CAMBRIDGE GaN DEVICES 新型ICeGaN GaN功率IC使資料中心、逆變器和工業開關電源實現最高效率

採用新型熱阻增强封裝的 P2 系列表現出最高的電力效能，支持具有挑戰性的高功率應用，堅固可靠

英國劍橋訊--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices 簡稱 CGD）是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能 GaN 型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件，今日推出採用新穎的晶片和封裝設計的、最低導通電阻（R_DS(on)）ICeGaN ™ GaN 功率 IC，將 GaN 的優勢提供給資料中心、逆變器、電機驅動器和其他工業電源等高功率應用。 新型 ICeGaN ™ P2 系列 IC R_DS(on) 低至25 mΩ，支持多kW功率應用，並提供最高效率。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商務官 「人工智慧的爆炸性增長導致能源消耗的顯著增加，促使資料中心系統設計師優先考慮將GaN用於高功率、高效的功率解決方案。 CGD這一新系列 GaN 功率 IC 支持我們的客戶和合作夥伴在資料中心實現超過100 kW/機架的功率密度，滿足高密度計算的最新TDP（熱設計功率）趨勢的要求。 在電機控制逆變器方面，開發人員正在使用 GaN 來减少熱量，獲得更小、更持久的系統功率。 以上兩個市場正是 CGD IceGaN 功率 IC 現在的目標市場。 簡化的閘極驅動器設計和降低的系統成本，再加上先進的高性能封裝，使P2系列 IC 成為這些應用的絕佳選擇。」

IceGaN 功率 IC 集成了米勒鉗位以消除高速開關過程中的擊穿損耗，並實現了0V關斷從而最大限度地减少反向導通損耗，其效能優於分立 eMode GaN 和其他現有科技。 新的封裝提供了低至0.28 K/W的改進的熱阻效能，與市場上任何其他產品比較具有相當或更加優异的效能。 其雙面 DHDFN-9-1（雙散熱器 DFN）封裝的雙門引脚設計有助於優化 PCB 佈局和簡單並聯以實現可擴展性，使客戶能够輕鬆處理高達多kW的應用。 經過設計新型封裝不僅提高了產量，其側邊可濕焊盤科技，更便於光學檢查。

用戶現在可申請 CGD 新型 P2 系列 IceGaN 功率 IC 樣品。 該系列包括四款 R_DS(on) 產品為25 mΩ和55 mΩ，額定電流為60 A和27 A的產品。 產品採用10 mm x 10 mm封裝 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）封裝。 與所有 CGD IceGaN 產品一樣，P2 系列可以使用任何標準 MOSFET 或 IGBT 驅動器進行驅動。

現有2款採用新型P2產品的演示板可供展示：一款是 CGD 與法國公共研發機構 IFP Energies nouvelles 合作開發的單相變三相汽車逆變器演示板； 另一款是3kW圖騰柱功率因數校正演示板。

新型 P2 系列 ICeGaN ™ 產品系列 GaN 功率 IC 和演示板將於2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。 CGD 的展位號為7-643。

關於 Cambridge GaN Devices

英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱CGD）專注於 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，致力於推動能源效率和提高功率密度層面的根本變革。我們的使命是提供各種簡便節能的 GaN 解決方案，以便將創新成果帶入日常生活。CGD的ICeGaN™ 技術已被證實適合大規模生產，公司正在快速擴展，製造商和代理商的合作夥伴關係也陸續到位。CGD 是從劍橋大學分立出來的無晶圓廠半導體公司， 創辦人兼執行長 Giorgia Longobardi 博士及技術長 Florin Udrea 教授等公司創辦人仍與劍橋大學享有盛譽的高電壓微電子及感測器小組 (HVMS) 維持密切合作。在 CGD 專注推動創新的努力下，ICeGaN HEMT 技術取得一系列強大且持續擴展的 IP 組合，享有堅實可靠的智慧財產保障。CGD 團隊所擁有的技術和商業專業知識，加上在電力電子市場受到的肯定與良好記錄，是公司專有技術在市場上獲得認可的基礎。