-

キオクシア株式会社:PCIe® 4.0対応ストレージクラスメモリ(SCM)搭載SSDのサンプル出荷について

高性能エンタープライズ/データセンター向けに低遅延で高耐久の大容量ストレージを実現

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- (ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、高性能エンタープライズ/データセンター向けに、PCIe® 4.0に対応し、低遅延で高耐久のストレージクラスメモリ(SCM)「XL-FLASH」を搭載したSSD「KIOXIA(キオクシア) FL6シリーズ」(以下「FL6シリーズ」)のサンプル出荷を本日から開始します。

新製品は、当社の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」技術と1ビット/セルのSLC技術を用いた、当社のSCM「XL-FLASH」を搭載しています。「XL-FLASH」を採用することにより、従来のDRAMとTLCベースのSSDとの間の性能ギャップを埋める低遅延を達成しながら、DRAMに比べてビットあたりのコストを低減した、費用対効果の高い大容量のSSDを実現しました。

PCIe 4.0とNVMe 1.4規格に準拠し、デュアルポートに対応した「FL6シリーズ」は、高性能エンタープライズやデータセンターでの、サーバーキャッシュ、ライトロギング、階層化ストレージでのリード/ライトキャッシュなど、レスポンスタイムが重要な用途において低遅延の優れたシステム性能を提供します。

「FL6シリーズ」の主な特長:

  • PCIe 4.0およびNVMe 1.4規格に準拠;NVMe-oF環境に対応
  • 高可用性および耐障害性のためのネイティブデュアルポート
  • 耐久性は60 DWPDで、容量は800 GBから3.2 TBまでをラインアップ
  • MTBF 2.5M時間のエンタープライズ信頼性
  • SEDおよびFIPS 140-2のセキュリティオプション[注1]

[注1] セキュリティ対応モデルのラインアップは、地域によって異なります。

*SSD製品の記憶容量について:1MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。

*PCIeはPCI-SIGの登録商標です。
*NVMeおよびNVMe-oFは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
*その他記載されている社名・製品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
販売推進統括部
Tel: 03-6478-2427
https://business.kioxia.com/ja-jp/buy.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
営業企画部
高畑浩二
Tel: 03-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
営業企画部
高畑浩二
Tel: 03-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

キオクシア:MicrochipのAdaptec® SmartRAID 4300シリーズ RAIDストレージアクセラレーターとキオクシアSSDの相互互換性と相互運用性を確認

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、当社の2.5インチ エンタープライズおよびデータセンターPCIe® 5.0 NVMe™ SSD、およびPCIe 4.0 NVMe SSDが、Microchip Technology Inc.(マイクロチップ・テクノロジー社、以下Microchip)のRAIDストレージアクセラレーターであるAdaptec® SmartRAID 4300シリーズとの相互接続試験を行い、相互運用性を確認しました。 次世代エンタープライズおよびAIデータセンターには、現在から将来への技術をシームレスに統合するためのエコシステムの連携と相互運用性が重要です。この相互接続において、キオクシアのデータセンターおよびエンタープライズ向けSSDを活用し、セキュリティーを備えたスケーラブルなハードウェアアクセラレーテッドRAIDアーキテクチャーを実現します。今回Microchipが行った試験で相互運用性が確認されたのは、PCIe 5.0対応エンタープライズNVMe SSDの「KIOXIA CM7シリーズ」、データセンターNVMe...

キオクシア:KIOXIA AiSAQ™技術のMilvusベクトルデータベースへの採用について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社のApproximate Nearest Neighbor Search(ANNS)技術であるKIOXIA AiSAQ™(キオクシア アイザック)が、オープンソースのベクトルデータベース Milvus(バージョン 2.6.4以降)に正式に採用されました。MilvusユーザーはKIOXIA AiSAQ™で最適化されたベクトル検索により、実用的かつコスト効率の高い形でAIアプリケーションを活用することが可能になります。ベクトルデータベースを活用したい開発者は、従来の大規模ベクトル検索を行う際にボトルネックとなるDRAMの容量に左右されることなく、高性能ベクトル検索を活用できます。 現在、AI業界では巨大なモデルの構築から、スケーラブルでコスト効率に優れた推論ソリューションの整備へと重心を移しています。その過程で中心となるのが、外部データを用いてAIの回答精度を向上させるRAG(Retrieval Augmented Generation)技術であり、KIOXIA AiSAQ™はSSDベースのベクトルアー...

キオクシア:高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術を発表

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術として高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術を開発しました。本成果は、米国サンフランシスコで開催されたIEEEの電子素子に関する国際会議IEDM(International Electron Devices Meeting)にて、12月10日(現地時間)に発表しました。本技術を用いることで、AIサーバーやIoT製品など幅広いアプリケーションにおいて低消費電力化を実現する可能性があります。 AI時代を迎え、大容量のデータを処理するために、より大容量かつ低消費電力のDRAMの実現が期待されています。従来のDRAMではメモリセルの微細化が物理限界に近づいており、さらなる大容量化に向けてメモリセルを3次元に積層する研究が進んでいます。メモリセルを積層する際に、従来のDRAMと同様の単結晶シリコンをトランジスタのチャネル材料に使用すると、製造コストが高くなり、かつ、メモリ容量に比例して、メモリセルをリフレッシュするための電力も増加する課題が...
Back to Newsroom