-

Power Integrations推出多款集成了高可靠性750 V氮化镓晶体管的InnoSwitch3 IC,产品阵容进一步扩大

PowiGaN™技术可帮助实现效率高达94%的电源,适合应用于电网经常出现 断电和输入浪涌的地区

美国加利福尼亚州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯) --深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布新款InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC,产品阵容进一步扩大。新款INN3x78C器件集成了尺寸较小的“8号”750 V PowiGaN晶体管,可设计出外形轻巧的高效率电源,在无需散热片的情况下能够提供27 W至55 W的输出功率。与基于氮化镓的InnoSwitch3系列中更大型号的器件(最大目标功率为120 W)一样,这些IC也采用符合安规的大爬电距离的InSOP™-24D封装。

PowiGaN技术以优异的效率而著称 - 在任何输入电压和负载条件下效率均可高达94%,其极高的可靠性能够保证电源在市电电压不稳的地区使用时耐受输入浪涌和电压浮动的冲击。这样OEM厂商只需一个电源设计即可满足全球通用的要求。新器件到应用范围非常广泛,包括用于移动设备的USB PD和大电流充电器/适配器,以及机顶盒、显示器、网络设备、游戏产品和家电 - 尤其适合于那些旨在满足计划中的欧洲能效标签指令要求的产品。

Power Integrations产品营销总监Chris Lee表示:“我们看到集成了高可靠性750 V氮化镓晶体管的高效率AC-DC变换器IC的市场需求在不断增长。由于硅MOSFET的击穿电压和与COSS相关的开关损耗之间存在相关联的关系,因此很难同时满足电气耐压强度和高效率的要求。我们高电气强度的PowiGaN晶体管具有极小的COSS,因此可以实现94%以上的效率,进而可以非常直观地降低亚热带产品应用环境的市场返修率。”

Power Integrations全新的InnoSwitch3 IC现已开始供货,InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP基于10,000片的订货量每片单价为2.95美元,InnoSwitch3-Pro基于10,000片的订货量每片单价为3.25美元。相关技术支持请参见Power Integrations的网站:www.power.com/innoswitch3

关于Power Integrations

Power Integrations, Inc.是高压功率转换领域半导体技术的知名创新者。该公司的产品是清洁能源生态系统内的关键组成部分,可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用中电能的有效传输和消耗。有关详细信息,请访问网站www.power.com

Power Integrations、InnoSwitch、PowiGaN、InSOP和Power Integrations徽标是Power Integrations, Inc.的商标或注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

Contacts

媒体联系人
Peter Rogerson
Power Integrations, Inc.
(408) 414-8573
peter.rogerson@power.com

新闻代理联系人
Nick Foot
BWW Communications
+44-1491-636 393
nick.foot@bwwcomms.com

Power Integrations, Inc.

NASDAQ:POWI


Contacts

媒体联系人
Peter Rogerson
Power Integrations, Inc.
(408) 414-8573
peter.rogerson@power.com

新闻代理联系人
Nick Foot
BWW Communications
+44-1491-636 393
nick.foot@bwwcomms.com

More News From Power Integrations, Inc.

Power Integrations推出节省空间的超薄型辅助电源参考设计,适用于NVIDIA的Kyber 800VDC AI数据中心应用

中国台湾台北--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 台北国际电脑展(COMPUTEX)讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出两款全新超薄紧凑型辅助电源参考设计,专为800VDC AI数据中心打造。其中一款单路输出15W设计的尺寸仅为30mm×30mm,厚度为7mm;另一款隔离式、六路输出、35W设计的尺寸仅为80mm×60mm,厚度为8mm。这两款超紧凑型设计方案专为NVIDIA的Kyber液冷刀片式机架架构优化设计,可在布局密集的主配电板(PDB)上节省约30%空间,同时BOM元件数预计减少30%,进而简化设计并提升整体可靠性。这两款设计效率极高,在整个输入电压和负载范围内,效率均不低于88%。 Power Integrations高级培训经理Jason Yan表示,“Power Integrations是率先推出单HEMT 1700V GaN器件的公司,因此能够打造这款业界顶尖、高能效的反激式电源。该方案物料清单精简,同时可在800V母线电压下保持充足的安全裕量。市面上其他...

Power Integrations将反激拓扑功率范围扩展至440W,打造比谐振设计更简洁的电源方案

美国德州圣安东尼奥--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出了一项反激拓扑的突破性技术,将反激变换器的功率范围扩展至440W——远超传统上需要更复杂的LLC谐振拓扑结构所能达到的极限。全新的TOPSwitchGaN™反激式IC系列产品将该公司的突破性PowiGaN™技术与其标志性的TOPSwitch™IC架构相结合,简化了系统设计,在许多情况下无需使用散热片,缩短了设计周期,提高了可生产性,并降低了系统总成本。 Power Integrations产品营销总监Silvestro Fimiani 表示,“这不仅仅是一次产品升级——这是工程师进行电源设计方式的根本性转变。几十年来,随着功率水平的提高,设计人员不得不转向LLC等谐振拓扑。借助TOPSwitchGaN,我们将反激式拓扑推向了此前无法企及的功率范围,使工程师能够通过简单得多的架构实现高效率和高性能。” 采用TOPSwitchGaN的集成解决方案在10%至100%的负载范围内均能实现92%的效率...

Power Integrations详述适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

美国加利福尼亚州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布一份新的技术白皮书,详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit),其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上,NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作,加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。 新白皮书详细阐述了Power Integrations业界首款1250V PowiGaN HEMT的性能优势,揭示了其经过实际应用验证的可靠性以及满足800VDC架构的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外,该白皮书还表明,与堆叠式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比,单个1250V PowiGaN开关可提供...
Back to Newsroom