-

东芝基于模型开发的新型仿真技术将汽车半导体的验证时间缩短约90%

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)开发了一种基于模型的开发(MBD)仿真技术,可将汽车半导体的验证时间缩短约90%。[1]该技术使汽车设备开发人员能够快速评估使用东芝汽车半导体的设计,从而有助于缩短开发时间。

随着电动汽车的普及和高级驾驶辅助系统成为标准,汽车设备变得越来越先进和复杂。基于模型的开发是一种使用软件来实时模拟模型和评估性能的开发方法,可帮助产品开发人员完善复杂的设计流程。在汽车行业,MBD能够在制造原型之前同步推进设计和验证,为开发进步做出贡献。

MBD将功能分成若干块,并通过连接每个块来验证车辆的整体行为。热量和电磁干扰(EMI)是评估汽车设备性能的基本参数,验证这两个参数需要包含单个模块中半导体行为的详细仿真模型。然而,随着模型变得更加详细和精确,验证时间也越来越长。

东芝仔细研究了其当前汽车设备的评估和验证技术。电动助力转向等子系统包括以微秒为单位工作的基于半导体的电子电路,以及以毫秒为单位工作的机械部件、齿轮和轴。东芝目前的技术以微秒为基础同时模拟电子电路和机械部件,但这会导致机械组件中出现大量不必要且耗时的计算。这项技术也很复杂,因为它采用了SPICE模型(以集成电路重点的仿真程序),该模型定义了100多个用于半导体行为仿真的参数。

东芝的新建模技术“Accu-ROMTM”能够分别计算电子电路和机械部件。它首先验证机械组件,然后简化机械组件的模型,最后验证包括电路在内的整个系统。这种方法消除了不必要的计算。在评估电路时,该模型会根据SPICE模型自动生成超高速集成电路硬件描述语言-模拟混合信号(VHDL-AMS)模型。VHDL-AMS模型能够将验证范围限制在热量和EMI噪音等基本参数上,从而缩短验证时间。例如,使用东芝当前技术验证动力转向系统需要32小时51分钟,而新技术只需3小时27分钟[1]。

东芝将利用这项新技术促进高散热和低噪音汽车半导体的发展,并为客户提供更易于使用东芝产品的开发环境。除了汽车应用外,东芝还将半导体中的这项新技术用于其他应用,如工业设备和家用电器。

注
[1] 汽车电动助力转向系统右转弯时三相逆变器电路仿真验证时间,持续时间为6秒。

* Accu-ROM™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
* 本新闻稿提及的所有其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球各地的2.2万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过7,100亿日元(65亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。
如需了解更多信息,请访问: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
Motohiro Ajioka
企业传播与市场情报组
业务规划部
东芝电子元件及存储装置株式会社
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

媒体垂询:
Motohiro Ajioka
企业传播与市场情报组
业务规划部
东芝电子元件及存储装置株式会社
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出具备高浪涌电流能力的3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩展了其产品阵容,推出适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等工业设备的双SiC MOSFET模块——“IX800FXF2YMS4”。该新型模块采用Toshiba第三代碳化硅(SiC) MOSFET芯片,漏源电压额定值为3300V,直流(DC)漏极电流额定值为800A。其规格中明确了二极管部分的I2t限值,该值是衡量浪涌电流能力的指标。 包括铁路牵引逆变器和变流器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备在内的工业设备制造商,必须不断满足对更高效率、更小体积和更高可靠性的日益增长的需求。在这些系统中,必须通过足够的浪涌电流承受能力来应对异常条件下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流。 IX800FXF2YMS4采用了优化的SiC芯片设计,其I2t特性达到300kA2s[1],该特性是衡量二极管部分在异常条件下浪涌电流能力的指标。 该模块的漏源导通电压(检测端)(VDS(on)sense...

Toshiba推出适用于工业设备48V电源线路保护的小型80V电子熔断器(eFuse IC)

川崎市,日本--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下简称“Toshiba”)在其具备多种内置电源线路保护功能的电子熔断器(eFuse IC)产品组合中新增了额定电压为80V的TCKE1401NM电子熔断器。该产品自今日起开始出货。 该新产品采用VQFN24D封装,这种业界领先[1]的80V额定电压电子熔断器小型封装,有助于提高电源线保护电路的安全性,并缩小工业设备的PCB尺寸。 随着对更高输出功率和更高效率的需求不断增长,48V电源系统在服务器、网络设备、工厂自动化设备、机器人及其他工业设备中的应用正日益普及。这一转变要求电源线保护电路具备高电压耐受能力及多种保护功能。 电子熔断器是一种半导体熔丝,用于保护下游电路免受异常电流、异常电压及其他故障状况的影响。除了传统物理熔丝[2]提供的短路保护外,它还将多种保护功能(包括过流保护、过压保护、反向电流阻断、输入反极性保护和热关断)集成到单个芯片中,从而实现了功能更强大且结构更紧凑的电源线保护电路。 TCKE14...

Toshiba开始出货TXZ+™系列入门级M4V组标准微控制器工程样品,搭载用于系统控制应用的Arm® Cortex®‑M4内核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入门级M4V组标准微控制器[1]。该系列产品搭载带浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-M4内核,可增强物联网设备和工业设备中的安全和数据管理功能。目前已开始提供工程样品。 消费类和工业设备广泛采用网络连接与空中下载(OTA)更新技术,在远程监控、控制、维护和设备更新方面带来了诸多便利,同时也凸显了防范未经授权访问及程序篡改的安全措施的重要性。此外,从开发到报废的整个产品生命周期中,对于软件资产保护、配置与日志数据管理以及系统稳定运行的需求也日益增长。 为满足这些需求,Toshiba开发了M4V组产品。这些产品在保持现有标准微控制器易用性和通用性的同时,增强了安全和数据管理功能。新产品采用多层安全架构[2],结合访问控制、存储器保护和执行控制功能,可提高系统整体安全,防止未经授权的访问和程序篡改。 这些微控制器基于带FPU的Arm® Cortex®-M4内核构...
Back to Newsroom