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東芝：高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

original 東芝：高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET （画像：ビジネスワイヤ）

東芝：高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET （画像：ビジネスワイヤ）

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、高放熱の新パッケージL-TOGL™(Large Transistor Outline Gull-wing Leads)を採用し、高ドレイン電流定格を実現した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XPQR3004PB」、「XPQ1R004PB」の2製品を製品化し、本日より量産出荷を開始しました。

近年、車載機器はEV化が進み、機器の消費電力が増大しています。車載機器に使用される部品は、これに対応するために低損失・高放熱といった製品特性が求められています。
新製品は、大電流化・低抵抗・高放熱に適した新パッケージL-TOGLTMを採用しました。Cuクリップを用いてチップからアウターリードまでを一体化し、製品内部のポスト[注1]をなくしたポストレス構造のパッケージとなっています。さらに、多ピン構造のソースリードを採用し、パッケージ抵抗を既存パッケージTO-220SM(W)と比べて約70%低減しました。XPQR3004PBの場合は、ドレイン電流(DC)定格を既存製品[注2]と比べて1.6倍の400Aに拡張しました。また、厚みのあるCuフレームを採用することで、同XPQR3004PBは既存製品[注2]と比べてチャネル・ケース間過渡熱インピーダンスを50%低減し、機器の大電流化や低損失化に貢献します。

新製品は新規パッケージ技術により、大電流動作が求められるISG[注3]などのインバーターや半導体リレーの用途で、放熱設計の簡易化とMOSFETの員数削減による機器の小型化に貢献します。
また、更なる大電流動作を必要とする用途では、MOSFETの並列接続使用が想定されます。新製品はゲートしきい値電圧のグルーピング納品[注4]に対応しているため、特性差の少ない製品グループで設計が可能です。

車載機器は、さまざまな温度環境で使用されるため、基板実装はんだの接合信頼性が重要視されます。新製品は、実装応力を緩和するガルウィングタイプのリードを採用し、基板実装はんだの接合信頼性向上に貢献します。

[注1] はんだ接続部
[注2] 既存製品:TO-220SM(W)パッケージ製品「TKR74F04PB」と比較
[注3] Integrated Starter Generator
[注4] ゲートしきい値電圧を0.4V幅としたリールごとのグルーピング納品が可能です。ただし、特定グループの指定は受け付けていません。詳しくは、当社営業担当へお問い合わせください。

■応用機器

  • 車載機器(インバーター、半導体リレー、ロードスイッチ、モータードライブなど)

■新製品の主な特長

  • 新パッケージL-TOGLTMを採用
  • 高ドレイン電流(DC)定格：
    XPQR3004PB：ID=400A
    XPQ1R004PB：ID=200A
  • AEC-Q101適合
  • 低オン抵抗：
    XPQR3004PB：RDS(ON)=0.23mΩ (typ.) (VGS=10V)
    XPQ1R004PB：RDS(ON)=0.8mΩ (typ.) (VGS=10V)

■新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

極性

絶対最大定格

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(ON) max (mΩ)

チャネル・ケース間

過渡熱

インピーダンス

Zth(ch-c)
max

Tc=25°C

(℃/W)

パッケージ

シリーズ

在庫検索＆
Web少量購入 

ドレイン・

ソース間電圧

VDSS
(V)

ドレイン

電流 (DC)

ID
(A)

ドレイン

電流

(パルス)

IDP

(A)

チャネル温度

Tch
(°C)

VGS=6V

VGS=10V

XPQR3004PB

Nチャネル

40

400

1200

175

0.47

0.30

0.2

L-TOGLTM

U-MOSIX-H

Buy Online

XPQ1R004PB

Nチャネル

40

200

600

175

1.8

1.0

0.65

L-TOGLTM

U-MOSIX-H

Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
XPQR3004PB
XPQ1R004PB

新製品の関連コンテンツについては下記ページをご覧ください

当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。
車載MOSFET

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XPQR3004PB
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XPQ1R004PB
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※L-TOGL™は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。
※その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

※本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
E-Mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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