-

东芝发布智能栅极驱动光电耦合器,简化功率器件外围电路的设计

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)扩大了其智能栅极驱动光电耦合器的产品阵容。该隔离栅极驱动器具有过流保护功能,适用于MOSFET或IGBT等功率器件。新器件“TLP5222”是一款2.5A输出的智能栅极驱动光电耦合器,拥有内置的保护操作自动恢复功能。产品发货从即日起开始。

TLP5222持续监测所驱动的功率器件的漏-源极电压(VDS)[1]或集电极-发射极电压(VCE)[2]。内置的过流检测和保护功能可检测到任何因过流导致的漏-源极电压或集电极-发射极电压升高,并执行软关断。

新的光电耦合器还有一个内置的自动恢复功能,可在保护操作被触发后25.5μs(典型值)将产品复位到正常操作。这简化了控制器的时序设置。它还集成了一个隔离故障状态反馈功能,在检测到过流时向控制器传输一个故障信号,并通过有源米勒钳位功能预防上下桥臂功率器件发生短路[3],有助于简化设计和减少外部电路。

TLP5222采用SO16L封装,可确保8毫米(最小值)的爬电距离和电气间隙,也可用于需要高绝缘性能的设备。此外,它的额定工作温度范围较宽,介于-40°C至110°C之间,适用于恶劣热环境下的各种应用,如光伏发电系统和不间断电源(UPS)。

该产品阵容还包括TLP5212、TLP5214A和TLP5214。它们没有内置的自动恢复功能,但通过输入LED的信号也可将其重置为正常工作状态。用户可根据使用条件选择合适的产品。

注释:
[1] 针对功率MOSFET
[2] 针对IGBT
[3] 一种故障现象,即开关过程中米勒电流产生噪音或功率器件故障导致接通上级或下级功率器件。

应用

  • MOSFET/IGBT栅极驱动
  • 工业变频器和交流伺服机
  • 可再生能源逆变器(光伏逆变器等)
  • 开关电源(UPS等)

特色

  • 内置的保护操作自动恢复功能
  • 额定峰值输出电流:IOPH/IOPL=±2.5A
  • 内置保护功能,如过流检测、隔离故障状态反馈和有源米勒钳位功能
  • SO16L封装确保8毫米(最低)的爬电距离和电气间隙

主要规格

(除非另有说明,否则 @Ta=-40°C 至 110°C)

部件型号

TLP5222

封装

名称

SO16L

尺寸(mm)

10.3 x 10( 典型值) 

t : 2.3(最大值)

绝对最大额定值

运行温度Topr (°C)

-40至110

峰值输出电流 IOPH/IOPL (A)

±2.5

推荐运行条件

输出侧总电源电压(VCC2−VEE) (V)

15至30

故障反馈IC供电电压VCC1 (V)

2.7至5.5

电气特性

供电电流ICC2H, ICC2L最大值(mA)

5

阈值输入电流 (L/H) IFLH最大值(mA)

6.0

DESAT阈值电压VDESAT典型值(V)

6.6

开关特性

传输延迟时间tpHL, tpLH最大值(ns)

250

DESAT输入静音时间tDESAT(MUTE)典型值(μs)

25.5

共模瞬态抑制 

CMH, CML最小值(kV/μs)

@Ta=25°C,CF=Open

±25

@Ta=25°C,CF=1nF

±50

隔离特性

隔离电压BVS最小值 (Vrms)

@Ta=25°C

5000

样品查询和库存

在线购买

请点击以下链接,了解更多关于新产品的信息。
TLP5222

请点击下面的链接,了解东芝智能栅极驱动光电耦合器的应用。
智能栅极驱动光电耦合器TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222应用说明 -介绍-
智能栅极驱动光电耦合器TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222应用说明 -高级版 -

