Der Dual-Power-Supply-SPI NOR Flash von GigaDevice für 1,2-V-SoCs halbiert die Leistungsaufnahme während des Lesevorgangs

GD25NE kombiniert die Core-Spannung von 1,8 V mit einer I/O-Spannung von 1,2 V und macht so nicht nur die Boost-Schaltung überflüssig, sondern beschleunigt auch den Lese-, Programmier- und Löschvorgang

NÜRNBERG, Deutschland--(BUSINESS WIRE)--GigaDevice, ein führendes Halbleiterunternehmen, das sich auf Flash-Speicher, 32-Bit-Mikrocontroller (MCUs), Sensoren, analoge Produkte und Lösungen spezialisiert hat, stellte jetzt mit der GD25NE-Serie eine Produktfamilie von Dual-Power-Supply-SPI NOR Flash-Lösungen vor, die speziell für 1,2-V-System-on-Chip-Anwendungen (SoC-Anwendungen) konzipiert ist.

Die GD25NE-Serie stärkt den strategischen GigaDevice-Technologiefahrplan im Bereich der Dual-Power-Supply-Flash-Speicher, sorgt für nahtlose Kompatibilität mit den 1,2-V-SoCs der nächsten Generation und kommt ganz ohne eine externe Booster-Schaltung aus. Mit ihrer höheren Leistungsfähigkeit und ihrer geringeren Leistungsaufnahme bedient die GD25NE-Serie die wachsende Nachfrage nach forschrittlichen Embedded-Speicherlösungen und wird damit zur idealen Wahl für am Köper tragbare elektronische Geräte (Wearables) sowie Anwendungen im Gesundheitswesen, im Internet der Dinge (IoT), in Rechenzentren und im Edge-KI-Computing.

Durch die Kombination einer Core-Spannung von 1,8 V mit einer Spannung von 1,2 V auf I/O-Schnittstellenebene unterstützt die GD25NE-Serie die Betriebsarten Einfach-, Doppel- und Vierfach-STR (Single Transfer Rate) und Vierfach-DTR (Double Transfer Rate). Sie erreicht hohe Taktfrequenzen von bis zu 133 MHz im STR-Modus und 104 MHz im DTR-Modus.

Mit einer typischen Page-Programmierzeit von 0,15 ms und einer Sektor-Löschzeit von 30 ms übertrifft die GD25NE-Serie herkömmliche Flash-Lösungen deutlich, die nur mit 1,2 V arbeiten: Sie bietet bis zu 20% schnellere Lesevorgänge, eine um 60% höhere Programmiergeschwingigkeit und eine um 30% verkürzte Löschzeit. Aufgrund dieser Vorteile ist die GD25NE-Serie eine ausgezeichnete Wahl für die derzeit aufkommenden Embedded-Anwendungen.

Die GD25NE-Serie hat konzeptbedingt eine extrem niedrige Leistungsaufnahme und eignet sich daher ideal für energiesensible Anwendungen. Sie hat einen sehr niedrigen Power-down-Strom von typisch gerade einmal 0,2 µA, einen Vierfach-I/O-DTR-Lesestrom von 9 mA bei 104 MHz und Programmier- bzw. Löschströme von nur 8 mA. Im Vergleich zu konventionellen 1,8-V-Lösungen senkt das 1,2-V-Konzept die Leistungsaufnahme um bis zu 50%. Diese Energieoptimerung steigert nicht nur die Energieeffizienz, sondern vereinfacht auch das Systemdesign, und das bei höherer Leistungsfähigkeit.

„Die GD25NE-Serie stellt eine neue Klasse von Dual-Supply-SPI NOR Flash-Speichern dar, die ein optimales Verhältnis zwischen hoher Leistungsfähigkeit und ultraniedrigem Energieverbrauch bieten”, sagte Ruwei Su, Vice President und General Manager Flash BU bei GigaDevice. „Mit ihrem erheblich reduzierten Stromverbrauch, ihren höheren Lesegeschwindigkeiten und ihrer höheren Effizienz im Programmier- und Löschmodus erfüllt diese Lösung die sich ständig weiterentwickelnden Anforderungen der 1,2-V-SoCs der nächsten Generation. Im Kontext unseres ständigen Engagements für Innovation werden wir unser Portfolio auch in Zukunft stetig erweitern und unseren Kunden noch effizientere, zuverlässige und zukunftssichere Flash-Lösungen für neue, hochmoderne Anwendungen zur Verfügung stellen.”

Die GD25NE-Serie wird mit unterschiedlichen Speicherdichten im Bereich von 32 Mbit bis 256 Mbit angeboten und unterstützt die Gehäuseoptionen SOP16 (300 mil) und BGA24 (5×5 Ball Grid Array). Muster des ersten Produkts der Serie, des 256 Mbit großen GD25NE256H, sind ab sofort erhältlich. Der Rest der Produktserie von 32 Mbit bis 128 Mbit Dichte wird folgen. Spezifische Einzelheiten sowie Preisangaben zu diesen Produkten erhalten Sie auf Anfrage von Ihren lokalen Vertriebspartnern.

Über GigaDevice

GigaDevice Semiconductor Inc. (SSE Stock Code 603986) ist ein weltweit führender Fabless-Anbieter. Das Unternehmen wurde im April 2005 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Peking, China, mit Niederlassungen in vielen Ländern und Regionen weltweit, die den Kunden vor Ort Unterstützung bieten.

GigaDevice hat sich dem Aufbau eines vollständigen Ökosystems mit vier Hauptproduktlinien – Flash-Speicher, MCU, Sensor und Analog – als treibende Kraft verschrieben und kann eine breite Palette von Lösungen und Dienstleistungen in den Bereichen Industrie, Automobil, Computer, Unterhaltungselektronik, IoT, Mobilfunk, Netzwerke und Kommunikation anbieten. GigaDevice hat die ISO26262:2018-Zertifizierung für funktionale Sicherheit in der Automobilindustrie ASIL D, die IEC 61508-Zertifizierung für funktionale Sicherheit in der Produktion sowie die Zertifizierungen nach ISO9001, ISO14001, ISO45001 und Duns erhalten. In dem ständigen Bestreben, das Technologieangebot für Kunden zu erweitern, hat GigaDevice auch strategische Allianzen mit führenden Foundries (Halbleiter-Fertigungsbetrieben) sowie Montage- und Testanlagen geschlossen, um das Lieferkettenmanagement zu optimieren. Weitere Informationen finden Sie unter www.gigadevice.com

*GigaDevice und seine Logos sind Marken oder eingetragene Marken von GigaDevice Semiconductor Inc. Andere Namen und Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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