-

Kioxia採用新的BiCS FLASHTM技術,推出業界容量最高的2Tb QLC快閃記憶體

透過在堆疊技術和晶圓鍵合技術方面的突破性架構創新得以實現

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation是先進的儲存解決方案供應商,該公司今天宣佈,開始出貨採用第八代BiCS FLASHTM3D快閃記憶體技術的2Tb(兆百萬位元)四級單元(QLC)存放裝置樣品(1)這款2Tb QLC設備擁有業內最高容量(2),將存放裝置提升到新的容量點,將推動包括人工智慧在內的多個應用領域的增長。

憑藉其最新的BiCS FLASHTM技術,Kioxia透過專有工藝和創新架構實現了記憶體晶片的縱向和橫向擴展。此外,該公司還採用了突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)(3)技術,該技術能夠實現更高密度的設備和業界領先的3.6Gbps介面速度(4)。這些先進技術共同應用於2Tb QLC的製造,造就了業界最高容量的存放裝置。

與Kioxia目前的第五代QLC設備相比,2Tb QLC的位元密度高出約2.3倍,寫入能效高出約70%,是Kioxia產品中容量最高的設備。最新的QLC設備在單個記憶體封裝中採用16晶片堆疊架構,實現了業界領先的4 TB(太位元組)容量。它的封裝尺寸更小,為11.5 x 13.5毫米,封裝高度為1.5毫米。

Pure Storage, Inc.是一家提供全球最先進資料儲存技術和服務的IT領軍企業,其執行長Charles Giancarlo強調了Kioxia的最新開發成果對他們的公司平台的重要意義:「我們與Kioxia有著長期的合作關係,很高興採用他們的第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC快閃記憶體產品來提升我們全快閃記憶體儲存解決方案的性能和效率。Pure的統一全快閃記憶體資料儲存平台能夠滿足人工智慧的苛刻需求以及備份儲存的高昂成本。在Kioxia技術的支援下,Pure Storage將繼續提供出色的性能、能效和可靠性,為我們的客戶帶來卓越的價值。」

Kioxia技術長Hideshi Miyajima表示:「我們很高興推出採用第八代BiCS FLASH™新技術的全新2Tb QLC樣品。2Tb QLC產品具有業界領先的高密度、高速資料傳輸和卓越的能效,將為快速崛起的AI應用和需要節省電力和空間的大型儲存應用提供新的價值。」

除了2Tb QLC,Kioxia還推出了1Tb QLC存放裝置。與容量優化的2Tb QLC相比,性能優化的1Tb QLC的順序寫入效能提升了約30%,讀取延遲改善了約15%。1Tb QLC將部署在高性能應用中,包括用戶端SSD和行動裝置。

Kioxia將繼續開發行業領先的儲存產品,以滿足日益增長的資料儲存解決方案需求。


(1) 這些樣品用於功能檢查,其規格可能與批量生產的產品有所不同。
(2) 截至2024年7月3日。Kioxia調查。
(3) CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術,即每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓在其優化狀態下單獨製造,然後鍵合在一起。
(4) 1Gbps是指每秒1,000,000,000位元。該值是在Kioxia的特定測試環境下獲得的,可能會因使用者的條件而異。

* 每次提及Kioxia產品時:產品密度是根據產品內儲存晶片的密度來確定的,而不是最終使用者可用於資料儲存的儲存容量。由於開銷資料區域、格式、壞塊和其他限制,消費者可用的容量會更少,並且可能因主機設備和應用而異。有關詳細資訊,請參閱適用的產品規格。1KB的定義 = 2^10位元組 = 1,024位元組。1Gb的定義 = 2^30位元 = 1,073,741,824位元。1GB的定義 = 2^30位元組 = 1,073,741,824位元組。1Tb = 2^40位元 = 1,099,511,627,776位元。

