La plantilla de Kioxia recibe el Premio de Ciencia y Tecnología del Ministerio de Educación, Cultura, Deporte, Ciencia y Tecnología de Japón

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anuncia hoy que sus empleados han recibido el Premio de Ciencia y Tecnología que concede el Ministerio de Educación, Cultura, Deporte, Ciencia y Tecnología por la invención de un dispositivo de memoria flash tridimensional de alta densidad y su método de fabricación, que aumenta de forma sustancial la capacidad de memoria y reduce los costos de fabricación.

Cada año, el Ministerio de Educación, Cultura, Deporte, Ciencia y Tecnología concede este galardón a personas que han destacado por sus logros en investigación y desarrollo y han promovido el conocimiento de la ciencia y la tecnología en Japón.

Galardonados de Kioxia:

• Ryota Katsumata, asistente del director general, Centro de Desarrollo de Memoria Avanzada, División de Memoria
• Masaru Kito, director de grupo, Centro de Desarrollo de Memoria Avanzada, División de Memoria
• Hideaki Aochi, experto principal, Centro de Investigación y Desarrollo de Tecnología de Dispositivos, Instituto de Investigación y Desarrollo de Tecnología de Memoria
• Masaru Kido, especialista jefe de la División de Estrategia de Desarrollo de Memoria
• Hiroyasu Tanaka, especialista jefe de la División de Estrategia de Desarrollo de Memoria

Resumen de la tecnología galardonada

La memoria flash se utiliza en una gran variedad de aplicaciones para almacenar datos, como teléfonos inteligentes y centros de datos, y su demanda seguirá creciendo.

La tecnología de memoria flash tridimensional premiada es un enfoque innovador que simplifica enormemente el proceso de fabricación de celdas de memoria apiladas verticalmente para crear memorias flash tridimensionales de alta densidad. En lugar de los procesos de apilamiento convencionales, que requerían repetidos pasos de aplicación y patrón para la fabricación de conjuntos de celdas de memoria, esta tecnología apila primero los materiales de las celdas de memoria y, a continuación, fabrica cada celda simultáneamente mediante un proceso de patrón único, lo que reduce enormemente los pasos de procesamiento. A medida que la tecnología de miniaturización empleada en las memorias flash bidimensionales convencionales alcanza sus límites físicos, la tecnología de memoria flash tridimensional de alta capacidad y alto rendimiento se aplica cada vez más en los productos estrella del mercado. Tras lanzar al mercado la memoria flash tridimensional BiCS FLASH™ en 2015, Kioxia se ha dedicado a aumentar la densidad de apilamiento. El mes pasado, Kioxia anunció su memoria flash tridimensional BiCS FLASH™ de 218 capas de alta capacidad y alto rendimiento.

Esta tecnología de memoria flash tridimensional también ha merecido el reconocimiento Imperial Invention Prize de la National Commendation for Invention de 2020 y ha recibido el premio IEEE Andrew S. Grove Award de 2021.

Inspirada por su misión de «mejorar el mundo con “memoria”», Kioxia está comprometida con la investigación y el desarrollo de tecnologías que aporten valor a las personas de todo el mundo.

Acerca de Kioxia

Kioxia es una empresa líder mundial en soluciones de memoria que se dedica al desarrollo, producción y venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia tiene el compromiso de mejorar el mundo con memoria ofreciendo productos, servicios y sistemas que crean opciones para los clientes y un valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades SSD de avanzada, la industria automotriz y los centros de datos.

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