-

Power Integrations推出的适合SiC MOSFET的SCALE-iDriver已通过AEC-Q100汽车级认证

外形紧凑、坚固耐用的隔离型SiC MOSFET驱动器集成了有源钳位并且短路关断时间<2µs

美国加利福尼亚州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布,其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求,并具有先进的安全和保护特性。

SIC1182KQ (1200V)和SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver器件可驱动汽车应用中的SiC MOSFET,新产品具有轨到轨输出、快速门极开关速度、支持正负输出电压的单极供电电压、集成的功率和电压管理以及加强绝缘。重要安全特性包括漏源极(VDS)监测、电流检测读出、原方和副方欠压保护(UVLO)、限流门极驱动以及可确保在故障情况下安全工作和软关断的高级有源钳位(AAC)。AAC与VDS监控相结合,可确保在短路情况下的安全关断时间少于2µs。门极驱动控制和AAC特性可使门极电阻最小化,这有助于降低开关损耗,提高逆变器效率。

新器件将SCALE-iDriver的控制和安全特性与其高速FluxLink™通信技术的完美结合,与使用光耦器或电容性耦合器或磁性耦合器相比,Power Integrations为门极驱动器IC技术带来了革命性变化。这种组合极大地提高了绝缘能力,并且使用极少的外部器件即可实现安全可靠、高性价比的300kW以下逆变器设计。

Power Integrations汽车门极驱动器产品高级市场总监Michael Hornkamp表示:“碳化硅MOSFET技术打开了通向更轻便小巧的汽车逆变器系统的大门。开关速度和工作频率不断提高;我们的低门极电阻值可用来维持高开关效率,而我们的快速短路响应可在发生故障时为系统提供及时保护。”

“此外,SCALE-iDriver在绝缘强度方面为功能安全树立了新标准;即使功率器件导致了严重的驱动器故障,SCALE-iDriver的绝缘性能仍然完好无损,从而确保机箱的任何部分都不会有威胁生命的高压存在。”Hornkamp补充道。

新的单通道SIC118xKQ门极驱动器可提供高达8A的输出电流,并且适合标准门极-发射极电压最低为+15V,负电压范围介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有较强的外部磁场抗扰性能,采用紧凑的eSOP封装,可提供≥9.5mm的爬电距离和电气间隙,并且所采用的材料达到了最高CTI级(根据IEC 60112标准,CTI = 600)。新器件现已开始供货,以10,000片为单位订货,单价为5.39美元。相关技术信息请见Power Integrations网站:http://www.power.com/products/scale-idriver-ic-family/sic118xkq/

关于Power Integrations

Power Integrations, Inc.是高压电源转换领域半导体技术的知名创新者。该公司的产品是清洁能源生态系统内的关键组成部分,可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用中电能的有效传输和消耗。有关详细信息,请访问网站www.power.com

Power Integrations、SCALE、SCALE-iDriver和Power Integrations徽标是Power Integrations, Inc.的商标或注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

Contacts

媒体联系人
Peter Rogerson
Power Integrations, Inc.
(408) 414-8573
peter.rogerson@power.com

闻代理联系人
Nick Foot
BWW Communications
+44-1491-636 393
nick.foot@bwwcomms.com

Power Integrations, Inc.

NASDAQ:POWI


Contacts

媒体联系人
Peter Rogerson
Power Integrations, Inc.
(408) 414-8573
peter.rogerson@power.com

闻代理联系人
Nick Foot
BWW Communications
+44-1491-636 393
nick.foot@bwwcomms.com

More News From Power Integrations, Inc.

Power Integrations详述适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

美国加利福尼亚州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布一份新的技术白皮书,详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit),其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上,NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作,加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。 新白皮书详细阐述了Power Integrations业界首款1250V PowiGaN HEMT的性能优势,揭示了其经过实际应用验证的可靠性以及满足800VDC架构的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外,该白皮书还表明,与堆叠式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比,单个1250V PowiGaN开关可提供...

Power Integrations推出太阳能赛车专用参考设计,采用高效率氮化镓芯片

澳大利亚达尔文及美国加州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Power Integrations推出一款专为太阳能赛车量身定制的参考设计套件。与此同时,37支学生队伍已整装待发,将参加于8月24日开始的普利司通世界太阳能挑战赛,穿越澳洲内陆地区。 该套件型号为RDK-85SLR,采用了PI™公司一款集成PowiGaN™氮化镓技术的芯片InnoSwitch™3-AQ。其设计灵感来自PI公司PowerPros℠在线支持工程师与苏黎世联邦理工学院aCentauri车队的合作成果。后者的85号“Silvretta”挑战级赛车将在本届比赛中使用该设计,从而最大化提升辅助电源的效率。 “全球各地每年都有成千上万的工程专业学生参与太阳能车竞赛,这些创新者将推动更加可持续的未来。”Power Integrations技术推广与培训总监Andy Smith表示,“我们提供这款参考套件,旨在帮助年轻工程师利用像PowiGaN这种最新、最高效率的技术,打造更优化的设计。” RDK-85SLR套件包含了设计一个46W电源所需的全部组件,可在短时间内提供高达80W的输出功率,非常适...

Power Integrations的1700V开关IC为800V纯电动汽车提供可靠性和节省空间的优势

德国纽伦堡--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- PCIM 2025 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布推出五款面向800V汽车应用的全新参考设计,这些参考设计基于该公司的1700V InnoSwitch™3-AQ反激式开关IC实现。这些设计涵盖16W至120W的功率水平,采用绕线式变压器或扁平的平面变压器,适用于汽车应用中的DC-DC母线变换、逆变器应急电源、电池管理和辅助系统电源等场景。其IC采用了Power Integrations的新型宽爬电距离InSOP™-28G封装,该封装可在初级侧施加1000VDC的高压,同时能够在2级污染的环境当中在引脚之间提供适当的爬电距离和电气间隙。 Power Integrations产品营销工程师Mike Stroka表示:“新型InSOP™-28G封装具有5.1mm的宽漏源极引脚爬电距离,可满足高压应用对增强安全性和可靠性的迫切需求。该封装提供了足够的隔离,无需喷涂三防漆,从而节省制造工艺步骤和相关的认证工作。InnoSwitch3-...
Back to Newsroom