Transphorm的SuperGaN FET器件助力铂科电子的高效加密货币挖矿电源

GaN器件专为高功率的任务关键型应用而设计，助力3.6 kW电源装置在较低的整体系统成本下具备更高的可靠性

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与杭州铂科电子有限公司（Boco Electronics，简称“铂科电子”）今天宣布，铂科电子的3.6kW电源采用了SuperGaN® FET器件。这款强大的12伏交流转直流电源可以达到超过96%的峰值效率，而且可以用于极端严苛的应用环境，如加密货币矿机和高性能数据中心系统。这款电源在获得专利的无桥图腾柱PFC拓扑结构中采用了Transphorm的SuperGaN器件，与铂科电子的传统PFC配置相比，其功效等级提高了近1%，即功耗下降36瓦。图腾柱PFC拓扑结构和FET的TO-247封装还可以减少整个电源系统的组件数量，从而降低整体系统成本。

铂科电子首席执行官尹国栋(Golden Yin)表示：“矿机一周7天每天24小时运转。有鉴于此，我们的客户都在寻求更高功率、更高效率、更高可靠性的电源，来为这些密集型应用提供支持。我们知道，把我们强大的设计能力与先进的氮化镓解决方案结合起来，就可以满足这些需求。总体来说，氮化镓是适当的技术，而Transphorm的SuperGaN产品就是适当的器件。事实证明，与其他替代方案相比，它们适用于更高的功率范围，同时可以提供此类工业应用所需的更高现场可靠性。”

在此电源中使用的Transphorm器件是经过JEDEC认证的TP65H035G4WS，这是一种常闭型650伏器件，采用35毫欧姆导通电阻。作为SuperGaN Gen IV系列产品的一部分，此器件可提供业界领先的±20伏栅极稳健性，并拥有业界顶级的4伏抗扰度阈值。

凭借更快的开关速度和更低的损耗，Transphorm的氮化镓取代了铂科电子在类似的现有电源中使用的传统金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。此外，该器件还使得铂科电子能够使用先进的图腾柱PFC来代替交错式H（全桥）PFC或交错式DCM PFC。系统的功率密度得以提高，从而为增加冷却气流提供了额外的空间。值得注意的是，此电源的开发仅用了六个月时间，这都得益于Transphorm器件的易驱动性和可设计性。

Transphorm亚太区销售副总裁Kenny Yim表示：“加密货币挖矿等大功耗应用需要在解决复杂的数学问题的同时处理大量的数据。从硬件到原始能源，此类应用的支持成本正在越发高昂。事实上，由于监管政策的变化，过去在中国能享受当地政府支持和较廉价水电能源的矿场现在正被迫搬迁¹。因此，我们看到，相关高功率应用系统的制造商转向氮化镓，以获取更好的性能和效率来应对更高的电价。随着我们继续加强和改进我们的氮化镓平台，我们很自豪能为这一趋势的发展提供支持。”

在铂科电子的产品开发过程中，Transphorm发挥的作用不仅仅是供应晶体管这么简单。这家半导体公司的技术支持团队与铂科电子的工程团队一起合作开展了设计评审，以确保氮化镓技术最大限度地发挥其卓越的输出性能。

出货

3.6kW电源目前已经可以出货。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，Transphorm能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。

SuperGaN是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

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¹ Feng, Coco. “因设备仍受到发货延迟、关税和法律问题的困扰，中国比特币矿场外迁面临障碍。”《南华早报》，2022年2月12日。

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