-

铠侠和西部数据庆祝日本四日市Fab7设施落成

日本横滨和加利福尼亚州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--铠侠株式会社(Kioxia Corporation)和西部数据公司(Western Digital Corporation) (NASDAQ: WDC)今天庆祝位于日本三重县四日市的先进半导体制造设施Fab7落成。Fab7的产能将根据市场行情分阶段提高。

Fab7一期工程的总投资预计约为1万亿日元。日本政府为Fab7设施一期的部分资本投资提供补贴。该补贴旨在提升先进的半导体生产设施,确保日本半导体的稳定产能。

Fab7具备生产第六代162层闪存和未来先进3D闪存的能力,计划于2023年初开始出货162层闪存。

该设施利用人工智能来提高生产效率,并采用了高效利用空间的设计方案,扩大了洁净室中生产设备的可用空间。Fab7基于安全和可持续发展理念而建造,能够吸收地震的冲击,并采用了最新的节能制造设备。

铠侠株式会社总裁兼首席执行官Nobuo Hayasaka表示:“Fab7是日本技术领先的全新半导体生产设施,对于铠侠的未来不可或缺。随着世界在各种互联设备上使用更多的数据,全球对存储器产品的长期需求预计会增加。我们将继续为未来投资,对市场需求做出回应,进而帮助建立一个丰富人们生活的数字社会。”

西部数据技术与战略总裁Siva Sivaram博士表示:“凭借创新的设计和生产效率,新的Fab7设施彰显了西部数据为全球客户提供可持续内存和存储技术的承诺。我们珍视与铠侠的深厚关系并共同庆祝这一里程碑。我们将继续共同实现长远的成功。”

铠侠与西部数据已建立了20多年的成功合资伙伴关系,并将继续通过联合开发3D闪存来最大限度地发挥协同效应和竞争力。

关于铠侠

铠侠是全球存储器解决方案领导者,致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存,2017年4月,铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司分拆出来。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统,为客户提供选择,为社会创造基于内存的价值,从而用“内存”提升世界。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造诸多高容量应用的未来存储方式,其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。

关于西部数据公司

西部数据的使命是通过探索数据的利用可能性来释放数据的潜力。凭借闪存和硬盘驱动器特许经营权,我们在内存技术进步的支持下创造了突破性的技术创新和强大的数据存储解决方案,推动世界实现愿望。作为我们价值观的核心,我们认识到应对气候变化的紧迫性,并致力于实现科学碳目标倡议发布的雄心勃勃的碳减排目标。如需了解有关西部数据以及Western Digital®、SanDisk®和WD®品牌的更多信息,请访问www.westerndigital.com

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

铠侠联系人:
Kota Yamaji
铠侠公共关系部
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

西部数据联系人:
Robin Schultz
西部数据公共关系部
1-408-573-5043
robin.schultz@wdc.com

T. Peter Andrew
西部数据投资者关系部
1-949-672-9655
peter.andrew@wdc.com

Kioxia Corporation LogoKioxia Corporation Logo

Kioxia Corporation

NASDAQ:WDC


Contacts

铠侠联系人:
Kota Yamaji
铠侠公共关系部
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

西部数据联系人:
Robin Schultz
西部数据公共关系部
1-408-573-5043
robin.schultz@wdc.com

T. Peter Andrew
西部数据投资者关系部
1-949-672-9655
peter.andrew@wdc.com

More News From Kioxia Corporation

KIOXIA固态硬盘实现与Microchip Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID存储加速器的兼容性

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其2.5英寸KIOXIA CM7系列企业级PCIe®5.0 NVMe™ 2.0固态硬盘、KIOXIA CD8P系列数据中心PCIe 5.0 NVMe 2.0固态硬盘,以及KIOXIA CD8系列数据中心PCIe 4.0 NVMe 1.4固态硬盘已成功完成与Microchip Technology Inc.的Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID存储加速卡的兼容性及互操作性测试。 Adaptec SmartRAID 4300加速器最多可支持32个NVMe固态硬盘,并且每个硬盘都通过其专用通道直接连接到CPU。这一设计消除了传统单一x16主机接口常见的PCIe瓶颈,使得每个固态硬盘都能以峰值性能运行。这一创新架构提供了卓越的吞吐量和IOPS,使其成为数据密集型企业应用的理想解决方案。下一代数据中心基础设施的成功,依赖于整个生态系统的协作与互操作性,以确保现有与未来技术能够实现无缝集成。 Microchip名称和Adaptec是Microchip Technolo...

KIOXIA AiSAQ™技术已集成至Milvus向量数据库

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其近似最近邻搜索(ANNS)软件技术KIOXIA AiSAQ™已从Milvus 2.6.4版本起正式集成到这款开源向量数据库中。通过此次集成,Milvus用户可充分利用KIOXIA AiSAQ™经SSD优化的向量搜索能力,为开发者和企业提供一条实用且经济高效的AI应用扩展路径,无需面对大规模向量搜索通常伴随的DRAM内存扩容难题。 AI行业正从构建大规模基础模型,转向部署可扩展、高性价比的推理解决方案以应对现实世界挑战。检索增强生成(RAG)是这一转型的核心,而KIOXIA AiSAQ™技术的研发初衷,就是帮助社区利用基于SSD的向量架构。其融入Milvus生态系统后,不仅降低了开源社区的采用门槛,还能支持开发者打造更快、更高效的AI应用。 KIOXIA AiSAQ™于今年早些时候首次发布,是一款开源软件技术,通过将所有与RAG相关的数据库元素存储在SSD上,大幅提升向量可扩展性*1。随着DRAM可扩展性成为海量推理和RAG工作负载的关键瓶颈,KIOXIA AiSAQ™技术实现...

Kioxia研发核心技术,助力高密度低功耗3D DRAM的实际应用

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布,已研发出具备高堆叠性的氧化物半导体沟道晶体管技术,该技术将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。这项技术已于12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会(IEDM)上亮相,有望降低AI服务器和物联网组件等众多应用场景的功耗。 在AI时代,市场对于具备更大容量、更低功耗、可处理海量数据的DRAM的需求持续攀升。传统DRAM技术在存储单元尺寸微缩方面已逼近物理极限,业界因此开始研究存储单元的3D堆叠技术,以此拓展存储容量。传统DRAM采用单晶硅作为堆叠存储单元中晶体管的沟道材料,这种方式会推高制造成本,同时存储单元的刷新功耗还会随存储容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上,我们宣布研发出氧化物半导体沟道晶体管DRAM (OCTRAM)技术,该技术使用由氧化物半导体材料制成的垂直晶体管。在今年的大会展示中,我们推出了可实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术,并完成了8层晶体管堆叠结构的功能验证。 这项新技术将...
Back to Newsroom