-

Kioxia採用新的BiCS FLASHTM技術,推出業界容量最高的2Tb QLC快閃記憶體

透過在堆疊技術和晶圓鍵合技術方面的突破性架構創新得以實現

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation是先進的儲存解決方案供應商,該公司今天宣佈,開始出貨採用第八代BiCS FLASHTM3D快閃記憶體技術的2Tb(兆百萬位元)四級單元(QLC)存放裝置樣品(1)這款2Tb QLC設備擁有業內最高容量(2),將存放裝置提升到新的容量點,將推動包括人工智慧在內的多個應用領域的增長。

憑藉其最新的BiCS FLASHTM技術,Kioxia透過專有工藝和創新架構實現了記憶體晶片的縱向和橫向擴展。此外,該公司還採用了突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)(3)技術,該技術能夠實現更高密度的設備和業界領先的3.6Gbps介面速度(4)。這些先進技術共同應用於2Tb QLC的製造,造就了業界最高容量的存放裝置。

與Kioxia目前的第五代QLC設備相比,2Tb QLC的位元密度高出約2.3倍,寫入能效高出約70%,是Kioxia產品中容量最高的設備。最新的QLC設備在單個記憶體封裝中採用16晶片堆疊架構,實現了業界領先的4 TB(太位元組)容量。它的封裝尺寸更小,為11.5 x 13.5毫米,封裝高度為1.5毫米。

Pure Storage, Inc.是一家提供全球最先進資料儲存技術和服務的IT領軍企業,其執行長Charles Giancarlo強調了Kioxia的最新開發成果對他們的公司平台的重要意義:「我們與Kioxia有著長期的合作關係,很高興採用他們的第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC快閃記憶體產品來提升我們全快閃記憶體儲存解決方案的性能和效率。Pure的統一全快閃記憶體資料儲存平台能夠滿足人工智慧的苛刻需求以及備份儲存的高昂成本。在Kioxia技術的支援下,Pure Storage將繼續提供出色的性能、能效和可靠性,為我們的客戶帶來卓越的價值。」

Kioxia技術長Hideshi Miyajima表示:「我們很高興推出採用第八代BiCS FLASH™新技術的全新2Tb QLC樣品。2Tb QLC產品具有業界領先的高密度、高速資料傳輸和卓越的能效,將為快速崛起的AI應用和需要節省電力和空間的大型儲存應用提供新的價值。」

除了2Tb QLC,Kioxia還推出了1Tb QLC存放裝置。與容量優化的2Tb QLC相比,性能優化的1Tb QLC的順序寫入效能提升了約30%,讀取延遲改善了約15%。1Tb QLC將部署在高性能應用中,包括用戶端SSD和行動裝置。

Kioxia將繼續開發行業領先的儲存產品,以滿足日益增長的資料儲存解決方案需求。


(1) 這些樣品用於功能檢查,其規格可能與批量生產的產品有所不同。
(2) 截至2024年7月3日。Kioxia調查。
(3) CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術,即每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓在其優化狀態下單獨製造,然後鍵合在一起。
(4) 1Gbps是指每秒1,000,000,000位元。該值是在Kioxia的特定測試環境下獲得的,可能會因使用者的條件而異。

* 每次提及Kioxia產品時:產品密度是根據產品內儲存晶片的密度來確定的,而不是最終使用者可用於資料儲存的儲存容量。由於開銷資料區域、格式、壞塊和其他限制,消費者可用的容量會更少,並且可能因主機設備和應用而異。有關詳細資訊,請參閱適用的產品規格。1KB的定義 = 2^10位元組 = 1,024位元組。1Gb的定義 = 2^30位元 = 1,073,741,824位元。1GB的定義 = 2^30位元組 = 1,073,741,824位元組。1Tb = 2^40位元 = 1,099,511,627,776位元。

