Der zweite 900-V-GaN-FET von Transphorm ist jetzt in Produktion

GOLETA, Kalifornien--(BUSINESS WIRE)--Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) – ein Pionier in der Entwicklung und Herstellung von hochzuverlässigen Hochleistungs-Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleitern – gab heute bekannt, dass sein zweiter 900-V-GaN-FET nun in Produktion ist. Der TP90H050WS bietet einen typischen Einschaltwiderstand von 50 Milliohm mit einem transienten Spannungsspitzenwert von einem Kilovolt und ist jetzt JEDEC-qualifiziert. Die primären Zielmärkte sind umfassende Industriebereiche und erneuerbare Energien, einschließlich Anwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Laden von Akkus, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Beleuchtung und Energiespeicherung. Darüber hinaus entwickelt Transphorm mit dem 900-V-Portfolio den Spannungsbereich bis hin zu dreiphasigen Anwendungen. Weitere Informationen zur Performance der 900-V-Geräte finden Sie hier im Transphorm-Video.

Das im vergangenen Jahr eingeführte TP90H050WS ist nach dem TP90H180PS das zweite 900-V-Gerät des Unternehmens. Der selbstsperrende Zwei-Chip-Leistungstransistor liefert eine ±20-V-Gate-Robustheit in einem TO-247-Standardgehäuse, was seine Zuverlässigkeit und Konstruierbarkeit für Stromversorgungssysteme erhöht. Die Kombination aus dem Hochgeschwindigkeits-GaN von Transphorm und dem thermisch robusten TO-247-Gehäuse ermöglicht es Systemen, einen Wirkungsgrad von über 99 Prozent zu erreichen und gleichzeitig bis zu 10 kW Leistung in typischen Halbbrücken-Konfigurationen mit brückenloser Totem-Pole-Blindleistungskompensation (Power Factor Correction, PFC) zu erzeugen.

„Die Arbeit von Transphorm an seiner 900-V-Plattform veranschaulicht die Leistungsfähigkeit von Hochspannungs-Galliumnitrid-Leistungstransistoren“, sagte Philip Zuk, VP of Technical Marketing and NA Sales bei Transphorm. „Dieses Gerät gibt uns die Möglichkeit, Anwendungen zu unterstützen, die uns vorher nicht zugänglich waren. Bei der Bemusterung dieser 50-Milliohm-FETs sind wir auf großes Interesse gestoßen. Wir sind stolz darauf, sagen zu können, dass sich ihr Verfügbarkeitsstatus nun auf die Großserienproduktion verschoben hat, um der Kundennachfrage gerecht zu werden.“

900-V-GaN in der Anwendung

Das Illinois Institute of Technology (IIT) arbeitet derzeit mit dem TP90H050WS in einem ARPA-E-Schaltkreis-Programm, das auf einzigartige Weise das hochmoderne Produkt von Transphorm mit den innovativen Festkörperschalttopologien des IIT zusammengeführt hat. Das Projekt wird zuverlässige Festkörper-Leitungsschutzschalter (Solid-State Circuit Breaker, SSCBs) für erneuerbare Energie-Mikronetze erzeugen. Es umfasst die Entwicklung eines autonom betriebenen, programmierbaren und intelligenten bidirektionalen SSCB mit Hilfe der 900-V-GaN-Bauelemente.

„Unser SSCB-Projekt erforderte eine nicht-traditionelle Lösung zur Leistungsumwandlung, die nicht nur die mechanischen Leistungsschalter in Bezug auf die Geschwindigkeit übertrifft, sondern uns außerdem dabei hilft, den Leistungsverlust zu reduzieren“, erklärte Dr. John Shen, IIT. „Die GaN-Technologie von Transphorm übertraf unsere Erwartungen. Sie lieferte das komplette Paket. Hohe Leistungsdichte, zuverlässige Bidirektionalität und, als einziges 900-V-GaN-Bauelement auf dem Markt, eine beispiellose Leistungsabgabe in einem kleinen Gehäuse.“

900-V-Evaluierungsboard

Transphorm vereinfacht mit seinem DC/AC-Wechselrichter-Evaluierungsboard die Entwicklungsarbeit weiter. Das TDINV3500P100-KIT, das aus vier 170-Milliohm-FETs vom Typ TP90H180PS besteht, nutzt eine Vollbrückentopologie zur Unterstützung einphasiger Wechselrichtersysteme, die mit oder über 100 kHz arbeiten.

Das Evaluation-Board sowie die beiden in Produktion befindlichen 900-V-Transistoren sind über Digi-Key und Mouser über die folgenden Links erhältlich:

• TP90H050WS (50 mΩ TO-247 FET): Digi-Key/ Mouser
• TP90H180PS (170 mΩ TO-220 FET): Digi-Key/ Mouser
• TDINV3500P100-KIT: Digi-Key/ Mouser

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa.

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