* 讀寫速度是在Kioxia的特定測試環境中獲得的最佳值,Kioxia不保證單個設備的讀寫速度。讀寫速度可能因所用設備和讀寫檔案大小而異。

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是協力廠商公司的商標。

關於 Kioxia

Kioxia 是全球記憶體解決方案領域的領軍企業,致力於快閃記憶體和固態硬碟 (SSD) 的開發、生產和銷售。其前身是 Toshiba Memory,於 2017 年 4 月從 Toshiba Corporation(1987 年發明了 NAND 快閃記憶體)剝離出來。Kioxia 致力於憑藉記憶體技術促進世界發展,該公司提供各種產品、服務和系統,為客戶提供多樣化選擇,並基於記憶體技術創造價值,推動社會的發展。Kioxia 創新的 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™ 正在塑造儲存技術在高密度應用領域(包括高級智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心)的未來。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Kota Yamaji
公共關係
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
公共關係
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Kioxia與Sandisk宣佈開始在北上廠區Fab2量產第10代3D快閃記憶體

東京與加州米爾皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation是Kioxia Holdings Corporation(東京證券交易所代號:285A)旗下子公司,其與Sandisk Corporation(納斯達克代號:SNDK)今日宣布,位於日本岩手縣北上工廠的Fab2(K2)已開始生產其第10代3D快閃記憶體技術產品。這一里程碑象徵著兩家公司繼續推動具重大意義的多年度位元增長,以應對市場對其創新快閃記憶體技術的強勁需求。 配合投產,兩家公司為K2廠房舉行了揭幕儀式。該廠房於2025年9月啟用,此前一直生產兩家公司的第8代3D快閃記憶體產品,並將隨着引入第10代產品而開始擴大生產規模。這兩代3D快閃記憶體均採用創新的CBA(CMOS直接鍵合於陣列)技術,具備高效能、高容量及低功耗的特點。 Fab2廠房採用具備吸震功能的建築結構,其設計亦採用最先進的節能製造設備。該廠房藉助人工智慧以提升生產效率,並採用高空間利用率的設施設計,從而擴大了其潔淨室內可用於裝設製造設備的空間。 Kioxia與Sandisk近期宣布將其合資企業架構延長至2...

Kioxia開始出樣兼具高效能、高容量與低功耗的第十代BiCS FLASH™快閃記憶體元件

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領導者Kioxia Corporation今日宣布,已開始交付採用其第十代BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體技術的1Tb(兆位元)三層單元(TLC)記憶體樣品。1這些新品將主要整合到公司的企業級和資料中心固態硬碟(SSD)產品線中,從而進一步強化Kioxia的產品陣容,以滿足AI儲存領域對更高效能、更高容量和更低功耗與日俱增的需求。這些新產品將採用最先進的設備,在Kioxia位於日本岩手縣北上市工廠的Fab2廠區進行製造。 透過利用自第八代BiCS FLASH™起便採用的創新CMOS直接貼合至陣列(CBA)技術2和同間距選取閘極汲極(OPS)技術3,第十代技術實現了4.8 Gb/s4的NAND介面速度,較第八代提升了33%。透過堆疊332層並提升水平密度,其位元密度提高了59%。此外,其寫入和讀取的功耗效率分別提升18%和30%5,有助於降低資料中心和企業級基礎設施的功耗。 在獨特的雙軸策略指導下,Kioxia正同步推進兩條不同的產品線:一是以相對較低的投資成本實現高效能的第九代解決方案;二是利用先進層...

Kioxia簽署第20屆亞運和第5屆亞帕運合作協議

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球記憶體解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation欣然宣布,已與愛知·名古屋亞洲運動會及亞洲帕拉運動會籌備委員會簽署合作協議,以支援2026年愛知·名古屋第20屆亞運和2026年第5屆亞帕運。 第20屆亞運是32年來首次重返日本的亞洲最大運動盛會,將繼續把電子競技列為正式獎牌項目。運動員們將在11個分項和13個小項中展開獎牌角逐。身為本屆亞運的官方遊戲固態硬碟供應商,Kioxia將提供其最快的消費級固態硬碟——EXCERIA PRO G2 SSD,確保為選手們創造最佳競技環境,協助他們發揮出最佳水準。 秉承「用『記憶』讓世界更美好」的使命,Kioxia對這兩項賽事的贊助彰顯了其支援電子競技持續發展、協助實現更加豐富多元的數位社會的承諾。 合作協議詳情 贊助等級: 第20屆亞運:第4級官方供應商 第5屆亞帕運:第4級官方供應商 合約期限:從2026年6月24日(協議簽署之日)至12月31日 賽事概覽 第20屆亞運 日期:2026年9月19日至10月4日(電子競技項目:2026年9月23日至10月2日) 地點...
Back to Newsroom