-

Toshiba开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC) MOSFET模块,为工业设备的高效率和小型化做出贡献

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")开发出业界首款[1]工业设备用2200V双碳化硅(SiC) MOSFET模块“MG250YD2YMS3 ”。新模块的漏极电流(DC)额定值为250A,并采用该公司的第三代SiC MOSFET芯片。它适用于使用DC1500V的应用,如光伏发电系统和储能系统。批量出货于即日起启动。

类似上述的工业应用通常使用DC1000V或更低的功率,其功率器件大多为1200V或1700V产品。然而,Toshiba预计未来几年DC1500V将得到广泛应用,并已推出业内首款2200V产品。

MG250YD2YMS3导通损耗低,漏极-源极导通电压(感应端)低至0.7V(典型值)[2]。它还具有较低的导通和关断开关损耗,分别为14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],与典型的硅(Si) IGBT相比降低了约90%[4]。这些特性有助于提高设备效率。低开关损耗还可以将传统的三电平电路替换为模块数量更少的两电平电路,从而促进设备的小型化。

Toshiba将继续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

注释:
[1] 双碳化硅MOSFET模块。Toshiba调查,截至2023年8月。
[2] 测试条件:ID=250A,VGS=+20V,Tch=25°C
[3] 测试条件:VDD=1100V,ID=250A,Tch=150°C
[4] 截至2023年8月,Toshiba对2300V硅模块和新型全碳化硅MOSFET模块MG250YD2YMS3的开关损耗进行的比较(2300V硅模块的性能值是Toshiba根据2023年3月或之前发表的论文估算的。)

应用
工业设备
- 可再生能源发电系统(光伏发电系统等)
- 储能系统
- 工业设备的电机控制设备
- 高频直流-直流转换器等

特性

  • 低漏极-源极导通电压(感应端):
    VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C)
  • 低导通开关损耗:
    Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)
  • 低关断开关损耗:
    Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)
  • 低杂散电感:
    LsPN=12nH(典型值)

主要规格

(除非另有说明,否则Tc=25°C)

型号

MG250YD2YMS3

Toshiba封装名称

2-153A1A

绝对

最大

额定值

漏源电压VDSS (V)

2200

栅极-源极电压VGSS (V)

+25 / -10

漏极电流(直流)ID (A)

250

漏极电流(脉冲)IDP (A)

500

通道温度Tch (°C)

150

隔离电压Visol (Vrms)

4000

电气

特性

漏极-源极导通电压(感应端)

VDS(on)sense (V)

ID=250A, VGS=+20V,

Tch=25°C

典型值

0.7

源极-漏极导通电压(感应端)

VSD(on)sense (V)

IS=250A, VGS=+20V,

Tch=25°C

典型值

0.7

源漏关断电压(感应端)

VSD(off)sense (V)

IS=250A, VGS=-6V,

Tch=25°C

典型值

1.6

导通开关损耗

Eon (mJ)

VDD=1100V,

ID=250A, Tch=150°C

典型值

14

关断开关损耗

Eoff (mJ)

典型值

11

杂散电感LsPN (nH)

典型值

12

访问以下链接,详细了解新产品。
MG250YD2YMS3

访问以下链接,详细了解Toshiba的SiC功率器件。
SiC功率器件

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是各自公司的商标。
* 本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系信息)截至公告发布之日是最新的,但可能会在不事先通知的情况下发生变更。

关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商,依托半个多世纪的经验与创新优势,为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
公司在全球拥有21,500名员工,以实现产品价值最大化为己任,与客户紧密合作,共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年销售收入近8000亿日元(61亿美元),立志为全人类创造更加美好的未来。
有关更多信息,请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客户垂询:
功率元件销售与营销部
电话:+81-44-548-2216
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客户垂询:
功率元件销售与营销部
电话:+81-44-548-2216
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba扩充四通道标准数字隔离器产品线,将助力工业设备降低功耗

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")扩充了其DCL34xx0B系列工业设备用四通道标准数字隔离器,新增了四款产品。该系列的所有产品均具备每通道0.2mA(典型值)的低电流消耗[1],采用小型SSOP16封装,并支持中速通信[2]。 这四款新产品包括:配置为四个正向通道和零个反向通道的“DCL340L0B”和“DCL340H0B”,以及配置为两个正向通道和两个反向通道的“DCL342L0B”和“DCL342H0B”。 在可编程逻辑控制器(PLC)、执行器和逆变器等工业设备中,防止设备故障、异常传播以及噪声引起的故障至关重要,而噪声会随着设备运行速度的提高而增大。这些问题均通过电气隔离来解决,即在不同电位(如高压与低压)的电路之间传输信号,从而推动了对能在噪声环境中保持稳定运行的安全、高可靠性隔离器件的需求。除了卓越的可靠性外,随着设备日益紧凑,隔离器件也比以往任何时候都更需要具备更小的尺寸和更长的使用寿命。 此外,降低整体系统功耗...

Toshiba推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,旨在提升人工智能数据中心的能效

川崎市,日本--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下简称“Toshiba”)推出TPM1R408RH,这是一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET。该MOSFET主要面向人工智能数据中心和通信基站所用工业设备的开关模式电源等应用。产品已于今日开始出货。 人工智能处理的持续扩展增加了数据中心的电力需求,而通信基础设施的进步则进一步提高了开关模式电源的相关技术要求,即效率更高、体积更小(更高功率密度)以及更低的电磁干扰(EMI)。由于功耗会直接影响系统的功耗、发热量和散热负荷,因此必须采用具备相关特性的功率半导体器件,这些器件不仅能平衡地降低传导损耗和开关损耗,还能促进整体系统的优化,包括改善电磁干扰抑制能力、优化散热设计以及便于安装。 TPM1R408RH采用优化器件结构,实现了1.4mΩ(最大值)[2]的漏源导通电阻,比Toshiba采用上一代U-MOS X-H工艺制造的80V产品“TPM1R908QM”...

Toshiba推出最高工作温度达125°C的工业设备用四通道高速标准数字隔离器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工业设备用四通道高速标准数字隔离器,进一步扩充了其数字隔离器产品线。该系列包含10款新产品,均采用SOIC16-W封装,最高工作温度可达125°C。批量出货自即日起开始。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的广泛应用,使得设计可在高温条件下运行的工业设备成为可能。然而,在隔离信号传输中,输入和输出之间的电磁噪声可能会导致故障,这使得市场对能实现稳定控制信号传输、同时兼具高抗噪性与高可靠性的隔离器件的需求日益增长。 Toshiba新型数字隔离器支持高达125°C的最高工作温度。得益于公司专有的磁耦合隔离传输技术[1],该系列产品还实现了高达150kV/μs(典型值)[2]的高共模瞬态抗扰度(CMTI),从而助力设备稳定运行。 新产品提供多种通道配置:4个正向通道和0个反向通道;3个正向通道和1个反向通道;以及2个正向通道和2个反向通道。这种灵活性使其能够广泛...
Back to Newsroom