-

Kioxia和MoDeCH开发三维探测系统

对高达110 GHz的三维结构进行高频特性测量

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 9月26日,在欧洲微波大会(EuMC)上,存储器解决方案领域的全球领导者Kioxia Corporation和领先的建模和设计技术开发商MoDeCH Inc.宣布开发业界首个探测系统,用于对高达110 GHz的三维(3D)物体进行高频特性测量(1)

在过去,数据中心的固态硬盘(SSD)会被插入处理器主板上的高速接口连接器。在这种情况下,PCIe®等高速接口的传输线采用3D结构,通过正交卡边缘连接器从处理器的主板延伸到SSD中的印刷电路板(PCB)(图1)。这种3D结构的高频特性通常通过模拟来评估。借助新开发的3D探测系统,现在首次可以直接测量高达110 GHz的3D结构的特性。

Kioxia和MoDeCH开发了一个3D探针台来测量3D结构的高频特性(图2)。该探针台包含一个内置机构,该机构将高频探头和扩频器一起旋转,与3D结构接触以进行测量。

此外,两家公司还为单个3D结构开发了通孔标准(图3),以准确测量高频特性。为了评估垂直弯曲的3D结构,在柔性基板上创建了一个通孔,该基板使用夹具垂直弯曲并固定到位以创建标准通孔。

新开发的3D探测系统使用开发的3D探测系统和3D结构的通孔标准,成功测量了使用正交连接器连接的两块PCB上高达110 GHz的两条传输线的高频特性(图4)。

这项行业首创的开发是日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)委托的“后5G信息和通信系统增强型基础设施研发项目”(JPNP 20017)的成果。


1. Y. Sakuraba等,“用于三维物体S参数测量的110 GHz探测系统”(A 110-GHz Probing System for S-parameter Measurements of Three-Dimensional Objects),2024年欧洲微波大会(EuMC 2024),EuMC46-4
本新闻稿中使用的图片来自该论文。

* 所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

关于MoDeCH

MoDeCH是一家面向电子行业的建模和设计技术开发商。该公司提供电子元件的模型创建、半导体和无源器件建模、电路设计支持和分析并开发测量软件,从而帮助企业实现制造服务的数字化。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory,于2017年4月从1987年发明了NAND闪存的公司Toshiba Corporation剥离出来。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心)的未来。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Kota Yamaji
公共关系
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation LogoKioxia Corporation Logo

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
公共关系
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Kioxia将在北上工厂新建Fab3以扩大3D闪存产能

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球领先的存储解决方案提供商Kioxia Corporation今日宣布,已启动位于日本岩手县北上工厂的全新先进制造设施Fab3的场地准备及其他相关建设工作,以扩大其先进三维闪存BiCS FLASH™的产能。Fab3将建于Fab2南侧地块,预计将于2029财年开始运营。 在智能体AI、物理AI和设备端AI的驱动下,闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。通过建设Fab3,Kioxia旨在扩大生产并确保尖端闪存产品的稳定供应,从而满足不断增长的市场需求。 Fab3的建设进度和设备投资等详细计划将根据市场趋势确定。Fab3的投资计划取决于政府的支持。 秉承“提升世界的‘记忆’”的使命,Kioxia将继续致力于把握不断增长的需求、进行战略性资本投资,并追求稳健和可持续的增长。 免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。...

KIOXIA GP系列超高IOPS SSD荣获2026年FMS:未来内存与存储展“最佳展品”大奖

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其KIOXIA GP系列PCIe® NVMe™ SSD已荣获FMS:未来内存与存储展“专业存储”类别的“最佳展品”大奖。“最佳展品”奖旨在表彰卓越的产品与解决方案,嘉奖那些正在塑造内存与存储行业未来的企业与技术。 KIOXIA GP1 PCIe 6.0 SSD是GP系列的一员,专为AI基础设施打造,也是业界首款*1专为GPU直接访问优化的超高IOPS PCIe® SSD。它搭载了KIOXIA XL-FLASH™第二代低延迟闪存,在512字节数据访问下可提供高达1000万随机读取IOPS*2,让闪存能够作为高性能内存扩展层,帮助提升AI工作负载的GPU利用率。 未来内存与存储展大会总监George Mullins表示:“随着AI基础设施不断演进,存储正成为下一代系统架构的关键推动因素。KIOXIA GP系列体现了KIOXIA在闪存和AI存储技术上的持续创新。通过以前瞻性的存储架构满足新兴的AI基础设施需求,KIOXIA GP系列荣获今年FMS‘专业存储’类别的‘最佳展品’奖可谓实...

Kioxia与Sandisk推出全新3D闪存技术,实现业界最高的QLC NAND比特密度

加州圣克拉拉--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 未来内存与存储大会(FMS)——Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)旗下子公司Kioxia Corporation与Sandisk Corporation (Nasdaq: SNDK)今日联合发布其新一代四层单元(QLC) 3D闪存技术。与第八代产品相比,该技术的比特密度提升高达60%,突破37 Gb/mm²,树立了比特密度、性能和能效的行业标杆1。 新一代技术利用两家公司革命性的CMOS直接键合至阵列(CBA)技术2,将CMOS逻辑电路和存储阵列分别在不同的晶圆上制造,然后通过高精度的晶圆对晶圆对准将它们键合在一起,与第八代3D闪存相比,提高了读写带宽,并成为业界首款达到4.8 Gb/s3接口的QLC 3D闪存技术。 此外,额外的接口改进提升了I/O数据输出的传输能效。这些大幅度的能效升级直接解决了现代AI和云基础设施面临的功耗与散热挑战。 Kioxia首席技术官Hideshi Miyajima表示:“随着AI持续支撑社会的进步,其应用正从生成式AI扩展到基于智能体的...
Back to Newsroom