トランスフォームが、SuperGaN FET向けの低コストのドライバー ソリューションを発表

トランスフォームのSuperGaN FETが、単純なハーフブリッジ・ゲートドライバーを使用して最大99%の効率を達成し、出力1キロワットを超える広い電力範囲のコスト効率の高い設計オプションを提供

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ）トランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで、世界をリードするサプライヤーです。同社は、高性能で低コストのドライバー・ソリューションの詳細情報を発表しました。LED照明、充電、マイクロインバーター、UPS、ゲーム用コンピューターなどの小中電力アプリケーションで使用する場合、この設計オプションは、30億ドルの電力市場セグメントにおいて顧客に高いバリュー・プロポジションを提供します。

トランスフォームのSuperGaN® FETは、カスタムドライバーやゲート保護装置を備えたレベルシフト回路を必要とする競合するeモードGaNソリューションとは異なり、既製のドライバーとペアリングしているため、単純な出力ドライバビリティ機能で知られています。この機能により、トランスフォームのデバイスを使用する際、顧客にコストメリットを提供できます。新規に定義したソリューションは、高速で非絶縁型の高電圧ハーフブリッジ・ゲートドライバーを使用しており、GaN FETやシステムの性能に影響を与えることなく、システム全体のコストをさらに削減します。

「よく知られた既製のドライバーで動作する機能を考えると、当社のノーマリーオフ型のGaNプラットフォームの方が望ましいです。選択したドライバーを使用できることは大きなメリットとなります。これにより、お客様はさまざまな程度の性能上のメリットに基づいてドライバーを選択できる一方で、電力システムのコストをより細かく制御できます。これは、価格重視の最終市場で特に重要です」と、トランスフォームの事業開発およびマーケティング担当上級副社長フィリップ・ズクは、「根本的に高性能を実現するトランスフォームのデバイスを使用すると、お客様は必要な最終結果に基づく部品表を作成し、できるだけコスト効率の高い性能を実現できます」と述べています。

トランスフォームは、数あるメリットの中でも高い絶縁電圧定格（制御-出力駆動信号）、短い伝搬遅延時間、高速のオン/オフ時間、設定可能なデッドタイムなどの機能を搭載したさまざまなドライバーも推奨しており、より高い電力アプリケーションに最も適しています。

電源アダプタ、ゲーム用ノートパソコンの充電器、LED照明などの小中電力アプリケーションは、価格を特に重視する市場です。このような製品の電力システムは通常、安全用の絶縁などの高度な機能を必要としないものです。したがって、プレミアム・ドライバーを使用すると、部品コストを不要に増大させる可能性があります。

性能分析

ハーフブリッジ・ゲートドライバーは、同社のPQFN88パッケージ内の電圧が650Vで、抵抗が72mΩのデバイスTP65H070LSGでテストされており、共振ハーフブリッジ、トーテムポール PFC、正弦波インバーター、アクティブ クランプ フライバックなどのブリッジ トポロジーで使用できます。

テスト結果、低コストのドライバー・ソリューションは、冷却に放熱板または強制空冷を使用する場合としない場合に、150kHz未満または等しい周波数を切り替えるのに適していることが明らかになりました。このソリューションは、最後に選択した各構成で99%近くの効率性を達成しました。

アプリケーションノートへのアクセス

上記のソリューションの詳細情報については、小中電力のGaN FETアプリケーション用の低コスト、高密度、高電圧シリコンドライバーというAN0014アプリケーションノートを、https://bit.ly/3MTfQtBからダウンロードできます。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。同社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設を米国のゴリータと日本の会津に保有しています。詳細情報は、www.transphormusa.comをご覧ください。またはTwitter（@transphormusa）とWeChat（Transphorm_GaN）でフォローしてください。

SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

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