请点击下面的链接,了解更多关于东芝隔离器/固态继电器的信息。
隔离器/固态继电器

要在网络经销商处查询新产品的供应情况,请访问:
TLP5222
在线购买

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本新闻稿中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在发布之日为最新信息。之后如有变更,恕不另行通知。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球各地的2.3万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过8,500亿日元(75亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。
如需了解更多信息,请访问:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客户垂询:
光电器件销售与市场部.
电话:+81-44-548-2218
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字市场部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电邮:semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客户垂询:
光电器件销售与市场部.
电话:+81-44-548-2218
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字市场部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电邮:semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出额定工作温度135℃的小型光继电器,适用于高温设备运行

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出四款采用小型S‑VSON4T封装的电压驱动型光继电器:“TLP3407SRB”、“TLP3412SRB”、“TLP3412SRHB”和“TLP3412SRLB”。新款光继电器额定最高工作温度达135℃,可用于高温运行的设备。批量出货自即日起开始。 电气化和自动驾驶技术的进步如今要求车载设备中的电子元件采用高密度封装。这提高了车载半导体的工作温度,因此需要在相近条件下进行测试以评估可靠性;用于车载半导体的测试仪、老化测试设备、探针卡等装置,以及其中使用的光继电器,都必须能够在高温下工作。 Toshiba通过优化内置元件设计,将新产品的最高工作温度从现有产品[1]的125℃提升至135℃。此外,由于新产品为电压驱动型光继电器,输入端内置电阻,因此无需外接电阻,可节省电路板安装空间。产品还采用尺寸为1.45 × 2.0 mm(典型值)的S‑VSON4T小型封装。 这些因素的结合使新款光继电器适用...

Toshiba宣布推出用于驱动大电流汽车有刷直流电机的桥式电路栅极驱动器样品

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")已开始提供“TB9104FTG”的工程样品,这是一款用于大电流汽车有刷直流电机的桥式电路栅极驱动器[1],适用于电动背门、电动滑门和电动座椅等车身系统应用场景。 车辆可移动部件的加速电气化增加了车辆中电机的安装数量,尤其是车身系统所需的电机。这一趋势也使得电机运行所需的驱动器用量增加,并催生了对小型化系统的需求。为满足车辆轻量化的设计要求,线束精简已成为行业刚需。 TB9104FTG采用典型尺寸为5.0毫米×5.0毫米的小型VQFN32封装。封装底部的外露散热焊盘有效提升了散热性能,与外部MOSFET结合使用时,可为车身系统应用中的大电流有刷直流电机提供紧凑的驱动电路。 这款新产品配备了与微控制器进行通信的串行外设接口(SPI)[2],可提供丰富的配置选项和状态信息。值得一提的是,电机的旋转指令不仅可通过专用引脚发出,还能经由SPI传输。将多个栅极驱动器接入SPI总线后,可实现线路共享,助力整...

Toshiba推出高速响应、全输入/输出范围CMOS双比较器,适用于工业设备的过流检测

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了一款CMOS双比较器“TC75W71FU”。该产品具备高速响应特性与全输入/输出范围(轨到轨),适用于工业设备的过流检测场景[1]。产品发货自即日起开始。 如今的工业设备在电机驱动和电源电路中会采用大电流供电。随之而来的是突发过流风险,过流可能造成设备损坏、生产线停机,甚至降低运行安全性,因此对过流进行快速检测和防护至关重要。在不断追求更高效率和产品小型化的过程中,电路可承受的电流与电压范围不断收窄,即使是轻微的过流也会给电路带来巨大负荷。这一趋势使得市场对于更快、更精准的过流检测技术的需求持续攀升。 相较于目前的TC75W56FU,新款产品拥有更短的传输延迟时间:低电平转高电平的最大传输延迟时间为45纳秒,高电平转低电平的最大传输延迟时间为30纳秒[2]。这一特性可确保设备在发生过流时迅速停机,提升运行安全性。 该产品的输入/输出电压范围覆盖全量程,可在最低电源电压(GND)至最高电源...
Back to Newsroom