-

キオクシア:業界初のQLC技術を採用したUFS4.0フラッシュメモリ製品の量産を開始

ビット密度を向上させた512GB QLC UFSデバイス

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、業界初注1のQLC(Quadruple-level cell、4ビット/セル)技術を採用したUFS注2 4.0組み込み式フラッシュメモリ製品の量産を開始しました。QLC UFSは、従来のTLC UFSよりもビット密度が高く、大容量が求められるモバイル・アプリケーションに適しており、コントローラー技術とエラー訂正の進歩により、QLCを用いた性能と容量の高いバランスを実現しました。当社の新しい512GB QLC UFSは、UFS 4.0インターフェース速度をフルに活用し、最大4,200MB/sのシーケンシャルリード性能と最大3,200MB/sのシーケンシャルライト性能を達成しました。

当社のQLC UFSは、スマートフォンやタブレットだけでなく、PC、ネットワーク機器、AR/VR、AIなど、より大容量で高性能が必要とされる次世代アプリケーションにも適しています。

新しいQLC UFS 4.0対応製品は、キオクシアの3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」とコントローラーをJEDEC規格のパッケージに収めたものです。MIPI M-PHY 5.0とUniPro 2.0に対応し、理論上1レーンあたり最大23.2Gbps、デバイスあたり最大46.4Gbpsのインターフェース速度をサポートします。また、UFS 4.0は、UFS 3.1と下位互換性があります。

新製品の主な仕様:

  • High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS) をサポート:従来のUFSではデバイスとホストのLink Startup (M-PHYおよびUniProの初期化シーケンス) を低速のPWM-G1 (3~9Mbps注3) で行っていましたが、HS-LSSを使用することでより高速なHS-G1 Rate A (1,248Mbps) で行うことができます。これによりLink Startupにかかる時間を従来に比べて約70%短くすることが可能になります。
  • セキュリティー機能の強化:RPMB (Replay Protected Memory Block)領域にあるユーザー認証情報など、セキュリティーが必要なデータへの読み書きを高速化するAdvanced RPMBや、無効化されたセキュリティーデータを迅速に消去するRPMB Purgeをサポートします。
  • Extended Initiator ID (Ext-IID)をサポート:UFS 4.0ホストコントローラーのMCQ(Multi Circular Queue)と併用し、ランダム性能を向上させることが可能です。

注1 2024年10月30日 キオクシア株式会社調べ。
注2 UFS (Universal Flash Storage):JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
注3 PWM-G1の通信速度は使用する機器等の条件によって異なります。

* 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量(ユーザー領域)はそれぞれの製品仕様をご確認ください。(メモリ容量は1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。)
* 1Gbpsを1,000,000,000ビット/秒として計算しています。リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります。

* 記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
営業企画部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
営業企画部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

キオクシア:MicrochipのAdaptec® SmartRAID 4300シリーズ RAIDストレージアクセラレーターとキオクシアSSDの相互互換性と相互運用性を確認

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、当社の2.5インチ エンタープライズおよびデータセンターPCIe® 5.0 NVMe™ SSD、およびPCIe 4.0 NVMe SSDが、Microchip Technology Inc.(マイクロチップ・テクノロジー社、以下Microchip)のRAIDストレージアクセラレーターであるAdaptec® SmartRAID 4300シリーズとの相互接続試験を行い、相互運用性を確認しました。 次世代エンタープライズおよびAIデータセンターには、現在から将来への技術をシームレスに統合するためのエコシステムの連携と相互運用性が重要です。この相互接続において、キオクシアのデータセンターおよびエンタープライズ向けSSDを活用し、セキュリティーを備えたスケーラブルなハードウェアアクセラレーテッドRAIDアーキテクチャーを実現します。今回Microchipが行った試験で相互運用性が確認されたのは、PCIe 5.0対応エンタープライズNVMe SSDの「KIOXIA CM7シリーズ」、データセンターNVMe...

キオクシア:KIOXIA AiSAQ™技術のMilvusベクトルデータベースへの採用について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社のApproximate Nearest Neighbor Search(ANNS)技術であるKIOXIA AiSAQ™(キオクシア アイザック)が、オープンソースのベクトルデータベース Milvus(バージョン 2.6.4以降)に正式に採用されました。MilvusユーザーはKIOXIA AiSAQ™で最適化されたベクトル検索により、実用的かつコスト効率の高い形でAIアプリケーションを活用することが可能になります。ベクトルデータベースを活用したい開発者は、従来の大規模ベクトル検索を行う際にボトルネックとなるDRAMの容量に左右されることなく、高性能ベクトル検索を活用できます。 現在、AI業界では巨大なモデルの構築から、スケーラブルでコスト効率に優れた推論ソリューションの整備へと重心を移しています。その過程で中心となるのが、外部データを用いてAIの回答精度を向上させるRAG(Retrieval Augmented Generation)技術であり、KIOXIA AiSAQ™はSSDベースのベクトルアー...

キオクシア:高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術を発表

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術として高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術を開発しました。本成果は、米国サンフランシスコで開催されたIEEEの電子素子に関する国際会議IEDM(International Electron Devices Meeting)にて、12月10日(現地時間)に発表しました。本技術を用いることで、AIサーバーやIoT製品など幅広いアプリケーションにおいて低消費電力化を実現する可能性があります。 AI時代を迎え、大容量のデータを処理するために、より大容量かつ低消費電力のDRAMの実現が期待されています。従来のDRAMではメモリセルの微細化が物理限界に近づいており、さらなる大容量化に向けてメモリセルを3次元に積層する研究が進んでいます。メモリセルを積層する際に、従来のDRAMと同様の単結晶シリコンをトランジスタのチャネル材料に使用すると、製造コストが高くなり、かつ、メモリ容量に比例して、メモリセルをリフレッシュするための電力も増加する課題が...
Back to Newsroom