-

东芝发布新型MOSFET栅极驱动集成电路,助力缩小器件尺寸

- TCK42xG系列支持外部N沟道MOSFET背对背连接 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已经推出面向20V电源线路的“TCK421G”,这是其“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动集成电路(IC)的首款产品。该系列的器件基于输入电压专用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压,并具备过压自锁功能。批量出货即日起开始。

通过联合背对背连接的外部N沟道MOSFET,TCK421G适用于配置电源多路复用器电路或配备反向电流阻断功能的负载开关电路。它嵌入一个电荷泵电路,支持2.7V至28V的宽电压输入范围,并通过间歇式工作模式向外部MOSFET的栅源电压提供稳定的电压,从而实现大电流的通断。

TCK421G采用WCSP6G[1]封装,这是业界超小型封装之一[2],实现了在可穿戴设备和智能手机等小型设备中的高密度安装,有助于减少设备的尺寸。

东芝将继续开发TCK42xG系列,并计划推出总共六个版本。TCK42xG系列的过压锁定功能将支持5V至24V的输入电压。该产品将支持5.6V和10V两种类型的栅极输出电压,用于匹配外部MOSFET的不同电压。过压锁定电压和栅极输出电压均可根据用户的设备需求选择。

注:
[1] 1.2mm x 0.8mm
[2] MOSFET栅极驱动集成电路。东芝调查,截至2022年2月。

应用

  • 可穿戴设备
  • 智能手机
  • 笔记本电脑、平板电脑
  • 存储设备等

新系列特点

  • 栅源电压设置(5.6V,10V)取决于带内置电荷泵电路的输入电压
  • 过压锁定支持5V至24V
  • 低输入关断电流IQ(OFF)= 0.5μA(最大值)@VIN=5V,Ta= -40 至85°C

主要规格

(除非另有约定,否则Ta=25°C)

部件编号

TCK421G

封装

名称

WCSP6G

尺寸(mm)

1.2×0.8(典型值)

 

t=0.35(最大值)

工作

 

范围

输入电压VIN (V)

@Ta= -40 至 85°C

2.7至28

电气 特性

VIN UVLO阈值,Vout 下降

 

VIN_UVLO典型值/最大值(V)

@Ta= -40至85°C时VIN_UVLO 最大值

2.0/2.5

VIN UVLO滞后 VIN_UVhyst

 

典型值(V)

–

0.2

VIN OVLO阈值,Vout下降

 

VIN_OVLO 最小/最大 (V)

@Ta= -40至 85°C

22.34/24.05

VIN OVLO滞后

 

VIN_OVhyst典型值(V)

–

0.12

输入静态电流

 

(通态)[3]

 

IQ(ON)典型值(μA)

@VIN=5V

140

@VIN=12V

185

待机电流

 

(关断)

 

IQ(OFF)最大值(μA)

@VIN=5V, Ta= -40 至 85°C

0.5

@VIN=12V, Ta= -40 至 85°C

0.9

栅极驱动电压

 

(VGATE1-VIN)

 

(VGATE2-VIN)

 

VGS最小值/典型值/最大值

 

(V)

@VIN=2.7V

8/9.2/10

@VIN=5V

9/10/11

@VIN=9V

9/10/11

@VIN=12V

9/10/11

@VIN=20V

9/10/11

VGS导通时间

 

tON典型值(ms)

@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF

2.9

VGS关断时间

 

tOFF典型值(μs)

VIN=5V, @CGATE1,2=4000pF

52

OVLO VGS关断时间

 

tOVP典型值(μs)

@CGATE1,2=4000pF

34

样品查询和库存状况

在线购买

注:
[3] 不含控制端电流(ICT)。

点击下面的链接了解更多关于新产品的信息。
TCK421G
TCK42xG系列

查询网络经销商新产品的供应情况,请访问:
TCK421G

客户垂询
小信号器件营销部
电话:+81-44-548-2215
联系我们

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本新闻稿中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统 LSI和HDD产品。

公司在全球各地的2.2万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的合作,促进价值和新市场的共同创造。 东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过7,100亿日元(65亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。

如需了解更多信息,请访问:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电话:+81-44-549-8361
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电话:+81-44-549-8361
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba量产搭载Arm® Cortex®-M4内核的TXZ+™系列入门级M4H组通用微控制器,专为系统控制应用打造

川崎市,日本--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(“Toshiba”)已开始量产TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器[1],该系列产品搭载了配备浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-M4内核。该系列微控制器专为消费类产品(如空调和洗衣机)以及工业设备(包括多功能打印机和工厂自动化系统)中的小型系统控制应用而设计。 随着消费类产品和工业设备日益复杂和多样化,用于系统控制的微控制器不仅需要具备实时性能和稳定运行能力,还需能够简化系统设计、具备适用于长期部署的通用性,并支持向衍生产品扩展。此外,还有一些小型系统控制应用,这类应用需要的微控制器应提供基本的控制功能,并能轻松应用于现有系统和新设计中,而不需要针对特定应用进行优化的高复杂功能。 Toshiba通过推出TXZ+™系列入门级M4H组微控制器,满足了这些需求。该系列作为标准微控制器,着重强调基本功能和易用性。尽管属于入门级产品,但该系列采用了配备浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-...

Toshiba推出双通道标准数字隔离器产品线,助力工业设备降低功耗

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出四款面向工业设备的双通道标准数字隔离器“DCL32xx00系列”。新产品可实现每通道0.2mA[1](典型值)的低电流消耗,支持中速通信[2],并采用SOIC8-N封装。批量出货自即日起开始。 该系列包含配置两个正向通道的“DCL320C00”和“DCL320D00”,以及配置一个正向通道和一个反向通道的“DCL321C00”和“DCL321D00”。继推出DCL34xx0B系列四通道标准数字隔离器之后,此次新增产品使Toshiba面向工业设备的低功耗标准数字隔离器产品线扩充至十款,其中DCL34xx0B系列占六款。这进一步丰富了通道数选项,有助于提升设计灵活性。 在可编程逻辑控制器(PLC)、执行器和逆变器等工业设备中,防止设备故障、异常传播以及噪声引起的故障至关重要,而噪声会随着设备运行速度的提高而增大。这些问题均通过电气隔离来解决,即在不同电位(如高压与低压)的电路之间传输信号,从而...

Toshiba推出具备高浪涌电流能力的3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩展了其产品阵容,推出适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等工业设备的双SiC MOSFET模块——“IX800FXF2YMS4”。该新型模块采用Toshiba第三代碳化硅(SiC) MOSFET芯片,漏源电压额定值为3300V,直流(DC)漏极电流额定值为800A。其规格中明确了二极管部分的I2t限值,该值是衡量浪涌电流能力的指标。 包括铁路牵引逆变器和变流器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备在内的工业设备制造商,必须不断满足对更高效率、更小体积和更高可靠性的日益增长的需求。在这些系统中,必须通过足够的浪涌电流承受能力来应对异常条件下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流。 IX800FXF2YMS4采用了优化的SiC芯片设计,其I2t特性达到300kA2s[1],该特性是衡量二极管部分在异常条件下浪涌电流能力的指标。 该模块的漏源导通电压(检测端)(VDS(on)sense...
Back to Newsroom