* 讀寫速度是在Kioxia的特定測試環境中獲得的最佳值,Kioxia不保證單個設備的讀寫速度。讀寫速度可能因所用設備和讀寫檔案大小而異。

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是協力廠商公司的商標。

關於 Kioxia

Kioxia 是全球記憶體解決方案領域的領軍企業,致力於快閃記憶體和固態硬碟 (SSD) 的開發、生產和銷售。其前身是 Toshiba Memory,於 2017 年 4 月從 Toshiba Corporation(1987 年發明了 NAND 快閃記憶體)剝離出來。Kioxia 致力於憑藉記憶體技術促進世界發展,該公司提供各種產品、服務和系統,為客戶提供多樣化選擇,並基於記憶體技術創造價值,推動社會的發展。Kioxia 創新的 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™ 正在塑造儲存技術在高密度應用領域(包括高級智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心)的未來。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Kota Yamaji
公共關係
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
公共關係
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

KIOXIA固態硬碟與Microchip的Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID儲存加速器達成相容

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation今日宣布,其2.5吋KIOXIA CM7系列企業級PCIe®5.0 NVMe™ 2.0、KIOXIA CD8P系列資料中心級PCIe 5.0 NVMe 2.0及KIOXIA CD8系列資料中心級PCIe 4.0 NVMe 1.4固態硬碟,已成功完成與Microchip Technology Inc. Adaptec®SmartRAID 4300系列RAID儲存加速卡的相容性及互通性測試。 Adaptec SmartRAID 4300加速器支援多達32個NVMe固態硬碟,每個硬碟皆透過其專用通道直接連接至CPU。此設計消除了傳統單一x16主機介面通常會遇到的PCIe效能瓶頸,使得每個固態硬碟均能發揮巔峰效能。這項創新架構提供了卓越的傳輸吞吐量與IOPS,使其成為資料密集型企業應用的理想解決方案。次世代資料中心基礎架構的成功,仰賴於生態系統的合作與互通性,以確保當前及未來技術能實現無縫整合。 Microchip名稱與Adaptec為Microchip Technology Inc.於美國及其...

KIOXIA AiSAQ™技術已整合至Milvus向量資料庫

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation今日宣布,其近似最近鄰搜尋(ANNS)軟體技術KIOXIA AiSAQ™已從Milvus 2.6.4版本起正式整合到這款開放原始碼向量資料庫中。透過此次整合,Milvus使用者可充分利用KIOXIA AiSAQ™經SSD最佳化的向量搜尋能力,為開發者和企業提供一條實用且具有成本效益的AI應用程式擴充路徑,無需面對大規模向量搜尋通常伴隨的DRAM記憶體擴容難題。 AI產業正從建構大規模基礎模型,轉向部署可擴充、具有成本效益的推理解決方案以因應真實世界挑戰。檢索增強生成(RAG)是這一轉型的核心,而KIOXIA AiSAQ™技術的研發初衷,就是協助社群利用以SSD為基礎的向量架構。其融入Milvus生態系統後,不僅降低了開放原始碼社群的採用門檻,還能支援開發者打造更快、更高效的AI應用程式。 KIOXIA AiSAQ™於今年稍早首次發表,是一款開放原始碼軟體技術,透過將所有與RAG相關的資料庫元素儲存在SSD上,大幅提升向量可擴充性*1。隨著DRAM可擴充性成為海量推理和RAG工作負載的關鍵...

Kioxia研發核心技術,推動高密度低功耗3D DRAM的實際應用

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布,已研發出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道電晶體技術,該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件大會(IEDM)上亮相,可望降低AI伺服器和物聯網組件等眾多應用場景的功耗。 在AI時代,市場對於具備更大容量、更低功耗、可處理海量資料的DRAM的需求持續攀升。傳統DRAM技術在儲存單元尺寸微縮方面已逼近實體極限,業界因此開始研究儲存單元的3D堆疊技術,以此擴大儲存容量。傳統DRAM將單晶矽用作堆疊儲存單元中電晶體的溝道材料,這種方式會推高製造成本,同時儲存單元的刷新功耗還會隨儲存容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上,我們宣布研發出氧化物半導體溝道電晶體DRAM (OCTRAM)技術,該技術使用由氧化物半導體材料製成的垂直電晶體。在今年的大會展示中,我們推出了可實現OCTRAM 3D堆疊的高堆疊性氧化物半導體溝道電晶體技術,並完成了8層電晶體堆疊結構的功能驗證。 這項新技術將成...
Back to Newsroom