Integra Technologies lanceert de eerste 100V RF GaN/SiC-technologie voor missiekritieke defensietoepassingen

Integra’s eerste 100V RF GaN-product, de IGN1011S3600, levert baanbrekende uitgang vermogen prestaties van 3,6 kiloWatt bij een efficiëntie van 70% voor de volgende generatie elektronische systemen

EL SEGUNDO, Californië--(BUSINESS WIRE)--Integra, een toonaangevende leverancier van innovatieve RF- en microgolfstroomoplossingen die helpen een veiligere en meer verbonden wereld te maken, heeft vandaag de eerste 100V RF GaN/SiC-technologie in de branche geïntroduceerd die gericht is op een breed scala aan toepassingen, waaronder radar, avionica, elektronische oorlogsvoering, industriële, wetenschappelijke en medische systemen. Deze technologie werkt bij 100 V en doorbreekt de barrières voor RF-vermogensprestaties door 3,6 kiloWatt (kW) uitgangsvermogen te bereiken in een enkele GaN-transistor. Integra’s 100V GaN geeft ontwerpers de mogelijkheid om het vermogensniveau en de functionaliteit van het systeem drastisch te verhogen, terwijl de systeemarchitecturen worden vereenvoudigd met minder gecombineerde stroomcircuits in vergelijking met de meer gebruikelijke 50V/65V GaN-technologie. Klanten profiteren uiteindelijk van een kleinere systeemvoetafdruk en lagere systeemkosten.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.