-

Kioxia提供最新一代UFS Ver. 4.0內建式快閃記憶體元件樣品

更小的封裝尺寸和效能改進為行動應用帶來更好的使用者體驗

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球首屈一指的記憶體解決方案供應商Kioxia Corporation今天宣布,該公司已開始提供最新一代通用快閃記憶體(2)(UFS) Ver. 4.0版內建式快閃記憶體元件的樣品(1)。新產品支援256GB、512GB和1TB容量,非常適合包括尖端智慧型手機在內的各種下一代行動應用。

新UFS產品經過強化的效能可最佳化5G連接的利用率,從而加快下載速度、減少延遲並提升使用者體驗。較小的封裝尺寸有助於提高電路板空間效率和設計靈活性。

主要功能包括:

  • 讀/寫速度比上一代產品更快(3):連續寫入速度提高約15%,隨機寫入速度提高約50%,隨機讀取速度提高約30%。
  • 封裝尺寸比上一代產品更小(4):封裝尺寸為9mm x 13mm,封裝厚度為0.8mm(256GB和512GB)和0.9mm (1TB),相較傳統封裝尺寸(11mm x 13mm)縮小了約18%。

Kioxia率先推出UFS技術(5),並不斷開發新產品。 最新的UFS Ver. 4.0元件在JEDEC標準封裝中整合了公司創新的BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體和控制器。UFS 4.0整合了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0,支援每通道高達23.2Gbps或每元件46.4Gbps的理論介面速度。UFS 4.0向下相容UFS 3.1。

相關連結:
UFS 4.0 – 專為下一代行動儲存而設計

注釋:
(1) 256GB和512GB元件的樣品已於本月開始出貨,1TB元件計畫於2024年6月之後出貨。樣品規格可能與商用產品有所不同。

(2) 通用快閃記憶體儲存(UFS)是根據JEDEC UFS標準規範建構的內建式記憶體產品類別。由於採用序列介面,UFS支援全雙工,從而實現主機處理器和UFS元件之間的併發讀寫。

(3) Kioxia Corporation上一代512GB元件的編號為「THGJFLT2E46BATP」。

(4) 相較Kioxia上一代UFS 4.0產品。

(5) 截至2013年2月8日Kioxia Corporation的首批樣品。
https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2013/20130208-1.html

每次提及Kioxia產品時:產品密度是根據產品內記憶體晶片的密度來確定的,而不是終端使用者可用於資料儲存的記憶體容量。由於開銷資料區域、格式化、壞塊和其他限制,消費者可用容量將會減少,並且還可能因主機裝置和應用程式而異。詳情請參閱適用的產品規格。1KB的定義 = 2^10位元組 = 1,024位元組。1Gb的定義 = 2^30位元 = 1,073,741,824位元。1GB的定義 = 2^30位元組 = 1,073,741,824位元組。1Tb = 2^40位元 = 1,099,511,627,776位元。

1Gbps按每秒1,000,000,000位元組運算。讀取和寫入速度是在Kioxia特定測試環境中獲得的最佳值,並且Kioxia不保證單個元件的讀取或寫入速度。讀取和寫入速度可能會有所不同,具體取決於所使用的裝置以及讀取或寫入的文件大小。

公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是第三方公司的商標。

關於Kioxia
Kioxia是全球首屈一指的儲存解決方案供應商,致力於開發、生產和銷售快閃記憶體和固態硬碟(SSD)。2017年4月,Kioxia的前身Toshiba Memory從Toshiba Corporation中獨立出來。Toshiba Corporation是于1987年發明NAND快閃記憶體的公司。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇,並為社會創造基於儲存技術的價值,從而提升世界的「記憶」。Kioxia的創新3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造高密度應用領域的儲存未來,包括先進的智慧型手機、個人電腦、SSD、汽車和資料中心等領域。

客戶查詢:
Kioxia Group
全球銷售辦事處
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*本文件中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容和聯絡資訊,在公告日期是正確的,但如有變更恕不另行通知。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒體查詢:
Kioxia Corporation
銷售策略規劃部
Satoshi Shindo
電話:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒體查詢:
Kioxia Corporation
銷售策略規劃部
Satoshi Shindo
電話:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

