Dow presenta il gel siliconico DOWSIL™ EG-4175 e porta l'elettronica di potenza con livelli di tensione superiore nei veicoli elettrici e nelle tecnologie delle rinnovabili

Questo innovativo gel siliconico resiste a temperature fino a 180°C per la 'generazione 7' dei moduli IGBT

MIDLAND, Michigan--(BUSINESS WIRE)--Dow (NYSE: Dow) oggi ha lanciato il gel siliconico DOWSIL™ EG-4175, una soluzione protettiva ad alto grado di affidabilità per i moduli di transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di prossima generazione che funzionano con tensioni più elevate. Questo nuovo materiale avanzato resiste alle temperature più alte associate a questi IGBT e offre maggior affidabilità, meno perdite di potenza e più efficienza elettrica nelle batterie dei veicoli elettrici (EV) e negli inverter per i pannelli fotovoltaici (PV) e le turbine eoliche.

Il nuovo gel siliconico DOWSIL™ EG-4175 di Dow supporta temperature fino a 180°C e amplia il crescente portafoglio di soluzioni targate Dow destinate all'elettronica di potenza.

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