キオクシア：次世代モバイル機器向けUFS 4.1対応組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷について

オンデバイスAI機能付きスマートフォンなどのユーザー体験向上に貢献する高機能製品

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、オンデバイスAI機能を持つハイエンド・スマートフォンなど次世代モバイル機器向けに開発中の、UFS^[注1] 4.1に対応した組み込み式フラッシュメモリ (UFS 4.1製品) のサンプル出荷を開始しました。新製品は、当社前世代品^[注2] と比べてライト／リード性能や電力効率を向上させ、低消費電力ながらデータのダウンロードの高速化、アプリのスムーズな動作などを可能にし、ユーザー体験の向上に貢献します。

新しいUFS 4.1製品は、キオクシアの3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™とコントローラーをJEDEC規格の小型BGAパッケージに収めたものです。新製品はCMOS directly Bonded to Array（CBA）技術を活用した第8世代 BiCS FLASH^TM 3次元フラッシュメモリを採用しています^[注3]。CBA技術では、別々のウエハーで製造したCMOS回路とメモリセルアレイを貼り合わせることにより、フラッシュメモリの電力効率、性能、ビット密度の大幅な向上を実現しています。

新製品の主な仕様：

• 256 ギガバイト（GB）、512 GB、1 テラバイト（TB）の容量タイプをラインアップ
• 当社前世代品に比べて^[注2] ライト/リード速度は、ランダムライトが約30% (512 GB および 1 TB)、ランダムリードが約45% (512 GB)、約35% (1 TB)それぞれ向上
• 当社前世代品に比べて^[注2] 電力効率は、リードが約15% (512 GBおよび1 TB)、ライトが約20% (512 GBおよび1 TB)向上
• ホスト主導のデフラグメンテーション機能により、ガベージコレクションの実行タイミングを制御し、重要な場面での高速性能が維持可能
• WriteBooster バッファのリサイズ機能により、パフォーマンスを最適化する柔軟性を向上
• UFS 4.1規格に準拠
• 1 TBモデルのパッケージ高さを当社前世代品^[注4] より削減
• キオクシアの第8世代BiCS FLASH^TM 3次元フラッシュメモリ^[注3] を採用

関連リンク：
キオクシアのUFS 4.1製品の製品ページ
https://www.kioxia.com/ja-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html

[注1] UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
[注2] 当社の前世代UFS 4.0対応組み込み式フラッシュメモリの製品512 GB (製品型番:THGJFMT2E46BATV) / 1 TB (製品型番：THGJFMT3E86BATZ) との比較。512 GB / 1 TBモデルのみ。
[注3] 512 GB / 1 TBモデルのみ。
[注4] 当社の前世代UFS 4.0対応組み込み式フラッシュメモリの製品1 TB (製品型番：THGJFMT3E86BATZ) 。

*本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（メモリ容量は1 GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）

*リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります

*記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
国内特約店
https://www.kioxia.com/ja-jp/business/buy/sales-contacts.html

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