-

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出采用新型L-TOGL™(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET “XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款产品具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今天开始出货。

近年来,随着车辆向电动汽车过渡,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装,支持大电流,具备低导通电阻和高散热性能。产品未采用内部接线柱[1]结构,通过引入一个铜夹片将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构,与现有的TO-220SM(W)封装相比,封装电阻下降大约30%,从而将XPQR3004PB的漏极额定电流(DC)提高到400A,是当前产品的1.6倍[2]。厚铜框的应用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%[2]。这些特性有利于支持更大的电流,并降低车载设备的损耗。

凭借新型封装技术,新产品可简化散热设计,减少半导体继电器和一体化起动发电机的变频器等需要大电流的应用所需的MOSFET数量,进而有助于缩小设备尺寸。当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时,东芝支持这两款新品分组出货[3],即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计方案采用同一组别的产品,从而减少特性偏差。

因为车载设备可能工作在各种温度环境下,所以表面贴装的焊点可靠性是一个需要考虑的关键因素。新品采用鸥翼式引脚来降低贴装应力,提高了焊点可靠性。

注:
[1] 锡焊连接
[2] 当前产品:采用TO-220SM(W) 封装的“TKR74F04PB”
[3] 东芝提供分组出货,每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。

应用

  • 车载设备:变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等。

特性

  • 新封装L-TOGLTM
  • 高额定漏极电流:
    XPQR3004PB:ID=400A
    XPQ1R004PB:ID=200A
  • AEC-Q101认证
  • 低导通电阻:
    XPQR3004PB:RDS(ON)=0.23mΩ(典型值)@VGS=10V
    XPQ1R004PB:RDS(ON)=0.8mΩ(典型值)@VGS=10V

主要规格

(Ta=25°C,除非另有说明)

器件型号

极性

绝对最大额定值

漏极-源极

导通电阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

沟道到外壳热阻

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25°C

(℃/W)

封装

系列

样品查询
和库存

漏极-源极电压

VDSS

(V)

漏极电流

(DC)

ID

(A)

漏极电流

 (脉冲)

IDP

(A)

通道温度

Tch

(°C)

 

VGS=6V

 

VGS=10V

XPQR3004PB

N-沟道

40

400

1200

175

0.47

0.30

0.2

L-TOGLTM

U-MOSIX-H

在线购买

XPQ1R004PB

N-沟道

40

200

600

175

1.8

1.0

0.65

L-TOGLTM

U-MOSIX-H

在线购买

如需了解有关新产品的更多信息,请访问:
XPQR3004PB
XPQ1R004PB

如需了解新产品相关内容的更多信息,请访问以下链接。

请点击下面的链接,了解更多关于东芝车载MOSFET的信息。
车载MOSFET

要在网上经销商处查询新产品的库存情况,请访问:XPQR3004PB
在线购买

XPQ1R004PB
在线购买

* L-TOGL™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
* 其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

* 本新闻稿中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在发布之日为最新信息。之后如有变更,恕不另行通知。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。

公司在全球各地的2.3万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过8,500亿日元(75亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。
如需了解更多信息,请访问:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客户垂询:
功率器件销售与市场部
电话:+81-44-548-2216
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电邮:semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客户垂询:
功率器件销售与市场部
电话:+81-44-548-2216
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电邮:semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出双通道标准数字隔离器,助力工业设备实现稳定高速隔离数据传输

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")面向工业设备推出了四款双通道高速标准数字隔离器。全新“DCL52xx00系列”产品具备100kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬态抗扰度(CMTI)和150Mbps(最大值)[2]的高速数据速率,可支持设备稳定运行。产品发货自即日起开始。 “DCL520C00”和“DCL520D00”采用两个正向通道的通道配置,“DCL521C00”和“DCL521D00”则为一个正向通道和一个反向通道。这些全新双通道产品与此前发布的“DCL54xx01系列”四通道产品共同构成面向工业设备的标准数字隔离器产品线。随着这些新产品的加入,Toshiba的整体产品线现已涵盖14款产品,提供丰富的通道配置选择,有助于提升设计灵活性。 全新DCL52xx00系列产品采用Toshiba专有的磁耦合式隔离传输方法,可实现与DCL54xx01系列产品相同的100kV/μs(典型值)的高CMTI。这一特性可大幅提升隔离信号传输...

Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET,以提升工业设备开关电源效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和通信基站所用工业设备的开关电源。产品发货自即日起开始。 100V U-MOS11-H系列在Toshiba现有U-MOSX-H系列工艺的基础上,优化了漏源导通电阻(RDS(ON))、总栅极电荷(Qg)及二者的权衡特性(RDS(ON) × Qg),从而降低了传导损耗和开关损耗。 与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比,TPH2R70AR5的RDS(ON)降低约8%,Qg降低37%,RDS(ON) × Qg改善42%。通过应用寿命控制技术[2],该产品还实现了高速体二极管性能,减少了反向恢复电荷(Qrr)并抑制了尖峰电压。Qrr改善约38%,RDS(ON) × Qrr也改善约43%。这些行业领先的[3]权衡特性[4](R...

Toshiba推出TOLL封装650V第三代SiC MOSFET

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),搭载最新[1] 第三代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备,如开关式电源和用于光伏发电机的功率调节器。“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”这三款MOSFET即日起开始批量出货。 新产品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比,器件体积减少80%以上,设备功率密度也得以改善。 TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2],有助于降低开关损耗。作为四端子[3]封装,可将开尔文连接用作栅极驱动的信号源端子。这可以减少封装内的源极引线电感的影响,实现高速开关性能;以TW048U65C为例,其开通损耗和关断损耗分别比现有Toshiba产品[5]降低约55%...
Back to Newsroom