C的最高工作溫度。歸功於公司專有的磁耦合隔離傳輸技術[1],該系列產品還實現了高達150kV/μs(典型值)[2]的高共模暫態耐受性(CMTI),從而協助設備穩定運行。 新產品提供多種通道設定:4個正向通道和0個反向通道;3個正向通道和1個反向通道;以及2個正向通道和2個反向通道。這種靈活性使其能夠廣泛...

Toshiba開始出貨TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器工程樣品,搭載用於系統控制應用的Arm® Cortex®-M4內核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器[1],這些微控制器搭載帶有浮點運算器(FPU)的Arm® Cortex®-M4內核。全新微控制器專為消費產品(如冷氣機、洗衣機)以及工業設備(包括多功能事務機、工廠自動化系統)的小型系統控制應用而設計。Toshiba目前已開始提供這些新產品的工程樣品。 隨著現代消費產品和工業設備變得日益先進和多樣化,用於系統控制的微控制器必須具備更強的即時處理能力與穩定性,支援簡便的設計流程,提供長期運行所需的通用性,並具備足夠的靈活性以支援衍生產品的開發。Toshiba已透過開發專為系統控制應用而設計的TXZ+™系列入門級M4H組微控制器來因應這些挑戰,尤其注重其通用性。 這些全新微控制器被設計為入門級產品,可提供一系列基本功能。它們採用帶有FPU的Arm® Cortex®-M4內核,最高工作頻率達120MHz——這正是消費產品和工業設備所需的運算效能與回應...

提升次世代 AI 資料中心效率 Toshiba 開始出貨 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 測試樣品

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱 Toshiba)今日開始出貨「TW007D120E」測試樣品,此 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 主要用於次世代 AI 資料中心的電源供應系統,亦適用於再生能源相關設備。 隨著生成式 AI 快速擴張,耗電量遽增已成為資料中心迫在眉睫的課題。尤其是高功率 AI 伺服器的廣泛採用,以及 800 V 高壓直流 (HVDC) 架構部署日益增加,正全面推升市場對高電源轉換效率與高功率密度電源供應系統的需求。Toshiba 研發出 TW007D120E 以因應次世代 AI 資料中心需求,將有助於降低耗電量,並推動電源供應系統實現小型化與高效化。 TW007D120E 採用 Toshiba 獨家溝槽式閘極結構 [1],達到業界領先 [2] 的低單位面積導通電阻 (RDS (on)) A);透過更低的導通電阻減少導通損耗,同時降低切換損耗。與 Toshiba 現有產品相比,TW007D120E 的 RDS...
Back to Newsroom