-

Kioxia推出業界首款針對汽車應用的UFS 4.0版內建式快閃記憶體元件

效能改進帶動汽車應用的發展;提升駕駛體驗

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球首屈一指的儲存解決方案供應商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]業界首款[2]針對汽車應用的通用快閃記憶體[3](UFS) 4.0版內建式快閃記憶體元件樣品。這些效能更高的新型元件封裝小巧,具有快速的內建式儲存傳送速率,適用於各種下一代汽車應用,包括遠端資訊處理系統、資訊娛樂系統和ADAS[4]。Kioxia的UFS產品效能得到了改善[5]——包括順序讀取速度提高了約100%,順序寫入速度提高了約40%,使這些應用能夠利用5G的連接優勢,帶來更快的系統啟動時間和更好的使用者體驗。

Kioxia率先引進UFS技術[6],並繼續推動該技術向前發展其全新的UFS 4.0版元件在JEDEC標準封裝中整合了公司創新的BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體和控制器。UFS 4.0整合了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0,最高支援每通道23.2 Gbp/s或每元件46.4 Gbp/s的理論介面速度。UFS 4.0向下相容UFS 3.1。

新的Kioxia元件支援高速鏈路啟動序列(HS-LSS)功能,使元件和主機之間的鏈路啟動(M-PHY和UniPro初始化序列)能以比傳統UFS更快的HS-G1 Rate A (1248 Mbps)速度執行。與傳統方法相較,連結啟動時間可望縮短約70%。

新的UFS 4.0版元件支援高級特性和功能,以滿足苛刻的汽車應用要求,其中包括:

  • 刷新功能:透過降低資料刷新速率,提高資料可靠性,即使在惡劣、苛刻的車內環境中也能防止資料損壞。
  • 擴充診斷功能:使使用者能夠查看UFS元件的重要資訊,以便採取預防措施。

新的Kioxia元件有128、256和512 GB三種容量,支援寬溫度範圍,符合AEC[7]-Q100 Grade2要求,並具有複雜汽車應用所需的更高可靠性。

相關連結:
用於汽車的UFS和e-MMC | KIOXIA - 日本(英文)

注釋:
[1] 樣品的規格可能與商業產品不同。
[2] 截至2024年1月30日。Kioxia調查。
[3] 通用快閃記憶體儲存(UFS)是根據JEDEC UFS標準規範建構的內建式記憶體產品類別。由於採用序列介面,UFS支援全雙工,從而實現主機處理器和UFS元件之間的併發讀寫。
[4] 先進駕駛輔助系統
[5] 與Kioxia Corporation上一代512GB元件(型號:THGJFGT2T85BAB5)相較
[6] Kioxia Corporation的首批樣品出貨,截至2013年2月8日。
https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2013/20130208-1.html
[7] 汽車電子委員會(AEC)規定的電氣元件資格要求。

MB/s按每秒1,000,000位元組運算。讀取和寫入速度是在Kioxia特定測試環境中獲得的最佳值,並且Kioxia不保證單個元件的讀取或寫入速度。讀取和寫入速度可能會有所不同,具體取決於所使用元件以及讀取或寫入的文件大小。

每次提及Kioxia產品時:產品密度是根據產品內記憶體晶片的密度來確定的,而不是終端使用者可用於資料儲存的記憶體容量。由於開銷資料區域、格式化、壞塊和其他限制,消費者可用容量將會減少,並且還可能因主機裝置和應用程式而異。詳情請參閱適用的產品規格。1KB的定義 = 2^10位元組 = 1,024位元組。1Gb的定義 = 2^30位元 = 1,073,741,824位元。1GB的定義 = 2^30位元組 = 1,073,741,824位元組。1Tb = 2^40位元 = 1,099,511,627,776位元。

公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是第三方公司的商標。

關於Kioxia
Kioxia是全球首屈一指的儲存解決方案供應商,致力於開發、生產和銷售快閃記憶體和固態硬碟(SSD)。2017年4月,Kioxia的前身Toshiba Memory從Toshiba Corporation中獨立出來。Toshiba Corporation是于1987年發明NAND快閃記憶體的公司。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇,並為社會創造植基於儲存技術的價值,從而提升世界的「記憶」。Kioxia的創新3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造高密度應用領域的儲存未來,包括先進的智慧型手機、個人電腦、SSD、汽車和資料中心等領域。

