-

キオクシア:e-MMC Ver.5.1準拠のフラッシュメモリ製品のサンプル出荷について

より新しいBiCS FLASH™ 3D フラッシュメモリを搭載し、リード/ライト性能を向上

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、民生機器向けに、性能を向上させたJEDEC e-MMC Ver.5.1[注1]準拠の組み込み式フラッシュメモリを開発し、サンプル出荷を開始しました[注2]。新製品はより新しい当社の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH[注3]とコントローラーを搭載し、機器側のプロセッサー負荷を軽減させることにより、使いやすさを向上させています。容量は64GB、128GBの2つのタイプをラインアップします。

モバイル向けのフラッシュメモリ市場ではUFS[注4]への移行が進んでいますが、タブレット、パソコン、POS機器、その他のハンドヘルド機器、スマートテレビ、スマートNICなど、ミッドレンジのストレージを必要とする民生機器向けには、いまだにe-MMCが多く使われています。当社は、高性能かつ、さまざまなアプリケーションで利用可能な製品ラインアップを提供し、市場をリードしています。新製品は、前世代製品[注3]と比較して、シーケンシャルおよびランダム書き込み性能が約2.5倍、ランダム読み出し性能が約2.7倍向上します。加えて、e-MMCの全領域をEnhanced Areaに設定[注5]できることに対応し、TBW[注6]は前世代製品[注3]に比べ約3.3倍向上しています。

新製品はサンプル出荷を開始し、2024年前半に量産予定です。

[注1] e-MMC (embedded Multi Media Card):JEDECが規定する組み込み式フラッシュメモリ標準規格の一つ。本製品は、JEDEC e.MMC Ver. 5.1 でオプショナル機能として規定されている「コマンドキューイング機能」と「セキュアライトプロテクション機能」にも対応しています。
[注2] 64GBの製品のサンプル出荷を9月から開始し、128GBの製品については、10月以降順次出荷を開始する予定です。なお、サンプル出荷品は量産時と仕様が異なる場合があります。
[注3] 当社前世代の製品「THGAMSG9T24BAIL」、「THGAMST0T24BAIL」との比較。
[注4] UFS (Universal Flash Storage):JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能です。
[注5]  Enhanced Areaを設定した場合、実際に使用できるメモリ容量が少なくなります。
[注6] TBW (Terabytes Written)は、機器側からドライブに書き込みができる累積書き込み量の目安です。

*本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量(ユーザー領域)はそれぞれの製品仕様を確認ください。
*リードおよびライト性能、TBWはキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、使用機器での速度、TBWを保証するものではありません。リード及びライト性能、TBWは使用する機器等の条件により異なります。
*社名・製品名・サービス名は、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
メモリ営業推進統括部
Tel: 03-6478-2423
https://business.kioxia.com/ja-jp/buy.html

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
営業企画部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
メモリ営業推進統括部
Tel: 03-6478-2423
https://business.kioxia.com/ja-jp/buy.html

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
営業企画部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

キオクシア:MicrochipのAdaptec® SmartRAID 4300シリーズ RAIDストレージアクセラレーターとキオクシアSSDの相互互換性と相互運用性を確認

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、当社の2.5インチ エンタープライズおよびデータセンターPCIe® 5.0 NVMe™ SSD、およびPCIe 4.0 NVMe SSDが、Microchip Technology Inc.(マイクロチップ・テクノロジー社、以下Microchip)のRAIDストレージアクセラレーターであるAdaptec® SmartRAID 4300シリーズとの相互接続試験を行い、相互運用性を確認しました。 次世代エンタープライズおよびAIデータセンターには、現在から将来への技術をシームレスに統合するためのエコシステムの連携と相互運用性が重要です。この相互接続において、キオクシアのデータセンターおよびエンタープライズ向けSSDを活用し、セキュリティーを備えたスケーラブルなハードウェアアクセラレーテッドRAIDアーキテクチャーを実現します。今回Microchipが行った試験で相互運用性が確認されたのは、PCIe 5.0対応エンタープライズNVMe SSDの「KIOXIA CM7シリーズ」、データセンターNVMe...

キオクシア:KIOXIA AiSAQ™技術のMilvusベクトルデータベースへの採用について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社のApproximate Nearest Neighbor Search(ANNS)技術であるKIOXIA AiSAQ™(キオクシア アイザック)が、オープンソースのベクトルデータベース Milvus(バージョン 2.6.4以降)に正式に採用されました。MilvusユーザーはKIOXIA AiSAQ™で最適化されたベクトル検索により、実用的かつコスト効率の高い形でAIアプリケーションを活用することが可能になります。ベクトルデータベースを活用したい開発者は、従来の大規模ベクトル検索を行う際にボトルネックとなるDRAMの容量に左右されることなく、高性能ベクトル検索を活用できます。 現在、AI業界では巨大なモデルの構築から、スケーラブルでコスト効率に優れた推論ソリューションの整備へと重心を移しています。その過程で中心となるのが、外部データを用いてAIの回答精度を向上させるRAG(Retrieval Augmented Generation)技術であり、KIOXIA AiSAQ™はSSDベースのベクトルアー...

キオクシア:高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術を発表

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術として高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術を開発しました。本成果は、米国サンフランシスコで開催されたIEEEの電子素子に関する国際会議IEDM(International Electron Devices Meeting)にて、12月10日(現地時間)に発表しました。本技術を用いることで、AIサーバーやIoT製品など幅広いアプリケーションにおいて低消費電力化を実現する可能性があります。 AI時代を迎え、大容量のデータを処理するために、より大容量かつ低消費電力のDRAMの実現が期待されています。従来のDRAMではメモリセルの微細化が物理限界に近づいており、さらなる大容量化に向けてメモリセルを3次元に積層する研究が進んでいます。メモリセルを積層する際に、従来のDRAMと同様の単結晶シリコンをトランジスタのチャネル材料に使用すると、製造コストが高くなり、かつ、メモリ容量に比例して、メモリセルをリフレッシュするための電力も増加する課題が...
Back to Newsroom