Neuer 65-W-2C1A-USB-PD-Adapter von Phihong mit Transphorm GaN

Hochzuverlässiges Gerät von Transphorm für Niedrigenergie-Anwendungen soll die Entwicklung von Stromversorgungssystemen vereinfachen und die Anzahl der Komponenten reduzieren; Bewährte Lösung für Adaptermarkt im Wert von 1,8 Mrd. USD

GOLETA, Kalifornien (USA)--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionier und globaler Anbieter von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Leistungsumwandlungsprodukten – gab heute bekannt, dass seine GaN-Technologie den neuen 65-W-2C1A-USB-PD-Adapter von Phihong, einem globalen Anbieter von Stromversorgungsprodukten und Ladestationen für Elektrofahrzeuge, mit Strom versorgt. Die Adapter nutzen die SuperGaN® Gen IV-Technologie von Transphorm, eine GaN-FET-Plattform, die Vorteile bietet, die von einem einfachen Systemdesign mit einer geringeren Anzahl von Systemkomponenten bis hin zu einer höheren Leistung mit erstklassiger Zuverlässigkeit reichen.

Der 65-W-Adapter von Phihong kann drei Geräte gleichzeitig laden und verfügt über zwei USB-C-Anschlüsse und einen USB-A-Anschluss (2C1A) in einem kleinen Formfaktor (51 x 55,3 x 29 mm). Das Ladegerät nutzt ein einzelnes 650-V-SuperGaN-Gerät, das TP65H300G4LSG, für eine etwa 17-prozentige Reduzierung des Leistungsverlusts gegenüber einer Siliziumlösung mit einer Quasi-Resonanz-Flyback-Topologie (QRF). Der Adapter bietet auch USB PD- und PPS-Funktionalität bis zu 65 W.

Das TP65H300G4LSG ist ein 240 mOhm, JEDEC-qualifiziertes PQFN88-Oberflächenmontagegerät mit einer Gate-Sicherheitsmarge von ±18 V. Der FET ist optimal für Anwendungen mit geringerer Leistung bei 150 W oder darunter, die auf QRF-, Active-Clamp-Flyback- (ACF) oder LLC-Resonanztopologien aufgebaut sind.

Der TP65H300G4LSG von Transphorm bietet siliziumähnliche Schwellenpegel und eine hohe Gate-Durchbruchspannung (maximal ±18 V). Es kann mit handelsüblichen Controllern (einschließlich solchen mit integrierten Treibern) gekoppelt werden, ohne dass eine negative Vorspannung erforderlich ist. Dies vereinfacht das Design des Stromversorgungssystems; eliminiert die Notwendigkeit zusätzlicher peripherer Schaltungen, wodurch die Anzahl der Komponenten verringert wird; und erhöht die Gesamtsystemzuverlässigkeit – alles Hauptgründe für Phihongs Entscheidung, den Transphorm FET zu verwenden.

Phihong stellt zuverlässige Stromversorgungslösungen her, denen Hersteller elektronischer Geräte vertrauen können. Das Verständnis des Unternehmens für die Vorteile der Leistungsdichte von GaN beeinflusste seine Entscheidung, den neuen GaN-Adapter zu bauen. Die einfache Designbarkeit und Ansteuerbarkeit der GaN-FETs von Transphorm zusammen mit ihrer hohen Gate-Robustheit machten die Wahl von Transphorm als Partner für GaN-Geräte einfach.

Facts and Factors hat kürzlich einen Bericht veröffentlicht, der prognostiziert, dass der globale Markt für AC-zu-DC-Adapter bis 2026 1,854 Mio. USD erreichen wird, mit einer jährlichen Wachstumsrate von 12,7 %. Transphorm berichtete kürzlich im Mai, dass sein 240-mOhm-Baustein an Zugkraft gewinnt, wobei das Unternehmen Vorproduktionsaufträge von ODMs für große asiatische Mobiltelefone (65 W) und führende WW-E-Retailer-Projekte (140 W) sichert. Darüber hinaus wird der Anstieg des Marktanteils des Unternehmens durch einen weiteren Design-Win für Laptop-Adapter von einem Tier-1-Fortune-100-Unternehmen vorangetrieben, der eine Erstbestellung von 50.000 Einheiten der SuperGaN® 240-mOhm-FETs umfasst. Diese FETs bieten eine höhere Effizienz für 65-W-Schnellladeadapteranwendungen im Vergleich zu konkurrierenden E-Mode-GaN-FETs, die für ähnliche Anwendungen ein größeres 150-mOhm-Gerät erfordern. Dadurch ermöglichen diese Transphorm SuperGaN® FETs den Kunden, mit weniger mehr zu erreichen.

„Unsere SuperGaN-Plattform wurde von Grund auf unter Berücksichtigung von vier Grundprinzipien entwickelt: Zuverlässigkeit, Designfähigkeit, Fahrbarkeit und Reproduzierbarkeit. Unser 240-mOhm-Gerät ist da keine Ausnahme“, sagte Kenny Yim, Vice President of Asia Pacific Sales, Transphorm. „Wir ermöglichen Adapterherstellern, kleine, leichte und kühl laufende Produkte zu entwickeln, die die neuesten fortschrittlichen USB-Ladefunktionen bieten können. Es ist diese Art von Innovation, die die Einführung von GaN auf dem globalen Adaptermarkt vorantreibt und uns in die Lage versetzt, unsere Marktposition mit einer leistungsstarken Lösung zu stärken, die durch Produktionskapazitäten für hohe Stückzahlen unterstützt wird.“

Aktuell ist der TP65H300G4LSG über Digi-Key und Mouser erhältlich.

Über Phihong

Phihong (https://www.phihong.com.tw) ist ein weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung von erstklassigen Stromversorgungslösungen und Ladeprodukten für Elektrofahrzeuge. Mit über 50 Jahren nachgewiesener Erfahrung und einem Jahresumsatz von über 600 Millionen USD bietet Phihong weiterhin führende Lösungen für OEMs im EV-Ladesegment sowie in den Märkten für Medizin, Datenkommunikation, Telekommunikation, persönliche Elektronik und Netzwerke. Phihong hat über 6500 Mitarbeiter und Designlabors, Produktionsstätten und Vertriebszentren in Kalifornien, New York, den Niederlanden, China, Japan, Vietnam und Taiwan. Englische Seite: https://www.phihong.com

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.