Teledyne e2v HiRel onthult twee krachtige GaN HEMT’s voor zijn 650 V-familie

Hoogspanning GaN HEMT’s voor hi-rel-toepassingen nu beschikbaar in versies met een lagere stroomsterkte van 15 A en 30 A.

MILPITAS, Californië--(BUSINESS WIRE)--Teledyne e2v HiRel voegt twee nieuwe, robuuste GaN-stroom HEMT’s (High Electron Mobility Transistors) toe aan zijn toonaangevende 650-volt, krachtige productfamilie op basis van GaN-systeemtechnologie.

Dit persbericht bevat multimedia. Bekijk de volledige release hier: https://www.businesswire.com/news/home/20210106005862/en/

De twee nieuwe krachtige HEMT’s, TDG650E30B en TDG650E15B, leveren lagere stroomprestaties van respectievelijk 30 en 15 ampère, terwijl de originele 650 V die vorig jaar werd geïntroduceerd, de TDG650E60, 60 A levert.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.