Transphorm的第二款900 V GaN FET現已投入生產

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--開發和製造高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率半導體的先驅Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 今日宣布，該公司的第二款900 V GaN場效應電晶體(FET)現已投入生產。TP90H050WS的典型導通電阻為50毫歐，瞬態峰值額定值為1千伏，現已通過聯合電子裝置技術協會(JEDEC)認證。主要目標市場是廣泛的工業和可再生能源，包括太陽能逆變器、電池充電、不斷電供應系統、照明和儲能等應用。此外，憑藉900 V產品組合，Transphorm正逐步擴大電壓範圍，以涵蓋三相應用。

去年推出的TP90H050WS是該公司繼TP90H180PS之後的第二款900 V元件。雙晶片式常關型功率電晶體採用標準TO-247封裝，具有±20 V閘極穩健性，從而提高其在電力系統中的可靠性和可設計性。Transphorm的高速GaN與耐熱性強的TO-247封裝相結合，使系統在具有無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)的典型半橋配置中可獲得超過99%的效率，同時產生高達10 kW的功率。

Transphorm技術行銷和北美銷售副總裁Philip Zuk表示：「Transphorm在其900 V平臺上所做的工作展示了高壓氮化鎵功率電晶體所具備的功能。該元件使我們能夠支援我們之前無法涉足的應用。在提供這些50毫歐FET的樣品時，我們見證了來自客戶的濃厚興趣。我們可以自豪地說，它們的供應狀態現已轉變為能夠滿足客戶需求的大量生產。」

900 V GaN應用

伊利諾理工學院(IIT)目前正在一個先進能源研究計畫署(ARPA-E)的Circuits計畫中利用TP90H050WS展開相關工作，該計畫將Transphorm的尖端產品與IIT的創新型固態開關拓撲獨特結合。該專案將為可再生能源微電網生產可靠的固態斷路器(SSCB)。它包括使用900 V GaN元件開發自主操作、可程式化的智慧雙向SSCB。

伊利諾理工學院的John Shen博士解釋道：「我們的SSCB專案需要一種非傳統的電源轉換解決方案，該解決方案不僅要在速度方面優於機械式斷路器，而且還需要幫助我們降低功耗。Transphorm的GaN技術超出了我們的預期。它提供完整封裝、高功率密度、可靠的雙向性，並且作為市面上唯一的900 V GaN元件，以一種小型封裝提供了前所未有的功率輸出。」

900 V評估板

Transphorm透過其直交逆變器評估板來繼續簡化開發工作。TDINV3500P100-KIT採用四件TP90H180PS 170毫歐FET設計，使用全橋拓撲來支援以100 kHz或以上頻率運作的單相逆變器系統。

該評估板及兩款已投產的900 V電晶體可透過Digi-Key和Mouser取得，連結如下：

• TP90H050WS (50 mΩ TO-247 FET)：Digi-Key/ Mouser
• TP90H180PS (170 mΩ TO-220 FET)：Digi-Key/ Mouser
• TDINV3500P100-KIT：Digi-Key/ Mouser

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormchina.com。在Twitter @transphormusa上掌握我們的最新動態。

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