客戶查詢:
Kioxia Group
全球銷售辦事處
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*本文件中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容和聯絡資訊,在公告日期是正確的,但如有變更,恕不另行通知。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒體查詢:
Kioxia Corporation
銷售策略規劃部
Satoshi Shindo
電話:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒體查詢:
Kioxia Corporation
銷售策略規劃部
Satoshi Shindo
電話:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

KIOXIA固態硬碟與Microchip的Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID儲存加速器達成相容

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation今日宣布,其2.5吋KIOXIA CM7系列企業級PCIe®5.0 NVMe™ 2.0、KIOXIA CD8P系列資料中心級PCIe 5.0 NVMe 2.0及KIOXIA CD8系列資料中心級PCIe 4.0 NVMe 1.4固態硬碟,已成功完成與Microchip Technology Inc. Adaptec®SmartRAID 4300系列RAID儲存加速卡的相容性及互通性測試。 Adaptec SmartRAID 4300加速器支援多達32個NVMe固態硬碟,每個硬碟皆透過其專用通道直接連接至CPU。此設計消除了傳統單一x16主機介面通常會遇到的PCIe效能瓶頸,使得每個固態硬碟均能發揮巔峰效能。這項創新架構提供了卓越的傳輸吞吐量與IOPS,使其成為資料密集型企業應用的理想解決方案。次世代資料中心基礎架構的成功,仰賴於生態系統的合作與互通性,以確保當前及未來技術能實現無縫整合。 Microchip名稱與Adaptec為Microchip Technology Inc.於美國及其...

KIOXIA AiSAQ™技術已整合至Milvus向量資料庫

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation今日宣布,其近似最近鄰搜尋(ANNS)軟體技術KIOXIA AiSAQ™已從Milvus 2.6.4版本起正式整合到這款開放原始碼向量資料庫中。透過此次整合,Milvus使用者可充分利用KIOXIA AiSAQ™經SSD最佳化的向量搜尋能力,為開發者和企業提供一條實用且具有成本效益的AI應用程式擴充路徑,無需面對大規模向量搜尋通常伴隨的DRAM記憶體擴容難題。 AI產業正從建構大規模基礎模型,轉向部署可擴充、具有成本效益的推理解決方案以因應真實世界挑戰。檢索增強生成(RAG)是這一轉型的核心,而KIOXIA AiSAQ™技術的研發初衷,就是協助社群利用以SSD為基礎的向量架構。其融入Milvus生態系統後,不僅降低了開放原始碼社群的採用門檻,還能支援開發者打造更快、更高效的AI應用程式。 KIOXIA AiSAQ™於今年稍早首次發表,是一款開放原始碼軟體技術,透過將所有與RAG相關的資料庫元素儲存在SSD上,大幅提升向量可擴充性*1。隨著DRAM可擴充性成為海量推理和RAG工作負載的關鍵...

Kioxia研發核心技術,推動高密度低功耗3D DRAM的實際應用

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布,已研發出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道電晶體技術,該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件大會(IEDM)上亮相,可望降低AI伺服器和物聯網組件等眾多應用場景的功耗。 在AI時代,市場對於具備更大容量、更低功耗、可處理海量資料的DRAM的需求持續攀升。傳統DRAM技術在儲存單元尺寸微縮方面已逼近實體極限,業界因此開始研究儲存單元的3D堆疊技術,以此擴大儲存容量。傳統DRAM將單晶矽用作堆疊儲存單元中電晶體的溝道材料,這種方式會推高製造成本,同時儲存單元的刷新功耗還會隨儲存容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上,我們宣布研發出氧化物半導體溝道電晶體DRAM (OCTRAM)技術,該技術使用由氧化物半導體材料製成的垂直電晶體。在今年的大會展示中,我們推出了可實現OCTRAM 3D堆疊的高堆疊性氧化物半導體溝道電晶體技術,並完成了8層電晶體堆疊結構的功能驗證。 這項新技術將成...
Back to Newsroom