キオクシア：ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」第2世代品の開発について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™技術を用いたストレージクラスメモリ（SCM）であるXL-FLASH™第２世代品を開発し、11月より一部のOEM顧客向けにサンプル出荷を開始します。量産は2023年に開始する予定です。なお本製品は、8月2日から米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit　2022」の当社基調講演にて紹介します。

第2世代XL-FLASH™では、SLC(single-level cell) 動作に加え、新規機能として２ビット/セルのMLC(multi-level cell) 動作を実現します。これにより、XL-FLASH™の特徴である低レイテンシアクセスを実現しながらも、従来よりもビットコストの大幅な削減を実現します。また、現行品より同時動作可能な最大プレーン数を増やし、スループットが向上します。なお、チップの記憶容量は256ギガビット^［注１］(MLC動作時)です。

本製品をデータセンターやエンタープライズ向けサーバー・ストレージシステムに適切に搭載することで、より一層の性能とコストバランスの最適化が可能です。 また将来的には、CXL(Compute Express Link)を用いた本製品の応用の可能性があります。当社は、拡大するSCM市場のニーズに対応する技術・製品の開発をすすめます。

［注１］1製品に2段、4段、8段のチップの積層が可能です。

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