東芝：実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品発売について

～外部NチャネルMOSFETのバック・トゥ・バック接続に対応したTCK42xGシリーズ～

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、ウエアラブル端末など向けに、入力電圧に応じて外付けMOSFETのゲート電圧をコントロールする、過電圧防止機能を持ったMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xGシリーズ」の販売を開始します。シリーズ第一弾として20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を本日から開始します。

新製品TCK421Gは、バック・トゥ・バック接続の外付けNチャネルMOSFETと組み合わせて、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路やパワーマルチプレクサー回路を構成するのに適しています。また、2.7Vから28Vの幅広い入力電圧に応じたチャージポンプ回路を内蔵し、間欠動作で外付けMOSFETのゲート・ソース間に安定電圧を供給します。これにより、大きな電流のスイッチングが可能です。

パッケージは、業界最小クラス^[注1]のWCSP6G^[注2]を採用し、ウエアラブル端末、スマートフォンなどの小型機器に高密度実装が可能で、実装面積の削減に貢献します。

当社は今後もTCK42xGシリーズの開発を継続し、全6品種をシリーズに投入する予定です。TCK42xGシリーズでは、過電圧保護5Vから24Vの入力電圧に対応する予定です。ゲート出力電圧は外付けMOSFEETのゲート・ソース間電圧に応じて5.6Vと10Vの2種類を用意します。応用機器に合わせて過電圧保護機能、ゲート出力電圧の選択が可能になります。

[注1] MOSFETゲートドライバーICにおいて。2022年2月現在、当社調べ。
[注2] 1.2mm x 0.8mmのチップスケールパッケージ

応用機器

• ウエアラブル端末
• スマートフォン
• ノートブックPC、タブレットデバイス
• ストレージ機器など

新シリーズの主な特長

• チャージポンプ回路を内蔵し入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定(5.6V、10V)
• 過電圧保護は5V～24Vに対応
• 低入力オフ電流 : I_Q(OFF)= 0.5μA (max) @V_IN=5V、T_a= －40～85°C

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番			TCK421G
パッケージ	名称		WCSP6G
	サイズ (mm)		1.2×0.8 (typ.)、 t=0.35 (max)
動作範囲	入力動作電圧 VIN (V)	@Ta= －40～85°C	2.7～28
電気的特性	入力低電圧誤動作防止(UVLO) しきい値電圧 VOUT下降時 VIN_UVLO typ./max (V)	maxは@Ta= －40～85°C	2.0/2.5
	入力低電圧誤動作防止(UVLO) ヒステリシス電圧 VIN_UVhyst typ. (V)	–	0.2
	入力過電圧検出(OVLO) しきい値電圧 VOUT下降時 VIN_OVLO min/max (V)	@Ta= －40～85°C	22.34/24.05
	入力過電圧検出(OVLO) ヒステリシス電圧 VIN_OVhyst typ. (V)	–	0.12
	消費電流 (オン状態)^[注３] IQ(ON) typ. (μA)	@VIN=5V	140
		@VIN=12V	185
	スタンバイ電流 (オフ状態) IQ(OFF) max (μA)	@VIN=5V、 Ta= －40～85°C	0.5
		@VIN=12V、 Ta= －40～85°C	0.9
	ゲートドライブ電圧 (VGATE1-VIN) (VGATE2-VIN) VGS min/typ./max (V)	@VIN=2.7V	8/9.2/10
		@VIN=5V	9/10/11
		@VIN=9V	9/10/11
		@VIN=12V	9/10/11
		@VIN=20V	9/10/11
	VGSオン時間 tON typ. (ms)	@VIN=5V、 CGATE1,2=4000pF	2.9
	VGSオフ時間 tOFF typ. (μs)	@VIN=5V、 CGATE1,2=4000pF	52
	入力過電圧検出(OVLO) VGSオフ時間 tOVP typ. (μs)	@CGATE1,2=4000pF	34
在庫検索 ＆ Web少量購入			Buy Online

[注３] コントロール端子電流 (I_CT) は含まれていません。

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TCK421G
TCK42xGシリーズ

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TCK421G

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