Toshiba开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC) MOSFET模块，为工业设备的高效率和小型化做出贡献

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")开发出业界首款^[1]工业设备用2200V双碳化硅(SiC) MOSFET模块“MG250YD2YMS3 ”。新模块的漏极电流(DC)额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET芯片。它适用于使用DC1500V的应用，如光伏发电系统和储能系统。批量出货于即日起启动。

类似上述的工业应用通常使用DC1000V或更低的功率，其功率器件大多为1200V或1700V产品。然而，Toshiba预计未来几年DC1500V将得到广泛应用，并已推出业内首款2200V产品。

MG250YD2YMS3导通损耗低，漏极-源极导通电压（感应端）低至0.7V（典型值）^[2]。它还具有较低的导通和关断开关损耗，分别为14mJ（典型值）^[3]和11mJ（典型值）^[3]，与典型的硅(Si) IGBT相比降低了约90%^[4]。这些特性有助于提高设备效率。低开关损耗还可以将传统的三电平电路替换为模块数量更少的两电平电路，从而促进设备的小型化。

Toshiba将继续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

注释：
[1] 双碳化硅MOSFET模块。Toshiba调查，截至2023年8月。
[2] 测试条件：I_D=250A，V_GS=+20V，T_ch=25°C
[3] 测试条件：V_DD=1100V，I_D=250A，T_ch=150°C
[4] 截至2023年8月，Toshiba对2300V硅模块和新型全碳化硅MOSFET模块MG250YD2YMS3的开关损耗进行的比较（2300V硅模块的性能值是Toshiba根据2023年3月或之前发表的论文估算的。）

应用
工业设备
- 可再生能源发电系统（光伏发电系统等）
- 储能系统
- 工业设备的电机控制设备
- 高频直流-直流转换器等

特性

• 低漏极-源极导通电压（感应端）：
  V_DS(on)sense=0.7V（典型值）(I_D=250A, V_GS=+20V, T_ch=25°C)
• 低导通开关损耗：
  E_on=14mJ（典型值）(V_DD=1100V, I_D=250A, T_ch=150°C)
• 低关断开关损耗：
  E_off=11mJ（典型值）(V_DD=1100V, I_D=250A, T_ch=150°C)
• 低杂散电感：
  L_sPN=12nH（典型值）

主要规格
（除非另有说明，否则Tc=25°C）
型号				MG250YD2YMS3
Toshiba封装名称				2-153A1A
绝对 最大 额定值	漏源电压VDSS (V)			2200
	栅极-源极电压VGSS (V)			+25 / -10
	漏极电流（直流）ID (A)			250
	漏极电流（脉冲）IDP (A)			500
	通道温度Tch (°C)			150
	隔离电压Visol (Vrms)			4000
电气 特性	漏极-源极导通电压（感应端） VDS(on)sense (V)	ID=250A, VGS=+20V, Tch＝25°C	典型值	0.7
	源极-漏极导通电压（感应端） VSD(on)sense (V)	IS=250A, VGS=+20V, Tch＝25°C	典型值	0.7
	源漏关断电压（感应端） VSD(off)sense (V)	IS＝250A, VGS=-6V, Tch＝25°C	典型值	1.6
	导通开关损耗 Eon (mJ)	VDD=1100V, ID=250A, Tch＝150°C	典型值	14
	关断开关损耗 Eoff (mJ)		典型值	11
	杂散电感LsPN (nH)		典型值	12

访问以下链接，详细了解新产品。
MG250YD2YMS3

访问以下链接，详细了解Toshiba的SiC功率器件。
SiC功率器件

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商，依托半个多世纪的经验与创新优势，为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
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