キオクシア：オンデバイスAIを実現可能にするUFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリ製品の出荷について

最新のJEDEC UFS 5.0規格に対応し、最大10 GB/sのシーケンシャルリード性能を提供

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、次世代のオンデバイスAI対応モバイル機器およびエッジデバイスに必要な性能、電力効率、および製品容量を実現するよう設計されたUFS^[注1] 5.0対応組み込み式フラッシュメモリの1 TBおよび512 GBの容量のサンプル出荷を開始しました。量産は2026年中を予定しています。キオクシア UFS 5.0製品は、自社開発のUFS 5.0コントローラーと第8世代 BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを組み合わせ、当社前世代品 ^[注2]と比較して性能、電力効率、パッケージングの改善を実現しています。

キオクシアUFS 5.0は最新のJEDEC UFS 5.0規格に準拠し、物理層にMIPI M-PHY version 6.0、プロトコルにUniPro version 3.0を採用し、HS-Gear6動作では、理論上最大1 laneあたり46.6 Gb/sのインターフェーススピードをサポート、2 lane では約10.8 GB/sの実効読み書き性能を実現します。これまで、LLMや他のAIワークロードがデータにアクセスする速さを制限していたUFSのリード性能を速めることでボトルネックを解消し、アプリケーションの読み込みを速くし、応答性を高め、オンデバイスAIアプリケーションでの高度なユーザー体験を可能にします。

新製品の主な仕様：

• シーケンシャルリード性能最大10 GB/s^[注3]
• シーケンシャルライト性能最大9.0 GB/s^[注4]
• 当社前世代品と比較して^[注2]電力効率が向上
• 熱制御機構の向上
• 当社前世代製品^[注2]よりも小型でコンパクトな7.5 × 13 mm BGAパッケージ
• 1 TBおよび512 GBの容量

キオクシアは、AI対応のモバイル機器およびエッジデバイスにおける大容量化、高性能化、電力効率向上に対する要求の高まりに応えるため、フラッシュメモリの技術革新を通じて、UFS製品のポートフォリオの拡充を続けています。キオクシアのUFS 5.0は、オンデバイスAIを搭載したプレミアムスマートフォン向けのみならず、AI対応タブレット、ゲームシステム、AR/VRデバイス、ロボット、スマートセキュリティーカメラ、およびデータ集約型AIワークロードのための高速ローカルストレージを必要とする産業用エッジアプリケーションにも適しています。8月4日から8月6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: the Future of Memory and Storage」でUFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリ製品の展示とデモを行う予定です。

関連リンク：
https://www.kioxia.com/ja-jp/business/memory/ufs.html

注1	UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
注2	当社の前世代UFS 4.1対応組み込み式フラッシュメモリの製品512 GB (製品型番: THGJFRT2G48BATV) / 1 TB (製品型番：THGJFRT3G88BATW) との比較。
注3	UFS5.0 512GBおよび1TB製品
注4	UFS5.0 1TB製品

*本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（メモリ容量は1 GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）
*1 Gbpsを1,000,000,000 ビット/秒、1 GB/sを1,000,000,000 バイト/秒として計算しています。
*リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります
*記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

お問い合わせ先：
国内特約店
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