東芝：USB搭載機器やバッテリーパック保護に適した30V耐圧NチャネルコモンドレインMOSFETの販売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、USB搭載機器やバッテリーパック保護に適した30V耐圧の低オン抵抗NチャネルコモンドレインMOSFET「SSM10N961L」を製品化し、本日から出荷を開始します。

これまで、当社NチャネルコモンドレインMOSFETは、主にスマートフォンのリチウムイオン（Li-ion）バッテリーパック保護用に12V耐圧製品をラインアップしてきました。30V耐圧製品の発売により、用途選択の幅が広がり、USB充電機器の電源ライン用ロードスイッチや、ノートPC、タブレットなどのLi-ionバッテリーパック保護で12V以上の耐圧が必要な用途に使用可能になります。

また、低いドレイン・ソース間オン抵抗(R_DS(ON))の双方向スイッチとしての用途には、従来、3.3×3.3mmや2×2mmサイズでR_DS(ON)の低いMOSFETが2個必要でしたが、新製品は小型かつ薄型の新パッケージTCSPAG-341501(3.37mm×1.47mm (typ.)、t=0.11mm (typ.)) を採用し、1パッケージのコモンドレイン構成で9.9mΩ (typ.)の低いソース･ソース間オン抵抗(R_SS(ON))を実現しています。

高い電力給電が必要な電子機器に向け策定された、15W (5V/3A) から最大240W (48V/5A)まで給電できるUSB Power Delivery (USB PD)規格には、送電側と受電側を入れ替えるロールスワップ機能があり、USB充電機器は送電と受電の両方に対応できるように双方向の電力供給が求められています。新製品は、小さな実装面積で双方向の電力供給に対応できるNチャネルコモンドレインMOSFETとなります。

また、新製品は当社コモンドレインMOSFET用ドライバーICのTCK42xGシリーズと組み合わせて使用することで、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路や、MBB (Make-Before-Break) とBBM (Break-Before-Make) の動作切り替えが可能なパワーマルチプレクサー回路を構成できます。これらを組み合わせたリファレンスデザイン「パワーマルチプレクサー回路（コモンドレインMOSFET応用）」を本日公開しました。このリファレンスデザインを活用する事で機器の設計・開発期間の短縮に貢献します。

当社は、今後もパッケージ展開製品や特性を向上した製品ラインアップを拡充し、ユーザーの設計自由度の向上に貢献していきます。

応用機器

• スマートフォン
• ノートPC
• タブレットデバイスなど

新製品の主な特長

• ソース・ソース間電圧定格が高い : V_SSS=30V
• オン抵抗が低い : R_SS(ON)=9.9mΩ (typ.) (V_GS=10V)
• 双方向通電に対応するコモンドレイン接続構造
• 小型・薄型のTCSPAG-341501パッケージ : 3.37mm×1.47mm (typ.)、t=0.11mm (typ.)

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番				SSM10N961L
極性				Nチャネル×2
内部接続				コモンドレイン
絶対最大定格	ソース・ソース間電圧 VSSS (V)			30
	ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)			±20
	ソース電流 (DC) IS (A)^[注1]			9.0
	ソース電流 (DC) IS (A)^[注2]			14.0
電気的特性	ソース・ソース間降伏電圧 V(BR)SSS (V)	VGS＝0V	Min	30
	ソース･ソース間オン抵抗 RSS(ON) (mΩ)	VGS＝10V	Typ.	9.9
		VGS＝4.5V	Typ.	13.6
パッケージ	名称			TCSPAG-341501
	寸法 (mm)		Typ.	3.37×1.47、t=0.11
在庫検索 ＆ Web少量購入				Buy Online

[注1] ガラスエポキシ基板 (FR4、25mm×27.5mm、t=1.6mm、Cu Pad : 18µm、407mm²)の場合。
[注2] ガラスエポキシ基板 (FR4、25mm×27.5mm、t=1.6mm、Cu Pad : 70µm、687.5mm²)の場合。

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SSM10N961L

当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MOSFET

各種アプリケーションへの応用例は下記ページをご覧ください。
スマートウオッチ
アクションカメラ
タブレットデバイス

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SSM10N961L
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