キオクシア：第9世代BiCS FLASH™ 1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始

既存のメモリセル技術と新しいCMOS技術を融合し、高投資効率を実現

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、第9世代のBiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ技術を適用した1Tb（テラビット）TLC（Triple-Level-Cell、3ビット/セル）製品のサンプル出荷^（注1）を開始しました。本製品は、主にAI搭載PCやスマートフォンなど、低容量から中容量帯で高性能が求められるアプリケーションをターゲットとしています。

キオクシアは、革新的なCMOS directly Bonded to Array（CBA）技術^（注2）とOn Pitch Select Gate Drain（OPS）技術^（注3）を活用した独自の二軸の開発戦略のもと、既存世代のメモリセル技術と最新のCMOS技術を融合することで投資コストを抑えつつ高性能を実現する製品群（第9世代）と、積層数を増加させて大容量かつ高性能を実現する製品群（第10世代）の展開を進めています。

本製品は、第8世代をベースとした230層積層プロセスのメモリセル技術と、最新のCMOS技術を採用しています。これにより、NANDインターフェース速度は、第8世代比で第10世代と同等の33％向上となる4.8Gb/秒^（注4）を実現します。

今後も、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、グローバルなパートナーシップを強化しながらさらなる技術革新を追求し、AIインフラを支える製品を提供してまいります。

注1 本サンプルは製品評価を目的としており、量産品とは仕様が異なる場合があります。
注2 ウエハーボンディング技術を用いて、別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーを貼り合わせる技術。第8世代より採用。
注3 未使用のメモリホールを削除することにより、ビットラインを短くし、ワードラインの容量を減少させることが可能となる技術。第8世代より採用。
注4　1Gb/秒を1,000,000,000 ビット/秒として計算しています。各値は特定の試験環境及び条件により得られた値であり、使用する機器等の条件などによって変化します。

* 製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様を確認ください。（メモリ容量は1ギガビットを1,073,741,824 ビットとして計算しています。）
* リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります。
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