-

Toshiba推出双通道标准数字隔离器,助力工业设备实现稳定高速隔离数据传输

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")面向工业设备推出了四款双通道高速标准数字隔离器。全新“DCL52xx00系列”产品具备100kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬态抗扰度(CMTI)和150Mbps(最大值)[2]的高速数据速率,可支持设备稳定运行。产品发货自即日起开始。

DCL520C00”和“DCL520D00”采用两个正向通道的通道配置,“DCL521C00”和“DCL521D00”则为一个正向通道和一个反向通道。这些全新双通道产品与此前发布的“DCL54xx01系列”四通道产品共同构成面向工业设备的标准数字隔离器产品线。随着这些新产品的加入,Toshiba的整体产品线现已涵盖14款产品,提供丰富的通道配置选择,有助于提升设计灵活性。

全新DCL52xx00系列产品采用Toshiba专有的磁耦合式隔离传输方法,可实现与DCL54xx01系列产品相同的100kV/μs(典型值)的高CMTI。这一特性可大幅提升隔离信号传输中输入与输出之间的抗电噪声能力,确保控制信号稳定传输,并有助于设备稳定运行。

此外,该系列产品还实现了0.8ns(典型值)[3]的低脉冲宽度失真和150Mbps(最大值)的高速数据速率。这些新产品适用于多通道高速通信应用场景,例如支持通用异步收发传输器(UART)[4]和I2C[5]通信的输入/输出(I/O)接口。

Toshiba已启动面向工业设备和汽车设备的标准数字隔离器量产工作。未来,公司将进一步扩充这两大领域的封装类型和通道数量选择,并将持续提供高品质隔离器件和光电耦合器,以满足工业和汽车设备对可靠性和实时数据传输的需求。

注:

[1]

测试条件:VI=VDDI或0V,VCM=1500V,Ta=25°C(VDDI为输入侧的DD1或VDD2

[2]

测试条件:VDD1=VDD2=2.25至5.5V,Ta=-40至125°C

[3]

测试条件:VDD1=VDD2=5V,Ta=25°C

[4]

UART(通用异步收发传输器),异步串行通信。无需时钟信号即可实现数据收发的通信方式。

[5]

I2C(集成电路间总线),同步串行通信。通过时钟信号同步实现数据收发的通信方式。

应用领域

  • 工业自动化系统(可编程逻辑控制器、I/O接口等)
  • 电机控制
  • 逆变器

产品特点

  • 双通道配置:
    两种正向通道;
    一种正向通道和一种反向通道
  • 高共模瞬态抗扰度:CMTI=100kV/μs(典型值)
  • 高速数据速率:t_bps=150Mbps(最大值)

主要规格

部件编号

DCL520C00

DCL520D00

DCL521C00

DCL521D00

通道数量
(正向:反向)

2
(2:0)

2
(2:0)

2
(1:1)

2
(1:1)

默认输出逻辑

封装

SOIC8-N

绝对
最大
额定值

工作温度Topr (°C)

-40至125

存储温度Tstg (°C)

-65至150

最大隔离

耐压(60秒)

BVS (Vrms)

Ta=25°C

最大值

3000

推荐
运行
条件

电源电压

VDD1, VDD2 (V)

Topr=-40至125°C

2.25至5.5

电气
特性

共模

瞬态抗扰度

CMTI (kV/μs)

VI=VDDI或0V,

VCM=1500V,

Ta=25°C

典型值

100

数据速率

t_bps (Mbps)

VDD1=VDD2=2.25或5.5V,

Ta=-40至125°C

最大值

150

脉冲宽度失真

PWD (ns)

VDD1=VDD2=5V,

Ta=25°C

典型值

0.8

传播延迟

tPHL, tPLH (ns)

典型值

10.9

样品检查及供应情况

在线购买

在线购买

在线购买

在线购买

请点击以下链接,了解有关新产品的更多信息。
DCL520C00
DCL520D00
DCL521C00
DCL521D00

请点击以下链接,了解有关Toshiba标准数字隔离器的更多信息。
标准数字隔离器

如需查看在线分销商处新产品的供应情况,请访问:
DCL520C00
在线购买
DCL520D00
在线购买
DCL521C00
在线购买
DCL521D00
在线购买

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系方式)为公告发布之日的最新信息,但如有更改,恕不另行通知。

关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

公司在全球的17,000名员工致力于最大限度提高产品价值,并促进与客户的密切合作,共同创造价值和开拓新市场。公司期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

如需了解更多信息,请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客户垂询:
光电子器件销售与营销部
电话:+81-44-548-2218
联系我们

媒体垂询:
C. Nagasawa
传播与市场情报部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客户垂询:
光电子器件销售与营销部
电话:+81-44-548-2218
联系我们

媒体垂询:
C. Nagasawa
传播与市场情报部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作温度达125°C的工业设备用四通道高速标准数字隔离器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工业设备用四通道高速标准数字隔离器,进一步扩充了其数字隔离器产品线。该系列包含10款新产品,均采用SOIC16-W封装,最高工作温度可达125°C。批量出货自即日起开始。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的广泛应用,使得设计可在高温条件下运行的工业设备成为可能。然而,在隔离信号传输中,输入和输出之间的电磁噪声可能会导致故障,这使得市场对能实现稳定控制信号传输、同时兼具高抗噪性与高可靠性的隔离器件的需求日益增长。 Toshiba新型数字隔离器支持高达125°C的最高工作温度。得益于公司专有的磁耦合隔离传输技术[1],该系列产品还实现了高达150kV/μs(典型值)[2]的高共模瞬态抗扰度(CMTI),从而助力设备稳定运行。 新产品提供多种通道配置:4个正向通道和0个反向通道;3个正向通道和1个反向通道;以及2个正向通道和2个反向通道。这种灵活性使其能够广泛...

Toshiba开始出货TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器工程样品,搭载用于系统控制应用的Arm® Cortex®-M4内核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器[1],这些微控制器搭载带有浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-M4内核。全新微控制器专为消费产品(如空调、洗衣机)以及工业设备(包括多功能打印机、工厂自动化系统)的小型系统控制应用而设计。Toshiba目前已开始提供这些新产品的工程样品。 随着现代消费产品和工业设备变得日益先进和多样化,用于系统控制的微控制器必须具备更强的实时处理能力与稳定性,支持简便的设计流程,提供长期运行所需的通用性,并具备足够的灵活性以支持衍生产品的开发。Toshiba已通过开发专为系统控制应用而设计的TXZ+™系列入门级M4H组微控制器来应对这些挑战,尤其注重其通用性。 这些全新微控制器被设计为入门级产品,可提供一系列基本功能。它们采用带有FPU的Arm® Cortex®-M4内核,最高工作频率达120MHz——这正是消费产品和工业设备所需的计算性能与响应...

Toshiba开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(简称“Toshiba”)今天宣布1200V沟槽栅SiC MOSFET产品“TW007D120E”的测试样品开始出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式人工智能(AI)的快速发展,电能消耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流(HVDC)架构部署的增加,推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求,Toshiba开发了TW007D120E,该产品将有助于降低功耗,并实现电源系统的小型化和更高效率。 TW007D120E采用Toshiba专有的沟槽栅结构[1],实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻(RDS(on)A);其通过更低的导通电阻降低导通损耗,同时实现更低的开关损耗。与Toshiba现有产品相比,TW007D120E将RDS(on)DS(on)A降低了约5...
Back to Newsroom