Transphorm宣布推出低成本的SuperGaN FET驅動器解決方案

Transphorm FET利用簡單的半橋閘級驅動器實現高達99%的效率，驗證了在超過一千瓦的寬廣功率範圍內具有成本效益的設計方案

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是全球下一代電力系統中的GaN（氮化鎵）技術領導者，最近推出了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。該設計方案適用於LED照明、充電、微逆變器、UPS和遊戲電腦等低到中功率應用，進一步鞏固了公司在30億美元電力市場中對上述領域客戶的價值定位。

與競爭對手需要客製化驅動器或閘保護裝置的電平轉換電路的e-mode氮化鎵元件解決方案不同，Transphorm的SuperGaN® FET元件因與現成驅動器配對而易於驅動。這一強大能力為客戶在使用Transphorm元件時帶來成本優勢。新定義的解決方案採用了高速、非隔離、高壓半橋閘級驅動器，進一步降低了系統的總成本，而不會影響GaN FET元件或系統性能。

Transphorm資深副總裁、業務拓展和市場行銷負責人Philip Zuk表示：「我們的通常斷開型氮化鎵平臺能夠與知名現成驅動器配合使用，因此更具競爭力。能夠選擇驅動器是一項重要優勢。客戶可根據不同程度的性能優勢選擇驅動器，同時讓電力系統成本更加可控。這對價格敏感的終端市場尤為重要。」他繼續說道：「Transphorm元件提供的是更高性能，亦即能夠讓客戶根據所需的最終結果建構BOM，盡可能以更具成本效益的方式實現所需性能。」

Transphorm還推薦了各種其他驅動器，這些驅動器具有高隔離電壓等級（控制到輸出驅動信號）、短傳播延遲時間、快速開關時間和可程式化死區時間等優點，非常適合高功率應用。

中低功率應用（如電源配接器、遊戲筆記型電腦充電器、LED照明以及兩輪和三輪車充電器等）對價格敏感。這些類型產品中的電源系統通常不需要安全隔離等高階功能。因此，使用高階驅動器可能會不必要地增加物料清單(BOM)的成本。

性能分析

半橋閘級驅動器與Transphorm的PQFN88封裝650V、72 mΩ元件TP65H070LSG型號進行了測試，可用於橋式拓撲，如諧振半橋、電壓諧振逆變器、正弦波逆變器或主動鉗位反磁。

測試結果顯示，在開關頻率小於等於150 kHz時，無論是否使用散熱器或強制風冷，低成本驅動器解決方案均表現良好。在某些配置中，該解決方案最終實現了接近99%的效率。

應用筆記獲取

如需進一步瞭解上述解決方案，請下載標題為《適用於中低功率GaN FET應用的低成本、高密度、高電壓矽驅動器》(Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications)的應用筆記，連結：https://bit.ly/3MTfQtB。

關於 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計和製造用於高壓功率轉換應用的高效能、高可靠性氮化鎵半導體。Transphorm擁有龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合，持有或取得授權的專利超過1000項，生產了業界首款符合JEDEC和AEC-Q101標準的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的元件商業模式，公司能夠在包括設計、製造、元件和應用支援在內的每個開發階段進行創新。Transphorm的創新使功率電子產品超越了矽的限制，實現了99%以上的效率，將功率密度提高50%，並使系統成本降低20%。Transphorm總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa以及微信@Transphorm_GaN上關注我們。

SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc. 的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。

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