铠侠在2020年全国发明表彰计划中荣获帝国发明奖

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--全球存储解决方案领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布，该公司因发明高密度3D闪存设备及其制造方法（专利号5016832）而获得日本“全国发明表彰计划”(National Commendation for Invention)的2020年“帝国发明奖”(Imperial Invention Prize)，其发明可显著增加存储容量和降低制造成本。

该奖项由日本发明与创新协会(Japan Institute of Invention and Innovation)组织，表明闪存在从智能手机到数据中心的数据存储应用中的重要性。全国发明表彰计划旨在赞赏那些因出色表现而已经或有望取得实质性成就的杰出发明、创意或设计。帝国发明奖是该计划的最高奖项。

获奖者（除另有说明外均为铠侠员工）

帝国发明奖：

• Masaru Kito，高级内存开发中心小组经理
• Hideaki Aochi，存储技术研究与开发研究所高级专家
• Ryota Katsumata，高级内存开发中心总经理助理
• Masaru Kido，存储器开发策略部首席专家
• Hiroyasu Tanaka，高级存储器开发中心首席专家
• Nitayama Akihiro（前东芝株式会社）

实施成就奖：
Nobuo Hayasaka，总裁兼首席执行官

铠侠的三维闪存技术还因为对高密度三维闪存的创新且持续的贡献，获得了中部地区发明表彰计划的2019年文部科学大臣奖，以及2021年IEEE Andrew S. Grove奖。

传统二维闪存技术的存储单元以二维结构排列，其中作为存储数据最小单位的存储单元布置在平面方向上。将存储单元小型化可以增加单位面积的存储容量，从而获得更大的容量并降低生产成本。但小型化正在接近其物理极限。

铠侠屡获殊荣的三维闪存技术采用突破性的方法，极大地简化了垂直堆叠存储单元以实现高密度3D闪存的制造过程。常规堆叠需要重复沉积和图案化工艺来制造存储器单元阵列，而铠侠的3D闪存技术首先堆叠用于制造存储单元的材料，然后使用一次性图案化工艺同时制造每个单元，让加工步骤大大减少。

大容量、高性能的三维闪存现在是市场上的领先技术。继2015年实现48层BiCS FLASH™三维闪存商业化之后，铠侠已进一步开始批量生产64层和96层超高密度闪存。

关于铠侠集团

铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离。该公司开创了先进的存储解决方案和服务，可丰富人们的生活并扩大社会视野。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。