キオクシア株式会社：モバイル機器向けに薄型化とランダムアクセス性能を向上させた、UFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷について
キオクシア株式会社：モバイル機器向けに薄型化とランダムアクセス性能を向上させた、UFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷について
ハイエンド・スマートフォンなど小型・高機能アプリケーション向けに高速ランダムリード／ライトを実現
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、ハイエンド・スマートフォンなどモバイル・アプリケーション向けに、当社従来製品より薄型パッケージでランダムアクセス性能を向上させた、UFS（Universal Flash Storage）[注1] Version 3.1インターフェースに準拠した組込み式フラッシュメモリ（UFS製品）の新製品を開発し、本日からサンプル出荷を開始します。
UFS新製品の容量ラインアップは256GBと512GBの2種類をそろえ、256GB製品は高さ0.8mm、512GBは高さ1.0mmと、モバイル・アプリケーションなどで求められる薄型パッケージを実現しています。また、当社3次元フラッシュメモリ第5世代「BiCS FLASH™」を採用し、当社従来製品に比べてランダムリード性能を約30%、ランダムライト性能を約40%向上させました。また、UFS Version 3.1の拡張仕様であるHPB (Host Performance Booster) Ver.2.0機能に対応しています。
モバイル機器など小型・省電力が必要なさまざまなアプリケーションにおいて、高性能化・大容量化のニーズが拡大しており、そのソリューションとしてUFSを主とした組み込みフラッシュメモリを活用することが増えています。「Forward Insights」[注2]によれば、 全世界の組み込みフラッシュメモリの中で、UFSとe-MMCについて今年の容量ベースのシェアを比較するとUFSが約70%を占め、今後も成長が見込まれています。
新製品の主な仕様： |
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当社従来製品に比べて性能は、ランダムリードが約30%、ランダムライトが約40%それぞれ向上しています。 |
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HPB Ver.2.0機能（UFS Ver.3.1の拡張仕様）を搭載。ホスト側のメモリを活用し、論理・物理アドレス交換テーブルを保存することで、ランダムリード性能を改善しました。HPB Ver1.0では４KBのチャンクサイズアクセスが可能でしたが、HPB Ver.2.0ではより幅広いアクセスにより、ランダムリード性能を加速することが可能です。 |
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256GB製品では0.8mmの薄型パッケージを実現しました。 |
[注1] UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
[注2] Forward Insights 「NAND Quarterly Insights」2021/2Q号
＊本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。
＊社名・製品名・サービス名は、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
メモリ営業推進統括部
Tel: 03-6478-2423
https://business.kioxia.com/ja-jp/buy.html
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営業企画部
高畑浩二
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