Transphorm的SuperGaN FET元件幫助鉑科電子的高效率加密貨幣挖礦電源

GaN元件專為高功率的任務關鍵型應用而設計，幫助3.6 kW電源裝置在較低的整體系統成本下具備更高的可靠性

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)與杭州鉑科電子有限公司（Boco Electronics，簡稱「鉑科電子」）今天宣布，鉑科電子的3.6kW電源採用了SuperGaN® FET元件。這款強大的12伏交流轉直流電源可以達到超過96%的峰值效率，而且可以用於極端嚴苛的應用環境，如加密貨幣礦機和高效能資料中心系統。這款電源在獲得專利的無橋圖騰柱PFC拓撲結構中採用了Transphorm的SuperGaN元件，與鉑科電子的傳統PFC組態相比，其功效等級提高了近1%，即功耗下降36瓦。圖騰柱PFC拓撲結構和FET的TO-247封裝還可以減少整個電源系統的元件數量，從而降低整體系統成本。

鉑科電子執行長尹國棟(Golden Yin)表示：「礦機一周7天每天24小時運轉。有鑑於此，我們的客戶都在尋求更高功率、更高效率、更高可靠性的電源，來為這些密集型應用提供支援。我們知道，把我們強大的設計能力與先進的氮化鎵解決方案結合起來，就可以滿足這些需求。總體來說，氮化鎵是適當的技術，而Transphorm的SuperGaN產品就是適當的元件。事實證明，與其他替代方案相比，它們適用於更高的功率範圍，同時可以提供此類工業應用所需的更高現場可靠性。」

在此電源中使用的Transphorm元件是經過JEDEC認證的TP65H035G4WS，這是一種常閉型650伏元件，採用35毫歐姆導通電阻。作為SuperGaN Gen IV系列產品的一部分，此元件可提供業界領先的±20伏閘極穩健性，並擁有業界頂級的4伏抗擾度閾值。

憑藉更快的開關速度和更低的損耗，Transphorm的氮化鎵取代了鉑科電子在類似的現有電源中使用的傳統金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)。此外，該元件還使得鉑科電子能夠使用先進的圖騰柱PFC來代替交錯式H（全橋）PFC或交錯式DCM PFC。系統的功率密度得以提高，從而為增加冷卻氣流提供了額外的空間。值得注意的是，此電源的開發僅用了六個月時間，這都歸功於Transphorm元件的易驅動性和可設計性。

Transphorm亞太區銷售副總裁Kenny Yim表示：「加密貨幣挖礦等大功耗應用需要在解決複雜的數學問題的同時處理大量資料。從硬體到原始能源，此類應用的支援成本正在越發高昂。事實上，由於法規政策的變化，過去在中國能享受當地政府支持和較廉價水電能源的礦場現在正被迫搬遷¹。因此，我們看到，相關高功率應用系統的製造商轉向氮化鎵，以獲取更好的效能和效率來應對更高的電價。隨著我們繼續加強和改進我們的氮化鎵平臺，我們很自豪能為這一趨勢的發展提供支援。」

在鉑科電子的產品開發過程中，Transphorm發揮的作用不僅僅是供應電晶體這麼簡單。這家半導體公司的技術支援團隊與鉑科電子的工程團隊一起合作推展了設計評審，以確保氮化鎵技術充份發揮其卓越的輸出效能。

出貨

3.6kW電源目前已經可以出貨。

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。

SuperGaN是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。

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¹ Feng, Coco. 「因設備仍受到發貨延遲、關稅和法律問題的困擾，中國比特幣礦場外遷面臨障礙。」《南華早報》，2022年2月12日。

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