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東芝：産業用電力機器の高効率化に貢献する当社第３世代SiC ショットキーバリアダイオードに1200V耐圧品を追加

original 東芝：第３世代SiC ショットキーバリアダイオード 1200V耐圧品 （画像：ビジネスワイヤ）

東芝：第３世代SiC ショットキーバリアダイオード 1200V耐圧品 （画像：ビジネスワイヤ）

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、太陽光インバーターやEV充電スタンド、スイッチング電源などの産業用機器に向けた、当社第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD)に、1200V耐圧品「TRSxxx120Hxシリーズ」を追加しました。TO-247-2Lパッケージの5製品とTO-247パッケージの5製品、計10製品の出荷を本日から開始します。

新シリーズは、第３世代650V SiC SBDの改良型ジャンクションバリアショットキー(JBS)構造[注1]を採用した1200V耐圧展開品です。新規ショットキーメタル[注2]を採用することで、業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧1.27V (typ.)、低い総電荷量、そして低い逆電流を実現しました。これにより、より大容量の機器の電力損失を大幅に低減します。

当社は今後もSiCパワーデバイスのラインアップ拡充を行い、産業用電力機器の高効率化(電力損失低減)に貢献します。

[注1] 改良型JBS構造：ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できるJBS構造に、高電流における順方向電圧を低減できるMPS(Merged PiN Schottky)構造を取り込んだ構造。
[注2] ショットキーメタル：ショットキーバリアダイオードで、半導体と接合される金属のこと。
[注3] 1200V耐圧SiC SBDにおいて。2024年9月現在、当社調べ。

応用機器

  • 太陽光発電用インバーター
  • EV充電スタンド
  • 産業用スイッチング電源、UPS

新製品の主な特長

  • 第3世代 SiC SBD 1200V耐圧展開製品
  • 業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧：VF＝1.27V (typ.) (IF=IF(DC))
  • 低い総電荷量：
    TRS20H120Hの場合 QC=109nC(typ.) (VR=800V, f=1MHz)
  • 低い逆電流：
    TRS20H120Hの場合 IR＝2.0μA (typ.) (VR=1200V)

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

在庫検索＆Web少量購入

繰り返し

ピーク

逆電圧

VRRM

(V)

直流

順電流

IF(DC)

(A)

非繰り返し

ピーク順電流

IFSM

(A)

順電圧

(パルス

測定)

VF

(V)

逆電流

(パルス

測定)

IR

(μA)

総電

荷量

QC

(nC)

 

温度

条件

Tc

(°C)

f=50Hz

(正弦半波、

t=10ms)、

Tc=25°C

IF=IF(DC)

VR=1200V

VR=800V、f=1MHz

Typ.

Typ.

Typ.

TRS10H120H

TO-247-2L

1200

10

160

80

1.27

1.0

61

Buy Online

TRS15H120H

15

157

110

1.4

89

Buy Online

TRS20H120H

20

155

140

2.0

109

Buy Online

TRS30H120H

30

150

210

2.8

162

Buy Online

TRS40H120H

40

147

270

3.6

220

Buy Online

TRS10N120HB

TO-247

5 (Per leg)

10 (Both legs)

160

40 (Per leg)

80 (Both legs)

1.27

(Per leg)

0.5

(Per leg)

30

(Per leg)

Buy Online

TRS15N120HB

7.5 (Per leg)

15 (Both legs)

157

55 (Per leg)

110 (Both legs)

0.7

(Per leg)

43

(Per leg)

Buy Online

TRS20N120HB

10 (Per leg)

20 (Both legs)

155

70 (Per leg)

140 (Both legs)

1.0

(Per leg)

57

(Per leg)

Buy Online

TRS30N120HB

15 (Per leg)

30 (Both legs)

150

105 (Per leg)

210 (Both legs)

1.4

(Per leg)

80

(Per leg)

Buy Online

TRS40N120HB

20 (Per leg)

40 (Both legs)

147

135 (Per leg)

270 (Both legs)

1.8

(Per leg)

108

(Per leg)

Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB
TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
TRS40N120HB

当社のSiCショットキーバリアダイオードの詳細については、下記ページをご覧ください。
SiCショットキーバリアダイオード
第3世代SiCショットキーバリアダイオード (SBD)(技術記事)

当社のSiCパワーデバイスの詳細についてはては、下記ページをご覧ください。
SiCパワーデバイス

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TRS10H120H
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TRS15H120H
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TRS20H120H
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TRS30H120H
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TRS40H120H
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TRS10N120HB
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TRS15N120HB
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お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワー＆小信号営業推進第一部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Industry:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

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