東芝：産業用電力機器の高効率化に貢献する当社第３世代SiC ショットキーバリアダイオードに1200V耐圧品を追加
東芝：産業用電力機器の高効率化に貢献する当社第３世代SiC ショットキーバリアダイオードに1200V耐圧品を追加
川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、太陽光インバーターやEV充電スタンド、スイッチング電源などの産業用機器に向けた、当社第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD)に、1200V耐圧品「TRSxxx120Hxシリーズ」を追加しました。TO-247-2Lパッケージの5製品とTO-247パッケージの5製品、計10製品の出荷を本日から開始します。
新シリーズは、第３世代650V SiC SBDの改良型ジャンクションバリアショットキー(JBS)構造[注1]を採用した1200V耐圧展開品です。新規ショットキーメタル[注2]を採用することで、業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧1.27V (typ.)、低い総電荷量、そして低い逆電流を実現しました。これにより、より大容量の機器の電力損失を大幅に低減します。
当社は今後もSiCパワーデバイスのラインアップ拡充を行い、産業用電力機器の高効率化(電力損失低減)に貢献します。
[注1] 改良型JBS構造：ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できるJBS構造に、高電流における順方向電圧を低減できるMPS(Merged PiN Schottky)構造を取り込んだ構造。
[注2] ショットキーメタル：ショットキーバリアダイオードで、半導体と接合される金属のこと。
[注3] 1200V耐圧SiC SBDにおいて。2024年9月現在、当社調べ。
応用機器
- 太陽光発電用インバーター
- EV充電スタンド
- 産業用スイッチング電源、UPS
新製品の主な特長
- 第3世代 SiC SBD 1200V耐圧展開製品
- 業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧：VF＝1.27V (typ.) (IF=IF(DC))
-
低い総電荷量：
TRS20H120Hの場合 QC=109nC(typ.) (VR=800V, f=1MHz) -
低い逆電流：
TRS20H120Hの場合 IR＝2.0μA (typ.) (VR=1200V)
新製品の主な仕様 |
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(特に指定のない限り、Ta=25°C) |
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品番 |
パッケージ |
絶対最大定格 |
電気的特性 |
在庫検索＆Web少量購入 |
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繰り返し ピーク 逆電圧 VRRM (V) |
直流 順電流 IF(DC) (A) |
非繰り返し ピーク順電流 IFSM (A) |
順電圧 (パルス 測定) VF (V) |
逆電流 (パルス 測定) IR (μA) |
総電 荷量 QC (nC) |
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|
温度 条件 Tc (°C) |
f=50Hz (正弦半波、 t=10ms)、 Tc=25°C |
IF=IF(DC) |
VR=1200V |
VR=800V、f=1MHz |
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Typ. |
Typ. |
Typ. |
|||||||
TO-247-2L |
1200 |
10 |
160 |
80 |
1.27 |
1.0 |
61 |
||
15 |
157 |
110 |
1.4 |
89 |
|||||
20 |
155 |
140 |
2.0 |
109 |
|||||
30 |
150 |
210 |
2.8 |
162 |
|||||
40 |
147 |
270 |
3.6 |
220 |
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TO-247 |
5 (Per leg) 10 (Both legs) |
160 |
40 (Per leg) 80 (Both legs) |
1.27 (Per leg) |
0.5 (Per leg) |
30 (Per leg) |
|||
7.5 (Per leg) 15 (Both legs) |
157 |
55 (Per leg) 110 (Both legs) |
0.7 (Per leg) |
43 (Per leg) |
|||||
10 (Per leg) 20 (Both legs) |
155 |
70 (Per leg) 140 (Both legs) |
1.0 (Per leg) |
57 (Per leg) |
|||||
15 (Per leg) 30 (Both legs) |
150 |
105 (Per leg) 210 (Both legs) |
1.4 (Per leg) |
80 (Per leg) |
|||||
20 (Per leg) 40 (Both legs) |
147 |
135 (Per leg) 270 (Both legs) |
1.8 (Per leg) |
108 (Per leg) |
|||||
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB
TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
TRS40N120HB
当社のSiCショットキーバリアダイオードの詳細については、下記ページをご覧ください。
SiCショットキーバリアダイオード
第3世代SiCショットキーバリアダイオード (SBD)(技術記事)
当社のSiCパワーデバイスの詳細についてはては、下記ページをご覧ください。
SiCパワーデバイス
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
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パワー＆小信号営業推進第一部
Tel: 044-548-2216
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東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
