東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、TOLLパッケージに搭載した650V耐圧スーパージャンクションパワーMOSFET DTMOSVI(ディーティーモスシックス)シリーズ「TK065U65Z」「TK090U65Z」「TK110U65Z」「TK155U65Z」「TK190U65Z」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。
TOLLパッケージは、実装面積が既存パッケージD2PAKと比べ約27%小型化した表面実装タイプのパッケージです。さらに、4端子タイプで、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続できます。これにより、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減することが可能となりMOSFETの高速スイッチング性能を引き出し、スイッチング時の発振を抑制します。新製品は、既存製品TK090N65Z[注1]と比べて、ターンオン損失を約68%、ターンオフ損失を約56%低減[注2][注3]しました。データセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの産業機器用電源向けに適しています。
新製品は、TOLLパッケージと最新[注4]世代DTMOSVIとの組み合わせで、65mΩ(最大値) [注5]の低オン抵抗製品までラインアップを拡充しました。
当社は今後もTOLLパッケージの製品を投入し、機器の小型化、高効率化に貢献していきます。
[注1] シリーズ、耐圧、オン抵抗が同等で、TO-247パッケージのケルビン接続非対応製品。
[注2] 2021年3月10日時点、当社実測値(測定条件:VDD=400 V、VGG=+10 V/0 V、ID=15 A、Rg=10Ω、Ta=25 ℃)。
[注3] TK090U65Zの場合
[注4] 2021年3月10日時点
[注5] TK065U65Zの場合
■応用機器
- データセンター(サーバー電源など)
- 太陽光発電パワーコンディショナー
- 無停電電源装置
■新製品の主な特長
- 薄型、小型表面実装パッケージ
- 4端子タイプによりスイッチング損失(ターンオン損失とターンオフ損失)を低減
- 最新[注4]世代DTMOSVIシリーズ
■新製品の主な仕様
(Ta=25℃) |
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品番 |
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パッケージ |
名称 |
TOLL |
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寸法 typ. (mm) |
9.9x11.68、t:2.3 |
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絶対 最大 定格 |
ドレイン・ソース 間電圧 VDSS (V) |
650 |
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ドレイン電流 (DC) ID (A) |
38 |
30 |
24 |
18 |
15 |
|
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (Ω) @VGS=10V |
0.065 |
0.09 |
0.11 |
0.155 |
0.19 |
|
ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC) |
62 |
47 |
40 |
29 |
25 |
|
ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd typ. (nC) |
17 |
12 |
11 |
8 |
7.1 |
|
入力容量 Ciss typ. (pF) |
3650 |
2780 |
2250 |
1635 |
1370 |
|
チャネル・ケース間熱抵抗 Rth(ch-c) max (℃/W) |
0.462 |
0.543 |
0.657 |
0.833 |
0.961 |
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従来シリーズ(DTMOSIV) 品番 |
- |
- |
- |
TK20G60W[注6] |
TK16G60W[注6] |
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在庫検索 & Web少量購入 |
[注6] VDSS=600 V, D2PAKパッケージ
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TK065U65Z
TK090U65Z
TK110U65Z
TK155U65Z
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MOSFET
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TK065U65Z
TK090U65Z
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