飛宏新推出的65W 2C1A USB PD配接器採用Transphorm的氮化鎵技術

Transphorm用於低功耗應用的高可靠性元件能簡化電源系統的開發，減少元件數量；是18億美元規模的配接器市場的成熟解決方案。

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD配接器採用了該公司的氮化鎵技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN®第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管(FET)平臺，具有以下優點：系統設計簡單，元件數量少，性能更高，可靠性一流。

飛宏的65W配接器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個USB-C埠和一個USB-A埠(2C1A)，可同時為三台設備充電。這款充電器採用了單一650V SuperGaN元件TP65H300G4LSG，與採用準諧振反馳模式(QRF)拓撲結構的矽解決方案相比，功率損失可減少約17%。該配接器還提供高達65W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認證的PQFN88表面黏著元件，具有±18V閘極安全裕度。FET是建立在QRF、主動鉗位反馳模式(ACF)或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用的理想選擇。

Transphorm的TP65H300G4LSG具有與矽類似的閾值水準和高閘極擊穿電壓（最大±18 V）。它可以與現成的控制器（包括含有整合驅動器的控制器）配合使用，無需負偏置電壓。這些功能可簡化電源系統的設計；消除對額外週邊電路的需求，從而減少元件數量；同時還能增加整個系統的可靠性——這些都是飛宏決定採用Transphorm FET的關鍵原因。

飛宏生產製造各種備受電子設備公司信賴的可靠電源解決方案。公司對氮化鎵功率密度優勢的理解讓其決定打造新的氮化鎵配接器。Transphorm的氮化鎵FET具有簡單可設計性和可驅動性，並且具有高閘極穩健性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為其氮化鎵器件合作夥伴。

根據Facts and Factors近期發表的一份報告，預計到2026年全球交流轉直流配接器市場規模將達到18.54億美元，年複合成長率為12.7%。Transphorm最近也在5月份的報告中指出，其240毫歐元件的發展態勢正在不斷加強，公司獲得了亞洲大型手機(65W)專案和領先的WW電子零售商(140W)專案的ODM預生產訂單。此外，該公司的市占率成長還歸功於成功贏得一家《財星》百大龍頭企業的另一項筆記型電腦配接器設計專案，其中包括5萬個SuperGaN® 240毫歐FET的初始採購訂單。這些FET可以為65W快充配接器應用提供更高的效率，而競爭對手的e-mode氮化鎵FET則需要更大的150毫歐元件來滿足類似應用的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN® FET使客戶能夠利用更小的元件實現更強的性能。

Transphorm亞太區銷售副總裁Kenny Yim表示：「我們的SuperGaN平臺從一開始就圍繞四大關鍵原則打造：可靠性、可設計性、可驅動性和可重複性。我們的240毫歐元件也不例外。我們讓配接器製造商能夠設計出體積小、重量輕、發熱少的產品，並提供尖端的先進USB充電功能。這些創新正在推動全球配接器市場對氮化鎵的採用，使我們有能力透過大量生產能力支援高性能的解決方案，從而鞏固我們的市場地位。」

TP65H300G4LSG目前可透過得捷電子和貿澤電子取得。

關於飛宏

飛宏(https://www.phihong.com.tw)是開發世界級電源解決方案和電動汽車充電產品的全球領導者，擁有50多年的成熟經驗，年營收超過6億美元。公司持續為電動汽車充電領域以及醫療、資料通訊、電信、個人電子設備和網路市場的OEM廠商提供領先的解決方案。飛宏擁有超過6,500名員工，在加州、紐約、荷蘭、中國大陸、日本、越南和臺灣設有設計實驗室、生產設施和銷售支援中心。英文網站：https://www.phihong.com

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormchina.com。歡迎在Twitter @transphormusa和WeChat @Transphorm_GaN上關注我們。

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