東芝：産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールの発売について
東芝：産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールの発売について
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに新開発のシリコンカーバイト (SiC) MOSFETチップを搭載した電圧定格3300V、電流定格800AのDual SiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を開発しました。2021年5月に量産を開始する予定です。
新製品は、Ag焼結接合技術を適用した取り付け互換性の高いパッケージiXPLV (intelligent fleXible Package Low Voltage) を採用しました。これにより、チャネル温度定格175°Cを実現しました。
鉄道車両向けコンバーター、インバーターなどの電力変換装置、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。
応用機器
- 鉄道車両向けインバータ―・コンバーター
- 再生可能エネルギー発電システム
- 産業用モーター制御機器
新製品の主な特長
- ドレイン・ソース間電圧定格 : VDSS=3300V
- ドレイン電流定格 : ID=800A Dual
- 高チャネル温度定格 : Tch=175°C
-
低損失 :
Eon=250mJ (typ.)
Eoff=240mJ (typ.)
VDS(on)sense =1.6 V (typ.) - 低寄生インダクタンス : Ls=12 nH (typ.)
- 高パワー密度の小型iXPLVパッケージ
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Tc=25 °C) |
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品番 |
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パッケージ |
iXPLV |
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絶対最大定格 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
3300 |
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ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) |
+25/－10 |
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ドレイン電流 ID (A) |
800 |
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ドレイン電流 (パルス) IDP (A) |
1600 |
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チャネル温度 Tch (°C) |
175 |
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絶縁耐圧 Visol (Vrms) |
6000 |
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電気的特性 |
ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子) VDS(on)sense typ. (V) |
@VGS= +20V、 ID=800A |
1.6 |
ソース・ドレイン間オン電圧(センス端子) VSD(on)sense typ. (V) |
@VGS= +20V、 IS=800A |
1.5 |
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ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子) VSD(off)sense typ. (V) |
@VGS= －6V、 IS=800A |
2.3 |
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寄生インダクタンス LSPN typ. (nH) |
12 |
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ターンオンスイッチング損失 Eon typ. (mJ) |
@VDD=1800V、 ID=800A、 Tch=150°C |
250 |
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ターンオフスイッチング損失 Eoff typ. (mJ) |
@VDD=1800V、 ID=800A、 Tch=150°C |
240 |
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MG800FXF2YMS3
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3
東芝のSiCパワーデバイスについては下記ページをご覧ください。
SiCパワーデバイス
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/sic-power-devices.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3416
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
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東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
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Tel: 03-3457-4963
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