旭化成開發出面向先進半導體封裝的全新感光幹膜“SUNFORT™”

～面向AI伺服器的重新佈線層實現進一步微細化，採用LDI曝光實現1.0μm寬度圖形～

東京&密西根州，諾維&德國，杜塞爾多夫--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 旭化成株式會社（總公司：東京都千代田區，總經理：工藤幸四郎，以下簡稱“本公司”）(TOKYO:3407) 於2025年5月開發出可應用於AI伺服器等先進半導體封裝製造工藝的全新感光幹膜“SUNFORT™ TA系列”（以下簡稱“TA系列”）。感光幹膜是本公司電子業務的核心產品之一，而此次推出的“TA系列”旨在應對快速增長的下一代半導體封裝市場需求。該系列產品不僅適用于傳統的Stepper曝光設備_※1，還可對應LDI（鐳射直寫）曝光設備_※2，在兩種曝光方式下均能實現極高的圖案解析度，有助於在封裝工藝中提升基板微細線路圖案的成型性能。

本公司在《中期經營計畫2027 ～Trailblaze Together～》中將電子業務定位為重點增長業務之一。電子業務由電子材料業務和電子元件業務這兩部分組成，“SUNFORT™”是電子材料業務的核心產品之一。
用於AI伺服器等先進半導體封裝的仲介層（Interposer）_※3及封裝基板，不僅需要具備大面積、高多層的結構特性，同時對高密度微細線路的形成技術也有很高要求。作為形成這些微細線路的再配線層（RDL），長期以來由於解析度的限制，液態光刻膠一直為主流材料。然而，相較於液態光刻膠，感光幹膜在適配面板尺寸、易操作性、可同時對基板正反面進行處理等方面具有顯著優勢。儘管如此，由於解析度不足，感光幹膜一直未能應用于RDL的形成工藝中。
本次基於多年積累的感光性材料技術和全新的材料設計開發而成的“TA系列”產品，在RDL形成所需的4μm節距設計條件下，可通過LDI曝光實現1.0μm線寬的圖案形成，是非常適用於面板級封裝_※4等微細配線形成的感光幹膜材料（見圖a、b）。所形成的微細光刻圖案，經過SAP（加成法）_※5電鍍圖案形成工藝以及後續光刻膠剝離步驟後，可在4μm節距設計條件下實現3μm線寬的電鍍圖案形成（見圖c）。

此外，“TA系列”亦可對應傳統的Stepper曝光方式，為日益多樣化的微細線路形成工藝提供新的選擇。

今後，本公司的感光幹膜“SUNFORT™”將繼續為伴隨面板尺寸大型化而日益重要的面板級封裝技術開發作出貢獻。

參考：感光幹膜“SUNFORT™”的詳細資訊，請參閱網頁
https://www.asahi-kasei.co.jp/sunfort/en/products/ta.html。

※1：也稱為“步進式曝光裝置”，是一種將玻璃光罩上的圖案以縮小投影方式曝光至晶圓上的方法。
※2：利用雷射技術，在基板上實現高速且高精度曝光的方法。
※3：用於連接半導體晶片和電子元器件的中間基板。
※4：在半導體晶片封裝過程中，與傳統的圓形晶圓不同，採用大型方形面板基板的先進封裝技術。
※5：在種子層（化學鍍銅或濺射銅）上用抗蝕膜形成非線路圖案，通過電鍍形成線路，隨後通過蝕刻去除多餘種子層的工藝方法。