東芝推出採用最新一代製程的80V N溝道功率MOSFET，協助提高電源效率

-擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品陣容-

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）為其採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」增加了80V N溝道功率MOSFET。新推出的MOSFET適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。

新增產品包括採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及採用TSON Advance封裝的TPN19008QM。產品即日起出貨。

由於採用了最新一代製程技術，比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構，漏源導通電阻與閘極電荷特性^[1]之間的平衡也得到了改善^[2]。因此，新產品可提供業界最低的功耗^[3]。

東芝正在擴展其降耗型產品系列，以協助降低設備功耗。

應用場合

• 開關電源（高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）
• 馬達控制設備（馬達驅動器等）

特性

• 業界最低^[3]功耗（透過改善導通電阻與閘極電荷特性^[2]之間的平衡）
• 業界最低 ^[3]導通電阻：
  V_GS=10V (TPH2R40QM)時，R_DS(ON)=2.43mΩ（最大值）
  V_GS=10V (TPN19008QM)時，R_DS(ON)=19mΩ（最大值）
• 高額定通道溫度：T_ch = 175℃

主要規格

（除非另有說明，Ta=25℃時）
產品型號			TPH2R408QM	TPN19008QM
絕對 最大 額定值	漏源電壓VDSS (V)		80	80
	漏極電流(DC) ID (A)	Tc=25℃時	120	34
	通道溫度Tch (℃)		175	175
電氣 特性	漏源導通電阻 RDS(ON)最大值(mΩ)	VGS=10V時	2.43	19
		VGS=6V時	3.5	28
	總閘極電荷（閘源+閘漏） Qg典型值(nC)		87	16
	閘極開關電荷Qsw典型值(nC)		28	5.5
	輸出電荷Qoss典型值(nC)		90	16.5
	輸入電容Ciss典型值(pF)		5870	1020
封裝	名稱		SOP Advance	TSON Advance
	尺寸典型值(mm)		5.0×6.0	3.3×3.3
進貨與採購			線上購買	線上購買

注：
[1] 總閘極電荷（閘源+閘漏）、閘極開關電荷、輸出電荷
[2] 與TPH4R008NH（U-MOS VIII-H系列）相比，TPH2R408QM的漏源導通電阻x總閘極電荷約提高15%，漏源導通電阻 x 閘極開關電荷約提高10%，漏源導通電阻x輸出電荷約提高31%。
[3] 截至2020年3月30日，東芝調查。

如需獲得有關新產品的更多資訊，請關注以下連結
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM

如需獲得有關東芝12-300V MOSFET系列的更多資訊，請關注以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

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TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html
TPN19008QM
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*公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。

客戶詢問：
功率元件銷售與行銷部
電話：[phone]
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