鎧俠在2020年全國發明表揚計畫中榮獲帝國發明獎

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--記憶體解決方案的全球領導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣佈，該公司因發明高密度3D快閃記憶體裝置及其製造方法（專利號碼5016832）而獲得日本「全國發明表揚計畫」(National Commendation for Invention)的2020年「帝國發明獎」(Imperial Invention Prize)，其發明可顯著增加記憶體容量和降低製造成本。

該獎項由日本發明與創新協會(Japan Institute of Invention and Innovation)舉辦，表明快閃記憶體在從智慧型手機到資料中心的資料儲存應用中的重要性。全國發明表揚計畫旨在讚賞那些因出色表現而已經或有望取得實質性成就的傑出發明、創意或設計。帝國發明獎是該計畫的最高獎項。

得獎者（除另有說明外均為鎧俠員工）

帝國發明獎：

• Masaru Kito，高級記憶體開發中心小組經理
• Hideaki Aochi，儲存技術研究與開發研究所資深專家
• Ryota Katsumata，高級記憶體開發中心總經理助理
• Masaru Kido，記憶體開發策略部首席專家
• Hiroyasu Tanaka，高級記憶體開發中心首席專家
• Nitayama Akihiro（前東芝株式會社）

實施成就獎：
Nobuo Hayasaka，總裁兼執行長

鎧俠的三維快閃記憶體技術還因為對高密度三維快閃記憶體的創新且持續的貢獻，而獲得中部地方發明表揚計畫的2019年文部科學大臣獎，以及2021年IEEE Andrew S. Grove獎。

傳統二維快閃記憶體技術的儲存單元以二維結構排列，其中作為儲存資料最小單位的儲存單元佈置在平面方向上。將儲存單元小型化可以增加單位面積的儲存容量，從而獲得更大的容量並降低生產成本。但小型化正在接近其物理極限。

鎧俠屢獲殊榮的三維快閃記憶體技術採用突破性方法，大幅簡化了垂直堆疊儲存單元以實現高密度3D快閃記憶體的製造過程。傳統堆疊需要重複沉積和圖案化製程來製造記憶體單元陣列，而鎧俠的3D快閃記憶體技術首先堆疊用於製造儲存單元的材料，然後使用一次性圖案化製程同時製造每個單元，讓加工步驟顯著減少。

大容量、高性能的三維快閃記憶體現在是市場上的一流技術。繼2015年48層BiCS FLASH™三維快閃記憶體商業化之後，鎧俠已進一步開始大量生產64層和96層超高密度快閃記憶體。

關於鎧俠集團

鎧俠是記憶體解決方案的全球領導者，致力於開發、生產和銷售快閃記憶體及固態硬碟(SSD)。東芝公司於1987年發明NAND快閃記憶體，2017年4月，鎧俠前身東芝記憶體集團脫離東芝公司。該公司開創了先進的記憶體解決方案和服務，使人們的生活更豐富並擴大社會視野。鎧俠創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™，正在塑造諸多高密度應用的未來儲存方式，其中包括高階智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心等。

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