Equipe da Kioxia recebe prêmio de Ciência e Tecnologia do Ministério da Educação, Cultura, Desporto, Ciência e Tecnologia do Japão

TÓQUIO (Japão)--(BUSINESS WIRE)--A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que sua equipe de trabalho recebeu o prêmio de Ciência e Tecnologia da Comenda de Ciência e Tecnologia do Ministério da Educação, Cultura, Desporto, Ciência e Tecnologia do Japão por sua invenção de três dispositivo de memória flash tridimensional e método de fabricação do mesmo, o que aumenta muito a capacidade de memória e diminui os custos de produção.

O prêmio anual é concedido pelo Ministério da Educação, Cultura, Desporto, Ciência e Tecnologia do Japão a pessoas que obtiveram realizações notáveis em pesquisa e desenvolvimento e promoveram a compreensão da ciência e tecnologia no país.

Equipe premiada da Kioxia:

• Ryota Katsumata, assistente na Gerência Geral do Centro de Desenvolvimento de Memória Avançada – Divisão de Memória
• Masaru Kito, gerente de Grupo do Centro de Desenvolvimento de Memória Avançada – Divisão de Memória
• Hideaki Aochi, especialista sênior do Centro de Pesquisa e Desenvolvimento de Tecnologia de Dispositivos no Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento de Tecnologia de Memória
• Masaru Kido, especialista chefe da Divisão de Estratégia de Desenvolvimento de Memória
• Hiroyasu Tanaka, especialista chefe da Divisão de Estratégia de Desenvolvimento de Memória

Descrição geral da tecnologia:

A memória flash é usada em uma série de aplicações para armazenar dados, incluindo em smartphones e data centers, e a demanda deve crescer.

A premiada tecnologia de memória flash tridimensional é uma abordagem inovadora que simplificou muito o processo de fabricação para empilhar células de memória verticalmente a fim de obter memória flash tridimensional de alta densidade. Enquanto o empilhamento convencional exigia processos repetidos de deposição e padronização para a fabricação de matriz de células de memória, esta nova tecnologia primeiro empilha os materiais para as células de memória e depois fabrica cada célula simultaneamente usando um processo de padronização único, o que reduz significativamente as etapas de processamento. Como a tecnologia de miniaturização empregada na memória flash bidimensional convencional está se aproximando de seus limites físicos, a tecnologia de memória flash tridimensional de alta capacidade e alto desempenho já é cada vez mais aplicada nos principais produtos do mercado. Depois de comercializar a memória flash tridimensional BiCS FLASH™ em 2015, a Kioxia tem trabalhado para aumentar a densidade de empilhamento. No mês passado, a empresa anunciou sua memória flash tridimensional BiCS FLASH™ de 218 camadas com alta capacidade e alto desempenho.

Esta tecnologia de memória flash tridimensional também foi reconhecida com o Imperial Invention Prize da 2020 National Commendation for Invention e recebeu o 2021 IEEE Andrew S. Grove Award.

Guiada por sua missão de “melhorar o mundo com sua memória”, a Kioxia está comprometida com sua pesquisa e desenvolvimento de tecnologia que agrega valor às pessoas no mundo todo.

Sobre a Kioxia

A Kioxia é líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSD). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrado da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em melhorar o mundo com suas memórias, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado na memória para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, chamada BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicativos de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, SSD, indústria automotiva e data centers.

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