東芝：車載機器の小型化と高放熱性に貢献する新パッケージの40V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について
東芝：車載機器の小型化と高放熱性に貢献する新パッケージの40V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について
川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、車載機器向けに、新パッケージS-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads)に当社U-MOSⅨ-Hプロセスのチップを搭載した40V耐圧NチャネルパワーMOSFET 「XPJR6604PB」と「XPJ1R004PB」を発売しました。本日から量産出荷を開始します。
自動運転システムなどの安全性が問われるアプリケーションでは、システムの冗長設計により、従来のシステムと比べてデバイスの搭載員数が増え、実装サイズも大きくなる方向です。そのため、車載機器を小型化するには、より高電流密度で実装可能なパワーMOSFETが必要です。
新製品は、新パッケージのS-TOGL™ (7.0mm×8.44mm[注1]) を採用しています。チップからアウターリードまでを一体化したポストレス構造に加えて、ソース端子を多ピン化することで、パッケージ抵抗を低減しました。
XPJR6604PBの場合、S-TOGL™パッケージと当社U-MOSⅨ-Hプロセスとの組み合わせにより、当社TO-220SM(W)パッケージの既存製品[注2]と比べて、オン抵抗を約11%低減し、実装面積を約55%低減して小型化しました。また、同既存製品と同等の熱抵抗特性を備え、高放熱性を実現しています。さらに、新パッケージは、類似サイズの当社DPAK+パッケージ (6.5mm×9.5mm[注１])と比べて、ドレイン電流定格が200Aと高く、大電流の通電が可能です。
新製品は、S-TOGL™パッケージにより、高密度、かつコンパクトなレイアウトが可能となり、車載機器の小型化と高放熱性に貢献します。
また、S-TOGL™パッケージは、実装応力を緩和するガルウィングリード形状により、振動や高温など過酷な環境下での使用を想定した車載電子部品の、基板実装はんだの接合信頼性向上に貢献します。
なお、ゲートしきい値電圧ごとのグルーピング納品[注3]にも対応しています。これにより、並列接続での使用が想定される大電流動作を必要とするアプリケーションに対して、特性差の少ない製品グループでシステム設計を進めることができます。
当社は今後もパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充を進め、より使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、カーボンニュートラルの実現を目指します。
応用機器
- 車載機器 (インバーター、半導体リレー、ロードスイッチ、モータードライブなど)
新製品の主な特長
- 新パッケージS-TOGL™を採用 : 7.0mm×8.44mm (Typ.)
- ドレイン電流定格が大きい :
XPJR6604PB: ID=200A
XPJ1R004PB: ID=160A
- AEC-Q101適合
- IATF 16949/PPAP提供可能[注4]
- 低オン抵抗 :
XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53mΩ (Typ.) (VGS=10V)
XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ (Typ.) (VGS=10V)
[注1] リード含むパッケージサイズ(Typ.)
[注2] 既存製品: TO-220SM(W)パッケージのTKR74F04PB
[注3] ゲートしきい値電圧を0.4V幅としたリールごとのグルーピング納品が可能です。ただし、特定グループの指定は受け付けていません。詳しくは、当社営業担当へお問い合わせください。
[注4] 詳しくは当社営業担当へお問い合わせください。
新製品の主な仕様
|
新製品 |
既存製品 |
|||||||
品番 |
TKR74F04PB |
TK1R4S04PB |
|||||||
極性 |
Nチャネル |
||||||||
シリーズ |
U-MOSIX-H |
||||||||
パッケージ |
名称 |
S-TOGL™ |
TO-220SM(W) |
DPAK+ |
|||||
サイズ (mm) |
Typ. |
7.0×8.44, t=2.3 |
10.0×13.0, t=3.5 |
6.5×9.5, t=2.3 |
|||||
絶対最大定格 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
40 |
|||||||
ドレイン電流 (DC) ID (A) |
200 |
160 |
250 |
120 |
|||||
ドレイン電流 (パルス) IDP (A) |
600 |
480 |
750 |
240 |
|||||
チャネル温度 Tch (°C) |
175 |
||||||||
電気的特性 |
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=10V |
Max |
0.66 |
1.0 |
0.74 |
1.35 |
||
チャネル・ケース間過渡熱インピーダンス Zth(ch-c) (°C/W) |
Tc=25°C |
Max |
0.4 |
0.67 |
0.4 |
0.83 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。
* S-TOGL™は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。
* その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。
予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
Contacts
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
