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東芝推出採用最新一代製程的80V N溝道功率MOSFET,協助提高電源效率

-擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品陣容-

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)為其採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」增加了80V N溝道功率MOSFET。新推出的MOSFET適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。

新增產品包括採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及採用TSON Advance封裝的TPN19008QM。產品即日起出貨。

由於採用了最新一代製程技術,比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比,新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構,漏源導通電阻與閘極電荷特性[1]之間的平衡也得到了改善[2]。因此,新產品可提供業界最低的功耗[3]

東芝正在擴展其降耗型產品系列,以協助降低設備功耗。

應用場合

  • 開關電源(高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等)
  • 馬達控制設備(馬達驅動器等)

特性

  • 業界最低[3]功耗(透過改善導通電阻與閘極電荷特性[2]之間的平衡)
  • 業界最低 [3]導通電阻:
    VGS=10V (TPH2R40QM)時,RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)
    VGS=10V (TPN19008QM)時,RDS(ON)=19mΩ(最大值)
  • 高額定通道溫度:Tch = 175℃

主要規格

(除非另有說明,Ta=25℃時)

產品型號

TPH2R408QM

TPN19008QM

絕對

最大

額定值

漏源電壓VDSS (V)

80

80

漏極電流(DC) ID (A)

Tc=25℃時

120

34

通道溫度Tch (℃)

175

175

電氣

特性

漏源導通電阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

VGS=10V時

2.43

19

VGS=6V時

3.5

28

總閘極電荷(閘源+閘漏)

Qg典型值(nC)

87

16

閘極開關電荷Qsw典型值(nC)

28

5.5

輸出電荷Qoss典型值(nC)

90

16.5

輸入電容Ciss典型值(pF)

5870

1020

封裝

名稱

SOP Advance

TSON Advance

尺寸典型值(mm)

5.0×6.0

3.3×3.3

進貨與採購

線上購買

線上購買


[1] 總閘極電荷(閘源+閘漏)、閘極開關電荷、輸出電荷
[2] 與TPH4R008NH(U-MOS VIII-H系列)相比,TPH2R408QM的漏源導通電阻x總閘極電荷約提高15%,漏源導通電阻 x 閘極開關電荷約提高10%,漏源導通電阻x輸出電荷約提高31%。
[3] 截至2020年3月30日,東芝調查。

如需獲得有關新產品的更多資訊,請關注以下連結
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM

如需獲得有關東芝12-300V MOSFET系列的更多資訊,請關注以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

如需查看線上經銷商處的新產品供應資訊,請造訪:
TPH2R408QM
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*公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。

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本新聞稿中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況,如有變動,恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社

東芝電子元件及儲存裝置株式會社集新公司的活力與集團的經驗智慧於一身。自2017年7月成為一家獨立公司以來,公司已躋身領先的通用設備公司之列,並為客戶和商業合作夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD解決方案。

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有關東芝電子元件及儲存裝置株式會社的更多詳情,請造訪:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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