Kioxia與Sandisk宣佈開始在北上廠區Fab2量產第10代3D快閃記憶體

東京與加州米爾皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation是Kioxia Holdings Corporation(東京證券交易所代號:285A)旗下子公司,其與Sandisk Corporation(納斯達克代號:SNDK)今日宣布,位於日本岩手縣北上工廠的Fab2(K2)已開始生產其第10代3D快閃記憶體技術產品。這一里程碑象徵著兩家公司繼續推動具重大意義的多年度位元增長,以應對市場對其創新快閃記憶體技術的強勁需求。 配合投產,兩家公司為K2廠房舉行了揭幕儀式。該廠房於2025年9月啟用,此前一直生產兩家公司的第8代3D快閃記憶體產品,並將隨着引入第10代產品而開始擴大生產規模。這兩代3D快閃記憶體均採用創新的CBA(CMOS直接鍵合於陣列)技術,具備高效能、高容量及低功耗的特點。 Fab2廠房採用具備吸震功能的建築結構,其設計亦採用最先進的節能製造設備。該廠房藉助人工智慧以提升生產效率,並採用高空間利用率的設施設計,從而擴大了其潔淨室內可用於裝設製造設備的空間。 Kioxia與Sandisk近期宣布將其合資企業架構延長至2...

Kioxia開始出樣兼具高效能、高容量與低功耗的第十代BiCS FLASH™快閃記憶體元件

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領導者Kioxia Corporation今日宣布,已開始交付採用其第十代BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體技術的1Tb(兆位元)三層單元(TLC)記憶體樣品。1這些新品將主要整合到公司的企業級和資料中心固態硬碟(SSD)產品線中,從而進一步強化Kioxia的產品陣容,以滿足AI儲存領域對更高效能、更高容量和更低功耗與日俱增的需求。這些新產品將採用最先進的設備,在Kioxia位於日本岩手縣北上市工廠的Fab2廠區進行製造。 透過利用自第八代BiCS FLASH™起便採用的創新CMOS直接貼合至陣列(CBA)技術2和同間距選取閘極汲極(OPS)技術3,第十代技術實現了4.8 Gb/s4的NAND介面速度,較第八代提升了33%。透過堆疊332層並提升水平密度,其位元密度提高了59%。此外,其寫入和讀取的功耗效率分別提升18%和30%5,有助於降低資料中心和企業級基礎設施的功耗。 在獨特的雙軸策略指導下,Kioxia正同步推進兩條不同的產品線:一是以相對較低的投資成本實現高效能的第九代解決方案;二是利用先進層...

Kioxia簽署第20屆亞運和第5屆亞帕運合作協議

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球記憶體解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation欣然宣布,已與愛知·名古屋亞洲運動會及亞洲帕拉運動會籌備委員會簽署合作協議,以支援2026年愛知·名古屋第20屆亞運和2026年第5屆亞帕運。 第20屆亞運是32年來首次重返日本的亞洲最大運動盛會,將繼續把電子競技列為正式獎牌項目。運動員們將在11個分項和13個小項中展開獎牌角逐。身為本屆亞運的官方遊戲固態硬碟供應商,Kioxia將提供其最快的消費級固態硬碟——EXCERIA PRO G2 SSD,確保為選手們創造最佳競技環境,協助他們發揮出最佳水準。 秉承「用『記憶』讓世界更美好」的使命,Kioxia對這兩項賽事的贊助彰顯了其支援電子競技持續發展、協助實現更加豐富多元的數位社會的承諾。 合作協議詳情 贊助等級: 第20屆亞運:第4級官方供應商 第5屆亞帕運:第4級官方供應商 合約期限:從2026年6月24日(協議簽署之日)至12月31日 賽事概覽 第20屆亞運 日期:2026年9月19日至10月4日(電子競技項目:2026年9月23日至10月2日) 地點...
Back to Newsroom